Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Скачати безкоштовно: Дослідження механізмів дифузії імплантованих домішок в шаруватих структурах на основі кремнію в умовах нерівноважної концентрації точкових дефектів

Дослідження механізмів дифузії імплантованих домішок в шаруватих структурах на основі кремнію в умовах нерівноважної концентрації точкових дефектів / сторінка 7

Назва:
Дослідження механізмів дифузії імплантованих домішок в шаруватих структурах на основі кремнію в умовах нерівноважної концентрації точкових дефектів
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
18,05 KB
Завантажень:
410
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 

В п'ятому розділі дисертації розглянуто вплив ультразвукових обробок на аморфізацію кремнію і дифузію домішок та точкових дефектів в процесі імплантації іонів B+ та Ar+.
УЗ хвилі розповсюджуючись через напівпровідник впливають на генерацію та дисоціацію точкових дефектів і дефектних комплексів. В зв’язку з цим, УЗ обробки твердого тіла під час імплантації домішок виглядає потужним інструментом впливу на дифузійну поведінку системи домішка - точкові дефекти.
Оскільки імплантація домішок викликає велику кількість залишкових дефектів, які впливають на електричні властивості імплантованого шару, то передбачалося, що використання УЗ обробки дасть можливість зменшити порогову дозу аморфізіції, концентрацію дефектів після відпалу аморфного шару та пригнічення процесу прискореної дифузії імплантованої домішки.
Зразки Si(100) 10 омсм імплантувалися іонами Ar+ з енергією 150 кеВ і дозою 41014 см -2 та іонами B+ з енергією 50 кеВ і дозою 11016 см-2. Частина зразків в процесі імплантації розміщувалась на п’єзоелектричних перетворювачах з резонансною частотою від 600 кГц до 7 МГц через спеціальну акусто – зв’язуючу речовину.
Ультразвукові коливання генерувалися в пластині за допомогою перетворювача, що працює в резонансно коливальному режимі.
Для проведення досліджень використано методи спектрометрії зворотного резерфордівського розсіювання іонів (ЗРІ) та ВІМС. Результати свідчать, що для зразків імплантованих аргоном, УЗ обробка суттєво впливає на структуру приповерхневої області моно-кристалічного кремнію.
Без УЗ обробки, поблизу поверхні існує збагачений дефектами шар і під ним прихований аморфний шар. Наявність ультразвукового впливу призводить до формування аморфного шару безпосередньо з поверхні Si. Показано, що ступінь розупорядкування кристалічної фази при УЗ опроміненні призводить до зменшення критичної дози аморфізації кремнію.
Обґрунтовано механізм збільшення товщини аморфного шару при дії УЗ опромінення, який полягає в наступному: в процесі імплантації, коли точкові дефекти знаходяться в збудженому стані, УЗ хвиля впливає на дифузію більш рухомих міжвузлових атомів, які просторово розділяються з вакансіями і не рекомбінують, що і збільшує товщину аморфного шару.
Показано, що ультразвукове опромінення при імплантації іонів бору сприяє зменшенню концентрації точкових дефектів поблизу поверхні до відпалів, і більш ефективно після відпалів.
Відкрито явище пригноблення прискореної дифузії бору імплантованого в кремній при дії ультразвуку.
На рис.5. приведені профілі розподілу бору, імплантованого в кремній, без (крива 1) та при збудженні УЗ коливань. Видно, що відпал кремнієвої структури (900?С, 30 с) імплантованої без УЗ-коливань призводить до зміщення хвостової частини профілю бору (крива 3) вглиб зразка. В той же час, хвостова частина профілю розподілу бору імплантованого при дії ультразвуку залишається незмінною навіть при відпалі (крива 2).
Відомо, що прискорена дифузія бору в Si пов’язана із взаємодією атомів бору з власними міжвузловими атомами кремнію. УЗ обробка стимулює дифузію власних міжвузлових атомів кремнію вглиб кристалу (відбувається сепарація міжвузлових атомів кремнію і вакансій), що перешкоджає формуванню великої кількості {311} дефектів при відпалах. В цьому випадку, в області розподілу іонів бору, немає джерел міжвузлових атомів кремнію, якими є {311} дефекти. Атоми бору рекомбінують з вакансіями, що і призводить до зменшення прискореної дифузії бору.
Висновки
1. Розроблено методику високочастотного розпилення діелектричних матриць для проведення масс-спектрометричного аналізу розподілу домішок в твердих тілах. Проведено аналіз форми кратерів в різних діелектричних матриць залежно від умов розпилення.
Вперше показано, що однорідність розпилення поверхні діелектричних матриць на дні кратера залежить від частоти первинного іонного струму сформованого внаслідок прикладання ВЧ-напруги з прямокутною формою імпульсів між "стінкою" плазми та зразком.
2. Досліджено процеси гетерування введених імплантацією в мультикристалічний кремній нерівноважних рекомбінаційно-активних домішок міді та заліза шаром Al/пор-Si/мк-Si при використанні швидких термічних відпалів.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 



Реферат на тему: Дослідження механізмів дифузії імплантованих домішок в шаруватих структурах на основі кремнію в умовах нерівноважної концентрації точкових дефектів

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок