Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Скачати реферат: Дослідження механізмів дифузії імплантованих домішок в шаруватих структурах на основі кремнію в умовах нерівноважної концентрації точкових дефектів

Дослідження механізмів дифузії імплантованих домішок в шаруватих структурах на основі кремнію в умовах нерівноважної концентрації точкових дефектів / сторінка 4

Назва:
Дослідження механізмів дифузії імплантованих домішок в шаруватих структурах на основі кремнію в умовах нерівноважної концентрації точкових дефектів
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
18,05 KB
Завантажень:
410
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 
27-31. Nice, France). Результати роботи також доповідались на наукових семінарах ІФН НАН України.
Публікації. За матеріалами дисертації опубліковано 12 робіт, в тому числі 8 робіт в провідних фахових журналах, 4 – в тезах конференцій.
Структура та обсяг дисертації. Дисертація складається зі вступу, п’яти розділів, висновку і списку цитованої літератури. Матеріал викладено на 154 сторінках, включаючи 110 сторінок тексту, 41 рисунок, 8 таблиць і список літератури зі 160 посиланнями.
Основний зміст роботи.
У вступі обґрунтовується актуальність теми, формулюється мета і основні задачі роботи, описується наукова новизна отриманих результатів та їх практична цінність, наводяться основні положення, які виносяться на захист коротко викладено зміст роботи, наведено дані про апробацію роботи.
Перший розділ дисертації присвячений аналізу літератури по взаємодії точкових дефектів з імплантованими в кремній домішками, процесам сегрегації домішок на границях розділу діелектричний шар – кремній, електричній активації, кластеризації та преципітації домішок, а також впливу різних факторів, таких як УЗ опромінення і температура, на дифузію домішок та точкових дефектів. Показано, що дифузія домішок в кремнії відбувається за безпосередньої участі точкових дефектів. Наявність ТД призводить до формування метастабільних домішкових комплексів, які в процесі відпалу викликають явище нестаціонарно-прискореної дифузії (НПД). Атоми важких домішок (As, Sb) дифундують переважно згідно вакансійного механізму, атоми легких елементів (B,P) – згідно міжвузлового. Джерелом міжвузлових атомів, які впливають на дифузію домішок, в основному, є протяжні {311} дефекти. На початкових стадіях відпалу величина НПД не залежить ні від дози, ні від енергії імплантації. Для пояснення НПД була запропонована (+1) модель, проте вона виявилася дієздатною лише при середніх дозах імплантації, для малих та великих доз спостерігаються значні відхилення від неї.
Присутність домішок вуглецю та кисню призводить до суттєвого впливу на дифузію розглянутих домішок. При відпалі, вуглець розміщуючись в вузлах кристалічної гратки викликає інжекцію вакансій, в той час, як кисень призводить до формування SiOX фази і інжекції власних міжвузлових атомів. В результаті підсилюється чи уповільнюється дифузія домішок, залежно від механізму їх дифузії.
Відпал SiO2/Si структур після низькоенергетичної імплантації домішок призводить до виникнення явища втрати дози. Втрата дози імплантованої домішки відбувається внаслідок сегрегації домішки на границі розділу SiO2/Si та НПД. Механізм явища сегрегації вивчений ще недостатньо. Вважається, що в процесі відпалу домішки накопичуються в SiO2/Si внаслідок більшої його домішкової розчинності. Накопиченні домішки компенсують напруги, що існують на границі розділу фаз.
Показано, що необхідність в зменшенні енергії імплантації домішок призводить до збільшення поверхневого опору RS. Цей факт свідчить, що значна частина накопиченої на межі поділу SiO2/Si домішки перебуває в електрично не активному стані. Високодозова імплантація є одним із варіантів збільшити електричну активність домішки. Проте, на перешкоді цьому стає кластерізація та преципітація домішок при великих концентраціях, що перевищують границю розчинності As в твердому тілі. При досягненні електричної границі розчинності в Si формуються кластери (імовірно As4V), які відповідають за деактивацію арсену. Можливим варіантом подолання деактивації є вплив додатково введених (імплантованих) домішок кисню та вуглецю з послідуючими температурними обробками.
З огляду літератури слідує, що процеси дифузії, перерозподілу та активації імплантованих в кремній домішок визначають поведінку сучасних мікроелектронних пристроїв та ступінь їх інтеграції, а тому потребують подальшого вивчення цих процесів з метою активного керування ними.
В другому розділі проаналізовано методичні особливості пошарового аналізу компонентного складу діелектричних матриць методами ВІМС та МСВН. Показано, що накопичений на поверхні зразка позитивний заряд призводить до неоднорідного розпилення досліджуваних поверхонь, що є значним джерелом похибок у визначенні концентрації та глибини залягання домішок.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 



Реферат на тему: Дослідження механізмів дифузії імплантованих домішок в шаруватих структурах на основі кремнію в умовах нерівноважної концентрації точкових дефектів

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок