Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Перехідні теплові процеси у напівпровідниках

Перехідні теплові процеси у напівпровідниках

Назва:
Перехідні теплові процеси у напівпровідниках
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
16,22 KB
Завантажень:
434
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 
Волинський державний університет
імені Лесі Українки
Дрогобицький
Юрій Володимирович
УДК 621. 315.592
Перехідні теплові процеси у напівпровідниках
01.04.10 — фізика напівпровідників та діелектриків
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Луцьк — 2005
Дисертацією є рукопис.
Робота виконана на кафедрі фізики та методики викладання фізики Тернопільського національного педагогічного університету імені Володимира Гнатюка.
Науковий керівник: доктор фізико-математичних наук, професор
ЛОГВІНОВ Георгій Миколайович,
Національний політехнічний інститут Мексики, професор департаменту механіки та електрики,
м. Мехіко.
Офіційні опоненти: доктор технічних наук, професор
АЩЕУЛОВ Анатолій Анатолієвич,
Інститут термоелектрики НАН МОН України,
головний науковий співробітник інституту,
м. Чернівці
доктор фізико-математичних наук, професор
ДІДУХ Леонід Дмитрович,
Тернопільський державний технічний університет імені Івана Пулюя,
завідувач кафедри фізики,
м. Тернопіль.
Провідна установа: Харківський національний університет імені
В.Н. Каразіна, м. Харків.
Захист відбудеться 30.11.2005 року о 1400 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради К32.051.01 у Волинському державному університеті імені Лесі Українки за адресою: 43025, м. Луцьк, вул. Потапова, 9, ауд. 101.
З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці Волинського державного університету імені Лесі Українки за адресою: 43025, м. Луцьк, вул. Винниченка, 30.
Автореферат розіслано 27.10.2005 року.
Учений секретар спеціалізованої вченої ради В.В. Божко.


Загальна характеристика роботи
Актуальність теми. Взаємодія випромінювання із речовиною є однією із областей фізики твердого тіла, що активно розвивається в наші дні. Найбільші її успіхи в останні роки пов’язані з прогресом у технології лазерів та методиками, що використовуються при збуджені електронних рівнів короткими і надкороткими лазерними імпульснами. Досягнення глибоких рівнів фотозбудження та розвиток лазерної спектроскопії з високим ступенем часового розділення дозволяє більш глибоко зрозуміти нерівноважні процеси в підсистемах квазічастинок твердого тіла, вивчити особливості їх розігріву, виявити деталі релаксаційних процесів в масивних та тонкоплівкових матеріалах, встановити закономірності швидкої та надшвидкої динаміки квазічастинок. Результати дослідження в цій області складають базу для створення різноманітних швидкодіючих мікроелектронних приладів.
Незважаючи на наявність достатньо великої кількості публікацій, присвячених даним питанням, на сьогоднішній день існує ряд проблем, які або на висвітлені в літературі, або потребують свого подальшого розвитку. В першу чергу мова йде про особливості перехідних теплових процесів, що збуджуються лазерними імпульсами довільної тривалості, в підсистемах взаємодіючих частинок у напівпровідниках. В найпростішому випадку монополярного напівпровідника, наприклад n-типу, мова йде про підсистеми електронів та фононів.
Поглинання світлового імпульсу відбувається в електронній підсистемі, в результаті якого в кінцевому випадку виникає тепловий перехідний процес, що складається з активного по часу інтервалу (час дії імпульсу) і релаксаційного інтервалу (час після завершення дії імпульсу). Наявність енергетичної електрон-фононної взаємодії призводить до появи перехідного процесу і у фононній підсистемі. В загальному випадку електронний і фононний теплові процеси характеризуються своїми різними перехідними температурами, які формуються під впливом багатьох факторів, таких як амплітуда і тривалість лазерного імпульсу, величин коефіцієнтів електронної та фононної теплопровідності та температуропровідності, поверхневих теплових параметрів, коефіцієнта поглинання світла і т.д. Детектування електронної та фононної температур тим чи іншим способом дозволяє в принципі отримати інформацію про ці важливі параметри.
Врахування всіх цих обставин в рамках єдиного дослідження і приводить до актуальності побудови теорії теплових процесів в напівпровідниках.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 



Реферат на тему: Перехідні теплові процеси у напівпровідниках

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок