Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ТЕХНОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ВИРОЩУВАННЯ ЛУЖНОГАЛОЇДНИХ СЦИНТИЛЯЦІЙНИХ МОНОКРИСТАЛІВ ІЗ РОЗПЛАВІВ ЗІ ЗМІННОЮ ГЕОМЕТРІЄЮ ВІЛЬНОЇ ПОВЕРХНІ

ТЕХНОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ВИРОЩУВАННЯ ЛУЖНОГАЛОЇДНИХ СЦИНТИЛЯЦІЙНИХ МОНОКРИСТАЛІВ ІЗ РОЗПЛАВІВ ЗІ ЗМІННОЮ ГЕОМЕТРІЄЮ ВІЛЬНОЇ ПОВЕРХНІ

Назва:
ТЕХНОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ВИРОЩУВАННЯ ЛУЖНОГАЛОЇДНИХ СЦИНТИЛЯЦІЙНИХ МОНОКРИСТАЛІВ ІЗ РОЗПЛАВІВ ЗІ ЗМІННОЮ ГЕОМЕТРІЄЮ ВІЛЬНОЇ ПОВЕРХНІ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
37,00 KB
Завантажень:
52
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21  22 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ІНСТИТУТ МОНОКРИСТАЛІВ
Заславський Борис Григорович
УДК 548. 55: 539.1.074.3
ТЕХНОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ВИРОЩУВАННЯ ЛУЖНОГАЛОЇДНИХ
СЦИНТИЛЯЦІЙНИХ МОНОКРИСТАЛІВ ІЗ РОЗПЛАВІВ ЗІ ЗМІННОЮ ГЕОМЕТРІЄЮ ВІЛЬНОЇ ПОВЕРХНІ
05.02.01 – матеріалознавство
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
доктора технічних наук
Харків – 2005
Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Інституті сцинтиляційних матеріалів НАН України
Науковий консультант:
Офіційні опоненти:
Провідна установа:
Захист відбудеться 18 січня 2006 р. о 14 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 64.169.01 в Інституті монокристалів НАН України.
Адреса: 61001, м.Харків, пр. Леніна, 60.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Інституту монокристалів НАН України за адресою: 61001, м.Харків, пр. Леніна, 60.
Автореферат розісланий 25листопада 2005 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Д 64.169.01
кандидат фіз.-мат. наук ДобротворськаМ.В.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність проблеми. Завдяки вдалому сполученню експлуатаційних і фізичних властивостей при порівняно невисокій вартості сцинтиляційні лужногалоїдні кристали (ЛГК), зокрема, NaI(Tl), CsI(Tl), CsI(Na), CsI займають провідне місце в сучасній техніці детектування іонізуючих випромінювань. Детектори на основі цих кристалів застосовуються практично у всіх галузях науки і техніки, включаючи медичне приладобудування, металургію, геологорозвідку, астрофізику, фізику високих енергій.
До постановки і виконання даної роботи промисловість колишнього СРСР виробляла сцинтиляційні детектори на основі ЛГК із максимальним діаметром кристалів 200 мм. Для вирощування кристалів використовувалась спрямована кристалізація розплаву в кварцових ампулах по Бріджмену-Стокбаргеру. Цей метод має принципові недоліки, які не дозволяють отримувати якісні, досконалі за структурою великогабаритні кристали з однорідним або заданим розподілом активатора. Серед основних недоліків слід відзначити слабке конвективне перемішування розплаву перед фронтом кристалізації, неможливість управління масовою швидкістю росту кристала, та низьку продуктивність. Розвиток новітніх вітчизняних розробок і фундаментальних досліджень в області ядерної фізики стримувався через відсутність великих і якісних сцинтиляторів. Як приклад можна назвати ядерну медичну діагностику, що використовує гама-томографи. Зразки детекторів NaI(Tl) діаметром від 300 до 500 мм і прямокутним перетином розмірами 400 500 мм2, призначені для комплектування перших вітчизняних гама-томографів, закуповувалися за рубежем.
Було відомо, що ряд міжнародних і національних наукових програм з фізики високих енергій передбачають створення великих калориметрів, що містять велику кількість сцинтиляторів CsI(Tl). Основні вимоги, що висовуються до довгомірних сцинтиляторів-модулів CsI(Tl) - висока оптична і сцинтиляційна однорідність при їхньому високому рівні. Ці вимоги неможливо виконати, використовуючи технологію, засновану на методі Стокбаргера.
Дослідження і розробки, виконані в даній роботі, були ініційовані також гострою потребою в детекторах NaI(Tl) великої площі для вітчизняних медичних томографів, виробництво яких починалося на заводі “Орізон” (м. Сміла, Черкаської обл.). Існуючі на той час методи вирощування ЛГК, не в змозі були задовільнити потреби приладобудування в сцинтиляторах ні за якістю, ні за розмірами, ні за продуктивністю.
Таким чином, потреба в розробці основ принципово нових методів, технологій і високопродуктивного устаткування для вирощування сцинтиляційних ЛГК виникла із об'єктивних обставин подальшого розвитку сучасного приладобудування, зокрема його напрямку, заснованого на використанні властивостей іонізуючого випромінювання. Виконані в даній роботі дослідження і розробки дозволили не тільки забезпечити потребу приладобудівних підприємств України у високоякісних детекторах, а і запропонувати наукомістку і конкурентоздатну продукцію на світовому ринку.
Зв'язок роботи з науковими програмами. Дослідження виконувались в Інституті монокристалів НАН України, а з 2003 р.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21  22 



Реферат на тему: ТЕХНОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ВИРОЩУВАННЯ ЛУЖНОГАЛОЇДНИХ СЦИНТИЛЯЦІЙНИХ МОНОКРИСТАЛІВ ІЗ РОЗПЛАВІВ ЗІ ЗМІННОЮ ГЕОМЕТРІЄЮ ВІЛЬНОЇ ПОВЕРХНІ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок