Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> реферат на тему: Дослідження механізмів дифузії імплантованих домішок в шаруватих структурах на основі кремнію в умовах нерівноважної концентрації точкових дефектів

Дослідження механізмів дифузії імплантованих домішок в шаруватих структурах на основі кремнію в умовах нерівноважної концентрації точкових дефектів / сторінка 3

Назва:
Дослідження механізмів дифузії імплантованих домішок в шаруватих структурах на основі кремнію в умовах нерівноважної концентрації точкових дефектів
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
18,05 KB
Завантажень:
410
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 

Методи дослідження. Для визначення компонентного складу та профілів розподілу імплантованих домішок використовувався метод масспектрометрії вторинних пост-іонізованих нейтральних частинок (МСВН). Електрична провідність легованих шарів визначалась чотирьохзондовим методом вимірювання поверхневого опору після стравлення оксидної плівки. Довжина дифузії неосновних носіїв заряду визначалась з спектральних залежностей поверхневої фото-е.р.с. Рельєф розпиленої поверхні та форма кратерів досліджувались за допомогою методу профілометрії та атомно-силової мікроскопії. Профілі розподілу дефектів та товщина аморфного шару після імплантації вимірювались методом зворотного резерфордівського розсіювання ? –часток в режимі каналювання.
Відповідно до поставленої мети в роботі вирішувалися такі наукові завдання:
1. Дослідити вплив нерівноважних точкових дефектів, введених за допомогою додаткової імплантації домішок C, O та нанесення різного типу діелектричних плівок на дифузію атомів As та Sb та їх сегрегацію на границі розділу діелектрик-напівпровідник в процесі термічних відпалів.
2. Розробити методику для кількісного пошарового аналізу діелектричних матриць.
3. Дослідити механізми електричної активації домішок на границях розділу фаз при додаткових обробках описаних в пункті 1.
4. Встановити механізми гетерування імплантованих рекомбінаційно- активних домішок в структурах мультикристалічний кремній – поруватий кремній – алюмінієва плівка при наявності внутрішніх центрів преципітації домішок.
5. Вивчити особливості радіаційно-прискореної дифузії бору в кремнії при дії УЗ-хвиль в процесі іонної імплантації. Дослідити механізми аморфізації кремнію при імплантації іонів та дії УЗ опромінення.
Наукова новизна одержаних результатів:
1. Знайдено ефект трансформації профілів розподілу імплантованих домішок As і Sb при інжекції нерівноважних точкових дефектів.
2. Показано, що ступінь електричної активації As і Sb поблизу границі розділу діелектрик/Si залежить від типу діелектричної плівки і концентрації точкових дефектів, що вводяться за рахунок додаткової імплантації домішок (C, O).
3. Виявлено ефект розділення пар Френкеля при дії УЗ- хвиль в процесі іонної імплантації, що приводить до зміщення порогу аморфізації кристалічних матриць.
4. Показано, що в збудженій іонною імплантацією системі УЗ- хвилі прискорюють дифузію міжвузлових атомів і сприяють створенню вакансійних комплексів. Знайдено явище пригнічення прискореної дифузії бору при дії УЗ опромінення.
Практична цінність роботи полягає в тому, що:
1. Розвинуто метод високочастотного розпилення твердих тіл, який дозволяє робити пошаровий домішковий аналіз діелектричних матриць і знешкоджувати накопичення заряду на поверхні, що дозволяє отримати кратер прямокутної форми.
2. Розроблено технологічні основи управління профілем легування при імплантації домішок шляхом інжекції нерівноважних точкових дефектів.
3. Запропоновано спосіб, який дозволяє суттєво зменшити прискорену дифузію бору в кремнії за рахунок стимульованого ультразвуком виведення міжвузлових дефектів з зони розподілу бору.
Особистий внесок здобувача. У публікаціях, написаних у співавторстві, здобувачеві належать: підготовка зразків до вимірів [1,2,5-8,12]; проведення температурних [1,2,3,7,8,12] та гетерних обробок [3,7,8]; визначення електричної провідності домішки на границі розділу SiO2/Si [2,12]; дослідження профілів концентрації імплантованих домішок методом МСВН [7,8,9,10,11,12]; визначення шорсткості та форми кратерів на досліджуваних поверхнях методом профілометрії [4,5,6,10]; розробка методики кількісного пошарового аналізу діелектричних матриць[5,6]. Автор приймав участь у постановці задач досліджень, обговоренні результатів і написанні всіх робіт.
Апробація роботи. Основні матеріали дисертації були представлені на 1-й Українській науковій конференції з фізики напівпровідників УНКФН-1 (з міжнародною участю); міжнародній конференції EPS -12: General Conference Trends in Physics (26-30 August 2002 Budapest); міжнародній конференції INA-Anwendertreffen, Clausthal-Zellerfeld, (20 October 2001 Germany); міжнародній конференції ICAMS19: 19th International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors (2001, Aug.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 



Реферат на тему: Дослідження механізмів дифузії імплантованих домішок в шаруватих структурах на основі кремнію в умовах нерівноважної концентрації точкових дефектів

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок