Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ФІЗИКО-ТЕХНОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ОДЕРЖАННЯ AIIBVI сцинтиляторів, їхні властивості й особливості застосування

ФІЗИКО-ТЕХНОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ОДЕРЖАННЯ AIIBVI сцинтиляторів, їхні властивості й особливості застосування

Назва:
ФІЗИКО-ТЕХНОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ОДЕРЖАННЯ AIIBVI сцинтиляторів, їхні властивості й особливості застосування
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
39,51 KB
Завантажень:
92
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21  22  23  24 
Національна Академія наук України
Інститут монокристалів
Старжинський Микола Григорович
УДК 621.387.46:546.47’23’24’21
ФІЗИКО-ТЕХНОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ОДЕРЖАННЯ AIIBVI сцинтиляторів, їхні властивості й особливості застосування
05.02.01 – матеріалознавство
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
доктора технічних наук
Харків – 2006


Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Інституті сцинтиляційних матеріалів НАН України
Науковий консультант: доктор фізико-математичних наук, професор
Рижиков Володимир Діомидович,
Інститут сцинтиляційних матеріалів
НАН України,
завідувач відділення радіаційного приладобудування
Офіційні опоненти: доктор технічних наук, професор
Борщов Вячеслав Миколайович,
Науково-дослідний інститут технологічного приладобудування,
заступник директора по науковій роботі
доктор фізико-математичних наук, професор
Рогачова Олена Іванівна,
Національний технічний університет
„Харківський політехнічний інститут”,
професор кафедри теоретичної та експериментальної фізики
доктор фізико-математичних наук, професор
Волошиновський Анатолій Степанович,
Львівський національний університет ім. І. Франка,
завідувач кафедри експериментальної фізики
Провідна установа: Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля
НАН України, відділ кінетики кристалізації монокристалів алмазу та кубічного нітриду бора при надвисокому тиску, м. Київ
Захист відбудеться “   ” липня 2006 р. о 14 годині на засіданні спеці-алізованої вченої ради Д 64.169.01 в Інституті монокристалів НАН України
Адреса: 61001, м. Харків, пр. Леніна, 60.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Інституту монокристалів НАН України за адресою: 61001, м. Харків, пр. Леніна, 60.
Автореферат розісланий “ 31 ” травня 2006 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Д 64.169.01
кандидат фіз.-мат. наук Добротворська М.В.


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. На цей час відомо дуже багато матеріалів, що випромінюють під впливом іонізуючих потоків, але тільки мала частина з таких матеріалів має властивості, що дозволяють віднести їх до сцинтиляторів. З іншого боку, відомо, що немає ідеальних сцинтиляторів, що підходять для вирішення всіх проблем радіаційної фізики, медицини й техніки, і для кожної специфічної області є необхідним пошук застосування сцинтиляторів з потрібними характеристиками, причому серед основних властивостей є високі світловий вихід і радіаційна стійкість.
Стрімкий розвиток таких областей радіаційного приладобудування, як рентгенівська медична й технічна томографія (як і рентгенівська інтроскопія в цілому, включаючи системи контролю незаконного переміщення багажу й антитерористичної спрямованості), спектрометрія, дозиметрія потужних потоків іонізуючих випромінювань та ін., потребує сцинтиляційні матеріали, що мають комплекс відповідних оптимальних властивостей: високий світловихід, швидкодію й практично відсутнє післясвітіння через 10-20 мс; температурна й радіаційна стабільність вихідних параметрів; їхній спектр випромінювання повинен бути зміщений у "червону" область (для кращого спектрального узгодження з сучасними фотоприймачами, наприклад, фотодіодами (ФД)); не бажано, щоб вони були гігроскопічними. Проте, одні із кращих сцинтиляторів, такі як NaI(Tl), CsI(Tl) мають низьку радіаційну стійкість (яка фактично не перевищує 104 рад) і високий рівень післясвітіння (до декількох відсотків після 20 мс); крім того, вони не водостійкі, що викликає додаткові труднощі їхнього використання в умовах з високою вологістю. Оксидні кристали типу CdWO4, PbWO4, Bi4Ge3O12, Gd2SiO5 мають низьку конверсійну ефективність. Тому питання створення нових високоефективних сцинтиляторів, вивчення їхніх властивостей та розробка технології їхнього виготовлення, безсумнівно, важливі для багатьох традиційних та нових областей, де застосовуються сцинтиляційні матеріали.
Одним з багатообіцяючих шляхів у цьому напрямку є використання ізовалентно легованих кристалів АIIВVI, що складаються з елементів другої (Zn, Cd, Hg) та шостої (O, S, Se, Te) груп періодичної системи елементів.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21  22  23  24 



Реферат на тему: ФІЗИКО-ТЕХНОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ОДЕРЖАННЯ AIIBVI сцинтиляторів, їхні властивості й особливості застосування

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок