Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ОПЕРАЦІЙНИЙ КОНТРОЛЬ ФОРМОУТВОРЕННЯ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ ПЛАСТИН У ВИРОБНИЦТВІ ПРИЛАДІВ ЕЛЕКТРОННОЇ ТЕХНІКИ

ОПЕРАЦІЙНИЙ КОНТРОЛЬ ФОРМОУТВОРЕННЯ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ ПЛАСТИН У ВИРОБНИЦТВІ ПРИЛАДІВ ЕЛЕКТРОННОЇ ТЕХНІКИ

Назва:
ОПЕРАЦІЙНИЙ КОНТРОЛЬ ФОРМОУТВОРЕННЯ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ ПЛАСТИН У ВИРОБНИЦТВІ ПРИЛАДІВ ЕЛЕКТРОННОЇ ТЕХНІКИ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
20,10 KB
Завантажень:
416
Оцінка:
 
поточна оцінка 4.3


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 
ХАРКІВСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ РАДІОЕЛЕКТРОНІКИ
Стародубцев Микола Григорович
УДК 621.317.333
ОПЕРАЦІЙНИЙ КОНТРОЛЬ ФОРМОУТВОРЕННЯ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ ПЛАСТИН У ВИРОБНИЦТВІ ПРИЛАДІВ ЕЛЕКТРОННОЇ ТЕХНІКИ
05.27.06 – Технологія, обладнання та виробництво електронної техніки
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата технічних наук
Харків – 2004
Дисертація є рукописом.
Робота виконана в Харківському національному університеті радіоелектроніки Міністерства освіти і науки України.
Науковий керівник доктор технічних наук, професор
Невлюдов Ігор Шакірович,
Харківський національний університет
радіоелектроніки, завідувач кафедри
технології та автоматизації виробництва
радіоелектронних і электронно-
обчислювальних засобів.
Офіційні опоненти: доктор технічних наук, професор,
заслужений діяч науки та техніки України Овчаренко Віталій Євгенійович, Державне підприємство „Науково-дослідний технологічний інститут приладобудування”, Національне космічне агентство України, заступник директора з наукової роботи;
доктор технічних наук, професор
Воронов Сергій Олександрович, Національний технічний університет України „Київський політехнічний Інститут”, завідувач кафедри прикладної фізики Фізико-технічного інституту
Провідна організація Науково-технологічний концерн "Інститут монокристалів" НАН України, науково-технічний центр радіаційного приладобудування, м. Харків
Захист відбудеться 08.07.2004 р, о 15 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 64.052.03 Харківського національного університету радіоелектроніки за адресою: пр. Леніна, 14, м. Харків, 61166.
З дисертацією можна ознайомитися в бібліотеці Харківського національного університету радіоелектроніки за адресою: пр. Леніна, 14, м. Харків, 61166.
Автореферат розіслано 04.06.2004 р.
Вчений секретар Безрук В.М.
спеціалізованої вченої ради
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Розвиток мікроелектроніки в останні десятиліття пояснюється тим, що вона дозволяє істотно знизити масу і габарити електронного устаткування, складність якого постійно зростає. Широке застосування мікроелектронних виробів і, зокрема, напівпровідникових інтегральних мікросхем (ІМС) дозволяє підвищити апаратурну щільність упакування елементів. Для цього необхідно підвищувати ступінь інтеграції мікросхем.
Однак зростання щільності упакування елементів і ступеня інтеграції утруднює підвищення швидкодії. Тому що при збільшенні щільності упакування елементів зменшуються відстані між ними, що, у свою чергу, збільшує паразитні зв'язки між елементами, а отже, зменшує швидкодію. До аналогічних результатів призводить і збільшення ступеня інтеграції, тому що при цьому неминуче збільшується площа, займана розведенням (струмоведучими шинами і контактними площадками) і, крім того, потрібне використання багатошарового розведення. Усе це збільшує паразитну ємність розведення на підкладку, а, отже, знижує швидкодію мікросхем.
Одним з найбільш перспективних способів збільшення швидкодії є заміна провідної підкладки на непровідну (діелектричну). Таку підкладку виготовляють з діелектричного матеріалу, у який утоплені острівці монокристалічного напівпровідникового матеріалу.
Використання таких підкладок дозволяє практично цілком усунути паразитний зв'язок між елементами ІМС і істотно знизити паразитну ємність розведення. Крім того, використання непровідних підкладок дозволяє підвищити стійкість інтегральних мікросхем до факторів, що призводять до зміни провідності підкладки: температури, світла, різного роду радіаційних впливів і т.д. Однак метод ізоляції елементів мікросхем непровідною підкладкою має істотний недолік – складність технології розкриття острівців монокристалічного напівпровідникового матеріалу, механічною обробкою пластин.
Актуальність теми. В даний час виконання контролю товщини пластин у процесі виробництва інтегральних мікросхем з ізоляцією елементів непровідною підкладкою ускладнюється через відсутність ефективних методів і автоматичних засобів технологічного контролю товщини пластин у процесі виробництва.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 



Реферат на тему: ОПЕРАЦІЙНИЙ КОНТРОЛЬ ФОРМОУТВОРЕННЯ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ ПЛАСТИН У ВИРОБНИЦТВІ ПРИЛАДІВ ЕЛЕКТРОННОЇ ТЕХНІКИ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок