Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ОПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ КРЕМНІЄВИХ, ГЕРМАНІЄВИХ І ВУГЛЕЦЕВИХ НАНОСТРУКТУР, ОДЕРЖАНИХ ІМПЛАНТАЦІЄЮ

ОПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ КРЕМНІЄВИХ, ГЕРМАНІЄВИХ І ВУГЛЕЦЕВИХ НАНОСТРУКТУР, ОДЕРЖАНИХ ІМПЛАНТАЦІЄЮ

Назва:
ОПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ КРЕМНІЄВИХ, ГЕРМАНІЄВИХ І ВУГЛЕЦЕВИХ НАНОСТРУКТУР, ОДЕРЖАНИХ ІМПЛАНТАЦІЄЮ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
19,24 KB
Завантажень:
153
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ІНСТИТУТ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ
УДК 539. 219;
535.36; 535.37
ЮХИМЧУК ВОЛОДИМИР ОЛЕКСАНДРОВИЧ
ОПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ КРЕМНІЄВИХ, ГЕРМАНІЄВИХ І ВУГЛЕЦЕВИХ НАНОСТРУКТУР, ОДЕРЖАНИХ ІМПЛАНТАЦІЄЮ
(01.04.07 – фізика твердого тіла)
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Київ-1999
Дисертацією є рукопис.
Робота виконана в Інституті фізики напівпровідників, Національна академія наук України, м. Київ
Науковий керівник: Чл.-кор. НАН України,
доктор фізико-математичних наук,
професор Валах Михайло Якович,
Інститут фізики напівпровідників НАНУ,
заступник директора
Офіційні опоненти: Чл.-кор. НАН України,
доктор фізико-математичних наук,
професор Блонський Іван Васильович,
Інститут фізики НАНУ
заступник директора
С.н.с., к.ф.-м.н.,
Білий Микола Михайлович
Київський університет імені Тараса Шевченка Старший науковий співробітник
Провідна установа: Львівський національний університет імені Івана Франка,
кафедра фізики напівпровідників
Захист відбудеться “19” листопада 1999 р. о 1415 на засіданні спеціалізованої вченої ради К 26.199.01 в Інституті фізики напівпровідників НАН України за адресою:
252650, Київ – 28, проспект Науки, 45.
З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці Інституту фізики напівпровідників НАН України (252650, Київ-28, проспект Науки, 45).
Автореферат розісланий “18” жовтня 1999 р.
Вчений секретар
Спеціалізованої вченої ради Охріменко О.Б.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. В останнє десятиріччя фізика низькорозмірних твердотільних структур розвивається надзвичайно швидкими темпами. Перехід до нанотехнологій та вивчення фізичних процесів, що відбуваються в таких структурах є по суті новим етапом у розвитку фізики напівпровідників.
Фізика і технологія наноструктур, на основі прямозонних напівпровідників розвивалася послідовно від двомірних систем (квантових ям та надграток) до одномірних систем (квантових ниток) і нульмірних систем (квантових точок). Це дозволило, зокрема, створити лазери з рекордно низьким порогом генерації та можливістю зміни довжини хвилі випромінювання.
Отримання надграток, квантових ниток та квантових точок на основі непрямозонних Si та Ge принципово розширює можливості використання цих вже досить добре вивчених напівпровідників, зокрема в оптоелектроніці. В 1990 році було показано, що пористий кремній, отриманий електрохімічним травленням, проявляє інтенсивну фотолюмінісценцію (ФЛ) у видимій області спектру. Однак в зв’язку з деякою нестабільністю його світловипромінюючих характеристик та поганими механічними властивостями наряду з дослідженням пористого кремнію почали розвиватися альтернативні технології отримання випромінюючого нанокристалічного Si в SiO2-матриці. Додатковим стимулом до цього було намагання одержати більш простий модельний об’єкт для фізичних досліджень квантоворозмірних ефектів.
Для отримання нанокристалічного кремнію (nc-Si) в SiO2–матриці було використано ряд традиційних технологій, а також розроблено ряд нових. Однією із самих перспективних є отримання nc-Si в SiO2-матриці в результаті імплантації іонів Si+ в термічно вирощений на поверхні кремнію шар SiO2. Змінюючи енергію та дозу імплантації та варіюючи температуру та час відпалу можна контрольовано змінювати розміри та концентрацію nc-Si і тим самим впливати на світловипромінюючі характеристики таких структур. Важливо, що даний метод повністю сумісний з технологією виготовлення інтегральних мікросхем на базі кремнію.
Як добре відомо, в процесі імплантації іонів утворюються радіаційні дефекти, які також можуть бути центрами випромінювання у видимій області. В зв’язку з цим принципово розділити внесок різних механізмів випромінювання. Ця задача склала першу ціль дисертаційної роботи.
Друга ціль роботи була також пов’язана з фізичними дослідженнями імплантованого Si. Мова йде про тонкі приховані діелектричні SiO2 та напівпровідникові SiC та SixGe1-x шари в кремнії, що використовуються для виробництва багатошарових інтегральних мікросхем.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 



Реферат на тему: ОПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ КРЕМНІЄВИХ, ГЕРМАНІЄВИХ І ВУГЛЕЦЕВИХ НАНОСТРУКТУР, ОДЕРЖАНИХ ІМПЛАНТАЦІЄЮ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок