Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Динамічна модель фізичних процесів у польових транзисторах із затвором Шоттки субмікронних розмірів

Динамічна модель фізичних процесів у польових транзисторах із затвором Шоттки субмікронних розмірів

Назва:
Динамічна модель фізичних процесів у польових транзисторах із затвором Шоттки субмікронних розмірів
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
16,81 KB
Завантажень:
364
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 
ХАРКІВСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ
ім. В.Н.КАРАЗІНА
ЗУЄВ Сергій Олександрович
УДК 621.382.323
Динамічна модель фізичних процесів у польових транзисторах із затвором Шоттки субмікронних розмірів
01.04.01 – фізика приладів, елементів і систем
А В Т О Р Е Ф Е Р А Т
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Харків – 2003
Дисертацією є рукопис.
Робота виконана в Таврійському національному університеті ім. В.І. Вернадського Міністерства освіти і науки України
Науковий керівник: кандидат технічних наук, доцент Шадрін Анатолій Олександрович, Таврійський національний університет ім. В.І. Вернадського, доцент кафедри радіофізики
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор Прохоров Едуард Дмитрович, Харківський національний університет ім.В.Н.Каразіна, завідувач кафедри напівпровідникової і вакуумної електроніки доктор фізико-математичних наук, доцент Воробйов Геннадій Савелійович, Сумський державний університет, професор кафедри фізичної електроніки
Провідна установа: Інститут радіофізики та електроніки ім.О.Я.Усикова НАН України, відділ твердотільної електроніки, м.Харків
Захист відбудеться 14.02.2003 р. о 13-30 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д64.051.02 Харківського національного університету ім. В.Н. Каразіна за адресою: 61077, м.Харків, пл.Свободи, 4, ауд. 3-9.
З дисертацією можна ознайомитись у Центральній науковій бібліотеці Харківського національного університету ім. В.Н. Каразіна за адресою: 61077, м.Харків, пл.Свободи, 4.
Автореферат розісланий 10.01.2003 р
Вчений секретар спеціалізованої вченої ради Ляховський А.Ф.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. У зв'язку з розширенням елементної бази пристроїв та систем, що працюють на частотах до сотень ГГц і вище, приладів, заснованих на балістичних ефектах, набула особливої значимості задача створення фізичних і математичних моделей, які адекватно описують швидкоплинні процеси, що відбуваються в напівпровідникових приладах (НПП) субмікронних розмірів. Такі прилади існують, але у процесі їхнього створення використовуються частіше якісні оцінки, чим чисельні моделі.
Для опису процесів у приладах субмікронних розмірів можна використовувати класичні методи моделювання, доповнивши їх статистично усередненими за ансамблем виправленнями, одержаними із співвідношень квантової механіки. Одним з важливих завдань є перенесення існуючих методів кількісного опису процесів у НПП на прилади субміліметрового діапазону.
Моделі польових транзисторів із затвором Шоттки (ПТШ) існують, також є роботи, присвячені процесам, що протікають у бар'єрі Шоттки, однак для приладів субмікронних розмірів питання дослідження ПТШ і електронних процесів, які протікають у ньому, вимагають подальшого вивчення. Проведений аналіз літератури показав, що моделі, які використовуються в даний час мають ряд безперечних недоліків. Вони не дають можливості проводити комплексне дослідження впливу конструктивних і режимних параметрів на підсилювальні, частотні та шумові характеристики транзистора з урахуванням специфіки надмалих розмірів та надвисоких частот, коли динаміка процесів у приладі розвивається за час, порівнянний з часом вільного прольоту носіїв. Моделі ПТШ, що існують, незадовільно описують фізичні процесі, які протікають у приладі в умовах неномінального режиму роботи та здатні приводити до деградації в структурах приладу або його катастрофічному відмовленню.
Таким чином, задача створення моделі для комплексного дослідження фізичних процесів у напівпровідникових структурах (НПС) субмікронних розмірів, на контактах метал-напівпровідник та в НПП, з можливістю опису як руху носіїв без зіткнень, так і процесів розсіяння, дослідження впливу геометричних параметрів на електрофізичні властивості напівпровідникового середовища, інтегральні та диференціальні характеристики приладу є актуальною.
Розроблена модель дозволяє: дати рекомендації з вибору параметрів матеріалу при конструюванні НПП на гарячих електронах, оцінити межу балістичного ефекту в НПС, досліджувати вплив процесів розсіяння, геометричних та режимних параметрів на характеристики вже готових НПП.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 



Реферат на тему: Динамічна модель фізичних процесів у польових транзисторах із затвором Шоттки субмікронних розмірів

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок