Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ФІЗИЧНІ ОСНОВИ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ ПРИЛАДІВ ЕКСТРЕМАЛЬНОЇ ЕЛЕКТРОНІКИ

ФІЗИЧНІ ОСНОВИ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ ПРИЛАДІВ ЕКСТРЕМАЛЬНОЇ ЕЛЕКТРОНІКИ

Назва:
ФІЗИЧНІ ОСНОВИ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ ПРИЛАДІВ ЕКСТРЕМАЛЬНОЇ ЕЛЕКТРОНІКИ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
34,22 KB
Завантажень:
233
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21 
ІНСТИТУТ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ імені В.Є. Лашкарьова
НАЦІОНАЛЬНОЇ АКАДЕМІЇ НАУК УКРАЇНИ
Шварц ЮРІЙ МИХАЙЛОВИЧ
УДК 621.382
ФІЗИЧНІ ОСНОВИ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ
ПРИЛАДІВ ЕКСТРЕМАЛЬНОЇ ЕЛЕКТРОНІКИ
01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
доктора фізико-математичних наук
Київ – 2004
Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Інституті фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова
НАН України
Науковий консультант:
доктор технічних наук, професор, академік НАН України
Свєчніков Сергій Васильович,
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України,
почесний директор інституту, завідувач відділу
Офіційні опоненти:
доктор фізико-математичних наук, професор, член-кореспондент НАН України
Лисенко Володимир Сергійович,
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України,
завідувач відділу;
доктор фізико-математичних наук, професор, академік АПН України
Третяк Олег Васильович,
Київський національний університет імені Тараса Шевченка,
Перший проректор університету, завідувач кафедри;
доктор фізико-математичних наук, професор,
Литовченко Петро Григорович,
Інститут ядерних досліджень НАН України, завідувач відділу
Провідна установа: Одеський національний університет імені І. І. Мечникова,
кафедра експериментальної фізики
Захист відбудеться 24 грудня 2004 р. о 14 год.15 хв. на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 26.199.02 при Інституті фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
за адресою: проспект Науки, 45, Київ, 03028
З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці Інституту фізики напівпровідників
імені В.Є. Лашкарьова НАН України за адресою: проспект Науки, 45, Київ, 03028
Автореферат розісланий “27” жовтня 2004 р.
Вчений секретар спеціалізованої вченої ради
доктор фізико-математичних наук, професор Іщенко С.С.


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Тенденції і перспективи розвитку нових галузей науки і техніки: космічної і ракетної техніки, кріоенергетики, термоядерної і атомної енергетики, фізики і техніки низьких температур, - обумовили значний інтерес до створення напівпровідникових приладів, призначених для роботи в діапазоні низьких/високих температур, при впливі термічних ударів, механічних напружень і ударних навантажень, вібрації, радіаційних випромінювань, магнітних полів тощо. Ці умови визначають роботу напівпровідникових приладів екстремальної електроніки.
Чутливими елементами (ЧЕ) більшості напівпровідникових приладів промислового призначення є р-n-переходи, гетеропереходи і тонкі плівки. Висока чутливість до впливу зовнішніх факторів (ВЗФ) не дозволяє застосовувати такі прилади в екстремальній електроніці.
За даними Першої міжнародної конференції по екстремальній електроніці (NASA/JPL Conference on Electronics for Extreme Environments, Pasadena, USA, 1999) і європейських конференцій (Eurosensors, XIII-XVII, 1998-2003) структури на основі Si, GaAs і Ge є елементною базою сучасної напівпровідникової мікроелектроніки і викликають найбільший інтерес для створення приладів, здатних надійно функціонувати в умовах ВЗФ. Стабільність напівпровідникових приладів визначається кристалічною структурою, дефектністю, рівнем, концентрацією і ступенем компенсації легуючих домішок, електрофізичними і теплофізичними властивостями, конструктивними і технологічними особливостями ЧЕ, а також залежить від фізичних принципів їх роботи. Недостатність уявлень про фізичні процеси, що протікають у ЧЕ приладів в умовах впливу факторів екстремальної електроніки, обмежує області їх застосування і перешкоджає розробці нових типів приладів.
В даний час відсутні промислові технології виготовлення приладів і сенсорів на основі плівок Ge, гетероструктур типу Ge-GaAs і кремнієвих структур з pn-переходами для застосування в умовах впливу високих (до 500 К) і низьких (до 4.2 К) температур, деформацій (до 10-3 відн. од.), магнітних полів (до 10 Тл), радіації (до 10 Mрад), термічних ударів та їх комбінованого впливу. Проблема створення нових типів напівпровідникових приладів з поліпшеними характеристиками, що задовольняють вимогам екстремальної електроніки, є актуальною і відкриває нові можливості в розвитку сучасної сенсорної мікроелектроніки.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21 



Реферат на тему: ФІЗИЧНІ ОСНОВИ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ ПРИЛАДІВ ЕКСТРЕМАЛЬНОЇ ЕЛЕКТРОНІКИ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок