Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Особливості анізотропії розсіяння електронів у кристалах Si і Ge n-типу, що виникають під впливом направленої пружної деформації, термовідпалів і ядерної радіації

Особливості анізотропії розсіяння електронів у кристалах Si і Ge n-типу, що виникають під впливом направленої пружної деформації, термовідпалів і ядерної радіації

Назва:
Особливості анізотропії розсіяння електронів у кристалах Si і Ge n-типу, що виникають під впливом направленої пружної деформації, термовідпалів і ядерної радіації
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
16,92 KB
Завантажень:
441
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 
Національна академія наук України
інститут фізики напівпровідників
Гайдар Галина Петрівна
УДК 621.315.592
Особливості анізотропії розсіяння електронів у
кристалах Si і Ge n-типу, що виникають під впливом
направленої пружної деформації, термовідпалів і ядерної
радіації
01.04.07 ѕ фізика твердого тіла
автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Київ - 2001
Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Науковому центрі “ Інститут ядерних досліджень ”
Національної академії наук України
Науковий керівник: доктор фізико-математичних наук,
професор Литовченко Петро Григорович,
НЦ “ Інститут ядерних досліджень”
НАН України,
завідувач відділу
Офіційні опоненти:
член-кореспондент НАН України, доктор фізико-математичних наук, професор
Блонський Іван Васильович, Інститут фізики НАН України, заступник
директора Інституту;
доктор фізико-математичних наук, професор
Романюк Борис Миколайович , Інститут фізики напівпровідників НАН України, провідний науковий співробітник.
Провідна установа:
Київський Національний університет імені Т.Г.Шевченка, фізичний факультет,
кафедра металофізики
Захист відбувся “ 27 “ квітня 2001 р. о 1415 годині на засіданні
спеціалізованої вченої ради К26.199.01 в Інституті фізики напівпровідників НАН
України, 03028, Київ, проспект Науки, 45.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Інституту фізики напівпро-
відників НАН України, 03028, Київ, проспект Науки, 45.
Автореферат розісланий “ 21 “ березня 2001 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Охріменко О.Б.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Надзвичайно широке використання сучасної мікро- і оптоелектроніки у вирішальних для господарства України галузях науки і
техніки знаходиться в повній залежності від досягнень в області напівпровідникового матеріалознавства.
Пов'язуючи енергетику майбутнього в першу чергу з енергією атомного ядра, не слід також забувати, що і в прецизійних ядерно-фізичних експеримен-тах, а також в практиці сучасної реакторної індустрії, напівпровідникові детек-тори ядерних випромінювань конкурентноздатної заміни не мають.
Приймаючи до уваги названі вище обставини і широке застосування напівпровідникових приладів в полях іонізуючого випромінювання (поряд з ефективним використанням методів радіаційної фізики в технології виробництва дискретних напівпровідникових приладів та інтегральних схем), практично необхідним і актуальним було (на час початку роботи над темою даної дисертації) і зараз залишається розширення досліджень механізмів утворення, кінетики накопичення і умов стабільності радіаційних дефектів (РД) у напівпровідниках з врахуванням їх впливу на анізотропію розсіяння електронів, а також електрофізичні та інші властивості цих кристалів.
Незважаючи на те, що в напрямку вивчення механізмів генерації, накопичення (чи трансформації) точкових РД за останні 15 - 20 років отримано надзвичайно багато наукових результатів, - що складають як пізнавальну, так і велику практичну цінність, - деякі принципово важливі аспекти цієї проблеми ще й зараз не можна вважати в достатній мірі з'ясованими. Сюди, наприклад, можна віднести коло питань, пов'язаних з особливостями домішково-дефектної (і міждефектної) взаємодії, що під впливом зовнішніх або внутрішніх чинників знаходять свій прояв навіть при температурах, близьких до 4.2 К; залежність механізмів утворення РД від умов опромінення; вплив безпосереднього оточення і зарядового стану РД на їх стабільність і т.ін. Саме тому дослідження, які проводяться в цій галузі фізики твердого тіла, були і залишаються актуальними як у пізнавальному плані, так і з точки зору їх використання у відповідних областях техніки та сучасних технологій.
Зв'язок роботи з науковими програмами, планами, темами.
Задачі роботи і її зміст відповідають схваленим Президією НАН України планам наукових досліджень ІФ НАН, НЦ ІЯД і ІФН НАН України, на базі і в лабораторіях яких ця робота виконувалася у відповідності з завданнями, які випливали з наступних тем:“
Дослідження процесів утворення і трансформації радіаційних дефектів в алмазоподібних кристалах з контрольованими структурними недосконалостями і домішковим складом ” (1984-1988 рр.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 



Реферат на тему: Особливості анізотропії розсіяння електронів у кристалах Si і Ge n-типу, що виникають під впливом направленої пружної деформації, термовідпалів і ядерної радіації

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок