Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Скачати: Дослідження механізмів дифузії імплантованих домішок в шаруватих структурах на основі кремнію в умовах нерівноважної концентрації точкових дефектів

Дослідження механізмів дифузії імплантованих домішок в шаруватих структурах на основі кремнію в умовах нерівноважної концентрації точкових дефектів

Скачати:* Captcha
* - щоб завантажити роботу, введіть в поле код з картинки і натисніть кнопку "Завантажити"



Назва:
Дослідження механізмів дифузії імплантованих домішок в шаруватих структурах на основі кремнію в умовах нерівноважної концентрації точкових дефектів
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
18,05 KB
Завантажень:
410
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 
Національна академія наук України
Інститут фізики напівпровідників
імені В. Є. Лашкарьова
Оберемок Олександр Степанович
УДК 621.315.592
Дослідження механізмів дифузії імплантованих домішок в шаруватих структурах на основі
кремнію в умовах нерівноважної концентрації
точкових дефектів
01.04.07 – фізика твердого тіла
Автореферат дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Київ – 2005
Дисертацією є рукопис
Роботу виконано в Інституті фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова
Національної Академії наук України
Науковий керівник: доктор фізико-математичних наук, професор,
Романюк Борис Миколайович,
Інститут фізики напівпровідників
ім. В.Є. Лашкарьова НАН України,
провідний науковий співробітник
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук,
Крайчинський Анатолій Миколайович,
Інститут фізики НАН України,
провідний науковий співробітник
кандидат фізико-математичних наук, професор,
Мельник Павло Вікентійович,
Київський національний університет
імені Тараса Шевченка, радіофізичний факультет,
професор кафедри кріогенної і мікроелектроніки
Провідна організація: Чернівецький національний університет імені
Юрія Федьковича, м. Чернівці
Захист дисертації відбудеться 24 травня 2005 р. о 1415 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради K 26.199.01 в Інституті фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України (03028, м. Київ, проспект Науки, 45).
З дисертацією можна ознайомитися в бібліотеці Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України (03028, м. Київ, проспект Науки, 45).
Автореферат розіслано 24 квітня 2005 р.
Учений секретар
спеціалізованої вченої ради K 26.199.01
кандидат фізико-математичних наук О.Б.Охріменко
Загальна характеристика роботи
Актуальність теми. Розвиток сучасної мікроелектроніки відбувається в напрямку постійного підвищення рівня мініатюризації та швидкодії приладів та інтегральних схем. Прогрес в цій області пов’язаний з успіхами в використанні нових матеріалів, технологічних процесів та методів досліджень. Базовими матеріалами мікроелектроніки є шаруваті структури на основі діелектричних, напівпровідникових та металевих плівок. Для модифікації властивостей цих матеріалів часто використовуються іонно-променеві методи, які дають змогу змінювати структуру, провідність, оптичні параметри та інші характеристики твердих тіл за рахунок введення в них різних атомів. Разом з тим, іонна імплантація є суто нерівноважним методом, що пов’язано з генерацією надлишкових точкових дефектів, формуванням аморфних фаз, та перевищенням концентрації імплантованих домішок над рівноважним значенням в широкому інтервалі температур. Все це призводить до складних структурних та фазових перетворень в процесі термічних обробок імплантованих структур. Важливим аспектом в шаруватих твердотільних структурах є наявність границь розділу фаз, де концентруються значні механічні напруження, а також електричні поля, які впливають на перерозподіл домішок в цих областях. Тому, надзвичайно актуальними є дослідження механізмів дифузії домішок, їх кластеризації в шаруватих структурах та точне визначення концентрації після різних технологічних процесів.
Важливим завданням є формування p-n переходів з глибиною залягання ~ 10-40 нанометрів. Це досягається шляхом використання низькоенергетичної імплантації, або імплантації кластерних іонів. При вирішенні проблем формування мілких p/n переходів виникають ускладнюючі фактори пов’язані з сегрегацією легуючих домішок на межі поділу фаз, втрати електричної активності внаслідок кластерізації домішок та їх прискорена дифузія та прискорена дифузія за участі точкових дефектів. Ці проблеми потребують детального вивчення.
Відомо, що домішки важких металів суттєво зменшують час життя неосновних носіїв струму. Це приводить, зокрема, до деградації ефективності сонячних елементів (СЕ). Для зменшення вмісту рекомбінаційно-активних домішок в напівпровідникових пластинах використовують методи гетерування. Гетерний шар, який характеризується високою розчинністю домішок, у більшості випадків наноситься на тильну сторону напівпровідникової пластини.
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 



Реферат на тему: Дослідження механізмів дифузії імплантованих домішок в шаруватих структурах на основі кремнію в умовах нерівноважної концентрації точкових дефектів

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок