Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> КОНЦЕНТРАЦІЙНІ АНОМАЛІЇ ВЛАСТИВОСТЕЙ В НАПІВПРОВІДНИКОВИХ ТВЕРДИХ РОЗЧИНАХ на основі телуриду свинцю

КОНЦЕНТРАЦІЙНІ АНОМАЛІЇ ВЛАСТИВОСТЕЙ В НАПІВПРОВІДНИКОВИХ ТВЕРДИХ РОЗЧИНАХ на основі телуриду свинцю

Назва:
КОНЦЕНТРАЦІЙНІ АНОМАЛІЇ ВЛАСТИВОСТЕЙ В НАПІВПРОВІДНИКОВИХ ТВЕРДИХ РОЗЧИНАХ на основі телуриду свинцю
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
21,84 KB
Завантажень:
293
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15 
Національна академія наук України
Інститут монокристалів
Кривулькін Ігор Михайлович
УДК 537.311.33
КОНЦЕНТРАЦІЙНІ АНОМАЛІЇ ВЛАСТИВОСТЕЙ
В НАПІВПРОВІДНИКОВИХ ТВЕРДИХ РОЗЧИНАХ
на основі телуриду свинцю
01.04.10 - фізика напівпровідників і діелектриків
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Харків – 2003


Дисертацією є рукопис.
Робота виконана в Національному технічному університеті ”Харківський політехнічний інститут” (нту "хпі") Міністерства освіти і науки України, м. Харків.
Науковий керівник: доктор фізико  математичних наук Рогачова Олена Іванiвна, Національний технічний університет ”Харківський політехнічний інститут”, професор кафедри теоретичної та експериментальної фізики
Офіційні опоненти: член-кореспондент НАН України, доктор фізико  математичних наук Пузіков Вячеслав Михайлович, Науково-дослідне відділення оптичних та конструкційних кристалів НТК “Інститут монокристалів” НАН України, директор
доктор фізико  математичних наук, професор Лашкарьов Георгій Вадимович, Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М.Францевича НАН України м. Київ, завідуючий відділом
Провідна установа: Харківський національний університет ім. В.Н.Каразіна
(кафедра напівпровідникової та вакуумної електроніки).
Захист відбудеться “ 3 ” грудня 2003 р. о 14 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д .169.01 в Інституті монокристалів НАН України за адресою: 61001, м. Харків, пр. Леніна, 60.
З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці Інституту монокристалів НАН України за адресою: 61001, м. Харків, пр. Леніна, 60.
Автореферат розісланий “_1_” __листопада__2003 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради,
кандидат технічних наук Л.В.Атрощенко
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Розробка фізичних основ створення напівпровідникових матеріалів з запрограмованим комплексом параметрів тісно пов’язана з дослідженням впливу домішок на кристалічну структуру, енергетичний спектр та фізичні властивості напівпровідників.
Проблема сильного легування, коли концентрація домішок така, що суттєвий внесок у формування властивостей починає вносити взаємодія між атомами домішки, відноситься до числа важливих проблем фізики напівпровідників, далеких від вирішення. Розвиток досліджень у цьому напрямі стимулюється наявністю великої кількості напівпровідникових приладів, в яких використовуються кристали з високим вмістом домішок: тунельні діоди, датчики Холла, тензометри, лазерні та термоелектричні пристрої, активні елементи твердих схем і т.п. Ряд напівпровідникових сполук із значним відхиленням від стехіометрії уявляють собою сильно леговані власними дефектами напівпровідники. Недостатній розвиток теоретичних уявлень в цій області в значній мірі обумовлений явним дефіцитом експериментальних даних.
В роботах із сильного легування, як правило, розглядається поведінка електронної підсистеми при збільшенні концентрації домішки. Добре відомий перехід Мотта метал – діелектрик, що має місце при переході від слабкого до сильного легування [1]. Зміни, які відбуваються при збільшенні концентрації домішки в гратковій підсистемі, розглядались суттєво менше. Між тим, саме граткова підсистема кристалу визначає в основному механічні та теплові властивості, контролює такі практично важливі характеристики напівпровідників як фононна теплопровідність, рухливість носіїв заряду, коефіцієнт теплового розширення і т.п. По мірі збільшення взаємодії між атомами домішки зростає вірогідність процесів самоорганізації в домішковій підсистемі, які також можуть привести до суттєвої зміни властивостей.
Як правило, домішка створює твердий розчин з матеріалом – матрицею. Згідно з загальноприйнятими уявленнями, у межах твердого розчину, який не має фазових перетворень, властивості змінюються безперервно. Однак, в останній час з’явився ряд робіт [2], в яких в напівпровідникових твердих розчинах на концентраційних залежностях фізичних властивостей були виявлені аномалії при вмісті домішкового компонента ~ мол.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15 



Реферат на тему: КОНЦЕНТРАЦІЙНІ АНОМАЛІЇ ВЛАСТИВОСТЕЙ В НАПІВПРОВІДНИКОВИХ ТВЕРДИХ РОЗЧИНАХ на основі телуриду свинцю

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок