Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> реферат безкоштовно: Дослідження механізмів дифузії імплантованих домішок в шаруватих структурах на основі кремнію в умовах нерівноважної концентрації точкових дефектів

Дослідження механізмів дифузії імплантованих домішок в шаруватих структурах на основі кремнію в умовах нерівноважної концентрації точкових дефектів / сторінка 6

Назва:
Дослідження механізмів дифузії імплантованих домішок в шаруватих структурах на основі кремнію в умовах нерівноважної концентрації точкових дефектів
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
18,05 KB
Завантажень:
410
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 

2. З області гетера інжектуються точкові дефекти, які впливають на кінетику преципітації. Збільшення коефіцієнту дифузії заліза і деяке зменшення коефіцієнту дифузії міді може бути пов’язано з інжекцією вакансій з гетерної області, що призводить до потоку міжвузлових атомів кремнію в напрямку до гетера, зменшення їх концентрації в об’ємі пластини і, як наслідок, розчинення преципітатів заліза (збільшення ефективного коефіцієнту дифузії) і створення умов для преципітації міді (зменшення ефективного коефіцієнту дифузії).
Четвертий розділ дисертації присвячений дослідженню впливу додатково введених точкових дефектів на поведінку арсену імплантованого в структури SiO2/Si поблизу границі розділу.
Для формування необхідного p/n переходу проводилась імплантація As з великою дозою (> 1015 см –2), що відповідає концентрації домішки в цьому шарі > 11020 см-3. Такі концентрації перевищують розчинність арсену в кремнії, особливо при низькотемпературних відпалах. Внаслідок чого, відбувається кластеризація легуючої домішки і її електрична деактивація.
Точкові дефекти можуть змінювати як розчинність As в легованій області, так і входити до складу кластерів арсену, окрім того, призводити до модифікації профілів розподілу As в кремнії.
Для управління концентрацією і типом точкових дефектів було використано імплантацію домішок кисню та вуглецю, які, за рахунок створення хімічних зв’язків з Si, в процесі відпалу структур, дозволяють змінювати концентрацію точкових дефектів відносно їх рівноважної величини при даній температурі.
В нашій роботі, кремнієві зразки р – типу провідності імплантувались іонами As з енергією 10 кеВ в інтервалі доз 41014 – 51015 см-2. Частина зразків далі додатково імплантувались іонами O2+ з енергією 30 кеВ дозами 1,6.1014 і 6.1014 см-2, а також іонами С+ з енергією 30 кеВ та дозою 61014 см-2. Зразки відпалювались в атмосфері аргону в інтервалі температур 500 – 1000оС. Час відпалу змінювали від 30 секунд до 3 годин.
Дослідження сформованих структур проводилося за допомогою чотирьохзондової методики вимірювання поверхневого опору та МСВН після стравлення шару SiO2.
Мас спектрометричні дослідження показали, що додаткова імплантація вуглецю приводить до суттєвого уширення профілів, зменшення концентрації As в максимумі розподілу та появи значного затягування профілю у глибину (рис.4.). Зміщення максимуму розподілу As на 5-7 нм відповідає коефіцієнту дифузії ~ 1.410-18 см2/с. Такі коефіцієнти дифузії мають місце для значно більших температур відпалу. Збільшення коефіцієнта дифузії пов’язане з появою великої кількості вакансій в глибині кристалу.
Відпал структур імплантованих киснем призводить до стабілізації профілю розподілу As і невеликого зміщення розподілу в напрямку поверхні зразка.Така поведінка арсену імовірно пов’язана з появою блокуючого шару між максимумами розподілу O2 і As. Блокуючий шар з’являється внаслідок інжекції великої кількості міжузлових атомів кремнію при рості фази SiOX.
Дослідження залежності поверхневого опору Rs від температури відпалу контрольних зразків (без додаткової імплантації) і зразків, додатково імплантованих киснем і вуглецем дозволили слідкувати за електроактивацією As в кремнії, яка оцінювалась по величині поверхневого опору.
Максимальна активація арсену в контрольних зразках спостерігалася при температурах відпалу 700-750 С. Зростання температури відпалу призводить до деактивації арсену внаслідок формування кластерів As4V. Відпал даних структур при оптимальних умовах в присутності додатково імплантованих домішок призводить до зростання величин Rs. Подальше збільшення часу відпалу викликає зростання поверхневого опору (пічний відпал).
Збільшення дози імплантованого кисню до 6.41014 см –2 призводить до зменшення поверхневого опору вже після 60 хвилин відпалу. Після двох годин відпалу, поверхневий опір досяг значень характерних для 30 секундного ШТВ відпалу.
Цей ефект пов’язаний з пересиченням області розподілу As міжвузельними дефектами, що зсуває термодинамічну рівновагу між As, який знаходиться в позиції заміщення і кластерами типу As4V в бік зменшення концентрації кластерів, що містять вакансії.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 



Реферат на тему: Дослідження механізмів дифузії імплантованих домішок в шаруватих структурах на основі кремнію в умовах нерівноважної концентрації точкових дефектів

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок