Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ОСОБЛИВОСТІ ЕЛЕКТРОННИХ ПРОЦЕСІВ У ZnSe I CdTe ПРИ ГЕТЕРОВАЛЕНТНОМУ ЗАМІЩЕННІ КОМПОНЕНТІВ

ОСОБЛИВОСТІ ЕЛЕКТРОННИХ ПРОЦЕСІВ У ZnSe I CdTe ПРИ ГЕТЕРОВАЛЕНТНОМУ ЗАМІЩЕННІ КОМПОНЕНТІВ

Назва:
ОСОБЛИВОСТІ ЕЛЕКТРОННИХ ПРОЦЕСІВ У ZnSe I CdTe ПРИ ГЕТЕРОВАЛЕНТНОМУ ЗАМІЩЕННІ КОМПОНЕНТІВ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
32,80 KB
Завантажень:
196
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ІНСТИТУТ ФІЗИКИ
ТКАЧУК Петро Миколайович
УДК 621.315.592
ОСОБЛИВОСТІ ЕЛЕКТРОННИХ ПРОЦЕСІВ У ZnSe I CdTe ПРИ ГЕТЕРОВАЛЕНТНОМУ ЗАМІЩЕННІ КОМПОНЕНТІВ
01.04.07-фізика твердого тіла
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
доктора фізико-математичних наук
КИЇВ-2001
Дисертацією є рукопис.
Робота виконана у Чернівецькому національному університеті імені Ю. Федьковича.
Науковий консультант: доктор фізико-математичних наук, професор
Раранський Микола Дмитрович, декан фізичного факультету, завідувач кафедри фізики твердого тіла Чернівецького національного університету імені Ю. Федьковича.
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор
Курик Михайло Васильович, завідувач відділу Інституту фізики НАН України;
доктор фізико-математичних наук, професор
Литовченко Петро Григорович, завідувач відділу НЦ, Інститут ядерних досліджень НАН України;
доктор фізико-математичних наук
Прокопенко Ігор Васильович, завідувач відділу Інституту фізики напівпровідників НАН України.
Провідна установа: Одеський національний університет ім. І.І. Мечникова, м. Одеса.
Захист відбудеться “ 20 ” червня 2001 р. о 1430 год. на засіданні спеціалізованої вченої ради Д26.159.01 в Інституті фізики НАН України за адресою: 03650, МПС, Київ-39, просп. Науки, .
З дисертацією можна ознайомитись в бібліотеці Інституту фізики НАН України за адресою: 03650, МПС, Київ-39, просп. Науки, 46.
Автореферат розісланий “17 “ травня 2001 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Іщук В.А.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Монокристали ZnSe i CdTe, леговані різними домішками, та тверді розчини (ТР) на їх основі добре відомі фахівцям як основні базові об‘єкти для створення напівпровідникових неохолоджуваних детекторів іонізуючого випромінювання. Центральною проблемою при цьому є розвиток наукових основ керування експлуатаційними характеристиками сенсорів рентгенівського та гамма-випромінювання на основі монокристалів ZnSe i CdTe відповідно. Магістральний шлях для вирішення цієї проблеми лежить в науковому обгрунтуванні технологічних аспектів отримання детекторного матеріалу, пов‘язаних зі зміною хімічного або стехіометричного складу кристалів (легування вихідних сполук, вирощування монокристалів ТР заміщення, застосування відпалів тощо). Складний характер протікання електронних процесів в детекторному матеріалі на основі ZnSe i CdTe обумовлюється типовими для сполук AIIBVI явищами: компенсацією дії введеної домішки внаслідок генерування власних дефектів кристалічної гратки сполуки; утворенням складних, маловідомих комплексів за участю легуючих елементів і технологічно неконтрольованих домішок, які є завжди присутніми у вихідних кристалах; появою супутніх точкових дефектів та ін. В плані вирішення вказаної проблеми важливими і актуальними є основні напрямки досліджень дисертаційної роботи:
-
визначення електронної структури кристалів та особливостей електронних процесів за участю підсистем DX(AX)-подібних центрів, які відіграють роль глибоких супутніх дефектів при легуванні сполук AIIBVI мілкими воднеподібними домішками;
-
вивчення електронних властивостей та дефектної структури кристалів при наявності гранично високого (~1021 cм-3) рівня гетеровалентного легування;
-
дослідження домішково-дефектної структури кристалів при наявності гранично низького (1014 см-3) рівня фонових домішок гетеровалентного заміщення.
Наукові аспекти досліджень об‘єднані одним загальним напрямком – визначення ролі в електронних процесах супутніх дефектів при гетеровалентному заміщенні компонентів сполук ZnSe i CdTe з врахуванням зміни симетрії кристалічної гратки навколо домішкового атома, симетрії локальних центрів, рівня легування, комплексоутворення, наявності фонових (технологічно неконт-рольованих) домішок.
Відомі результати теоретичних досліджень центрів гетеровалентного заміщення у сполуках AIIBVI потребують експериментального підтвердження змін електронної структури, адекватних до мікроскопічної моделі перебудови кристалічної гратки навколо домішкового атома; при цьому обгрунтування модельних представлень та визначення механізмів протікання електронних процесів за участю релаксованих станів ускладнюється відсутністю сигналу ЕПР, “замороженої” фотопровідності (ФП) та інших явищ, характерних для напівпровідникових кристалів з DX (AX)-подібними центрами.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20 



Реферат на тему: ОСОБЛИВОСТІ ЕЛЕКТРОННИХ ПРОЦЕСІВ У ZnSe I CdTe ПРИ ГЕТЕРОВАЛЕНТНОМУ ЗАМІЩЕННІ КОМПОНЕНТІВ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок