Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Скачати реферат безкоштовно: Дослідження механізмів дифузії імплантованих домішок в шаруватих структурах на основі кремнію в умовах нерівноважної концентрації точкових дефектів

Дослідження механізмів дифузії імплантованих домішок в шаруватих структурах на основі кремнію в умовах нерівноважної концентрації точкових дефектів / сторінка 8

Назва:
Дослідження механізмів дифузії імплантованих домішок в шаруватих структурах на основі кремнію в умовах нерівноважної концентрації точкових дефектів
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
18,05 KB
Завантажень:
410
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 
Показано, що ефективність гетерування залежить від часу та температури відпалів, структури гетерного шару та характеру розподілу в ньому Al при відпалах. Запропоновано модель гетеруючого ефекту пов’язану з кінетикою преципітації атомів металу та інжекцією точкових дефектів при фотонних відпалах. Вперше виявлено прискорену (аномальну) дифузію домішки заліза в гетерний шар.
3. Встановлено, що точкові дефекти, сформовані при відпалах кремнієвих зразків імплантованих киснем та вуглецем дозволяють модифікувати розподіл та концентрацію As імплантованого в кремній. Велика кількість вакансій утворена в зразках імплантованих вуглецем призводить до стимульованої (прискореної) дифузії As в напрямку максимуму розподілу вуглецю. Міжвузлові атоми кремнію, що формуються внаслідок розростання фази SiOX при відпалах зразків імплантованих киснем, призводять до утворення блокуючого шару, який перешкоджає дифузії арсена.
Показано, що максимальна електроактивація As в Si спостерігається після відпалів при температурах 700-750?С впродовж 30 секунд. Збільшення часу або температури відпалів призводить до деактивації арсену, як в присутності додатково введених домішок, так і без них. При великих дозах імплантованого кисню, залежність електричної активності від часу відпалу при оптимальній температурі має нелінійний характер. Після відпалу впродовж години, поверхневий опір починає зменшуватись. Вже через 2 години такої температурної обробки As/Si структури, величина поверхневого опору характерна для 30 секундного відпалу. Даний факт указує на перспективність використання подібних модифікаційних обробок для збільшення концентрації електроактивного арсену в технології створення надмілких p/n переходів.
4. Вперше показано, що використання УЗ обробки при імплантації іонів бору та аргону призводить до зменшення концентрації дефектів поблизу поверхні кремнію як до так і після відпалів, а також дозволяє зменшити критичну дозу аморфізації кремнію. Вперше знайдено ефект пригнічення прискореної дифузії імплантованого в кремній бору при УЗ опроміненні. Запропоновано модель пригнічення прискореної дифузії бору пов'язану з сепарацію точкових дефектів внаслідок стимульованої ультразвуком дифузії власних міжвузлових атомів Si.
Основні результати опубліковано в таких роботах:
1. Б.М. Романюк, В.Г. Попов, В.П. Мельник, М.І. Клюй, В.І. Горбулик, О.С. Оберемок. Вплив термічних обробок на час життя нерівноважних носіїв заряду в Cz–Si. // Науковий вісник Чернівецького університету. (Фізика. Електроніка.), 2000, випуск 79, с. 25-29.
2. B. Romanjuk, D. Krьger, V. Melnik, V. Popov, Ya. Olikh, V. Soroka, O. Oberemok. Ultrasound effect on radiation damages in boron implanted silicon. // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2000. V. 3, N 1. p.p. 15-18.
3. A.A. Evtukh, V.G. Litovchenko, A.S. Oberemok, V.G. Popov, Yu. V. Rassamakin, B.N. Romanyuk, S.G. Volkov. Investigations of impurity gettering in multicrystalline silicon.// Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2001. Vol. 4, № 4. p.p. 278-282.
4. I.P. Lisovskyy, I.Z. Indutnyy, P.Ye. Shepeliavyi, B.M. Gnennyy, O.S. Oberemok. Densification of SiOx films due to thermal annealing // Abstracts of the 19th Int. Conf. on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors (ICAMS19).- 2001, Aug. 27-31.- Nice, France.- p. 49.
5. O. Oberemok, P. Lytvyn. Borophosphosilicate glass component analysis using secondary neutral mass spectrometry.// Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2002, Vol. 5, № 1. p.p. 101-105.
6. O. Oberemok. HFM sputtering of the BPSG layers in the INA-3 instrument. // International conference INA-Anwendertreffen (Clausthal-Zellerfeld, 20 October 2001 Germany).
7. В.Г Литовченко, О.С. Оберемок, В.Г. Попов, Ю.В. Рассамакін, Б.М. Романюк. Гетерування рекомбінаційно-активних домішок в мультикристалічному кремнії при швидких термічних обробках. // 1-а Українська наукова конференція з фізики напівпровідників УНКФН-1 (з міжнародною участю).

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 



Реферат на тему: Дослідження механізмів дифузії імплантованих домішок в шаруватих структурах на основі кремнію в умовах нерівноважної концентрації точкових дефектів

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок