Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Багатокомпонентні напівпровідникові тверді розчини АIIВVI та фотоприймачі на їхній основі

Багатокомпонентні напівпровідникові тверді розчини АIIВVI та фотоприймачі на їхній основі

Назва:
Багатокомпонентні напівпровідникові тверді розчини АIIВVI та фотоприймачі на їхній основі
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
33,74 KB
Завантажень:
258
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21 
Чернівецький національний університет
імені Юрія Федьковича
ОСТАПОВ
Сергій Едуардович
УДК 621.315.592
Багатокомпонентні напівпровідникові тверді розчини АIIВVI та фотоприймачі на їхній основі
01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
доктора фізико-математичних наук
Чернівці – 2007
Дисертацією є рукопис.
Робота виконана на кафедрі фізики напівпровідників та наноструктур
Чернівецького національного університету імені Юрія Федьковича,
Міністерство освіти і науки України
Науковий доктор фізико-математичних наук, професор
консультант: РАРЕНКО Іларій Михайлович, Чернівецький націо-нальний університет імені Юрія Федьковича, професор кафедри фізики напівпровідників та наноструктур.
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор
БЄЛЯЄВ Олександр Євгенович, Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України, заступник директора;
доктор фізико-математичних наук, професор
БЕРЧЕНКО Микола Миколайович, Національний університет “Львівська політехніка”, професор кафедри напівпровідникової електроніки;
доктор фізико-математичних наук, старший науковий співробітник
СЛИНЬКО Євген Іларіонович, Чернівецьке відділення Інституту проблем матеріалознавства імені І.М.Францевича НАН України, завідувач відділом вузькощілинних напівпровідників.
Провідна установа: Львівський національний університет імені Івана Франка.
Захист відбудеться “ 25 ” травня 2007 р. о 17 год. на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 76.051.01 при Чернівецькому національному університеті імені Юрія Федьковича за адресою:58012, м.Чернівці, вул. Коцюбинського, 2.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Чернівецького національного університету імені Юрія Федьковича (вул. Лесі Українки, 23).
Автореферат розісланий “23” квітня 2007 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Курганецький М.В.


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Напівпровідникова електроніка і, зокрема, фотоелектроніка визначають сьогодні рівень розвитку науки і техніки. Розвиток цих областей діяльності людства завжди йшов шляхом розробки і широкого впровадження найновіших технологій напівпровідникового приладобудування та використання принципово нових фізичних ефектів у твердих тілах. Це вимагає постійного пошуку нових напівпровідникових матеріалів з кращими параметрами та розробки методів цілеспрямованого впливу на їх фізичні властивості.
Найважливішою складовою частиною такого напрямку розвитку є вдосконалення існуючої елементної бази з метою досягнення максимальних робочих параметрів або зменшення розмірів дискретних елементів. З цієї точки зору вдосконалення елементної бази приймачів інфрачервоного (ІЧ) випромінювання є основою підвищення технічного рівня існуючих та створення нових ІЧ пристроїв. Найширше застосування для виробництва фотоприймачів ІЧ випромінювання знайшли вузькощілинні напівпровідникові тверді розчини AIIBVI [1*-6*]. Причина такої популярності ? в унікальних фізичних властивостях цих матеріалів, що відкрили перед ними шлях до широкого практичного застосування. Серед таких властивостей – пряма заборонена зона, висока рухливість носіїв заряду і, відповідно, чутливість до електромагнітного випромінювання у важливому для теплобачення діапазоні ІЧ спектра =1-30 мкм [3*-6*]. У ряду таких напівпровідників найширшого використання набув Hg1-xCdxTe – псевдобінарний твердий розчин, ширина забороненої зони в якому монотонно збільшується зі зростанням вмісту CdTe: від Eg=-0.261 еВ (Т=77К) для HgTe до Eg=1.49 еВ (Т=300 К) для CdTe [1*-3*,6*]. Для одержання максимальної фоточутливості у важливих діапазонах ІЧ спектру =3-5 мкм та =8-14 мкм треба охолоджувати ці фотоприймачі до температури рідкого азоту (77K). За однакових робочих температур і теоретичної межі виявної здатності технологічно зручнішими є фотоприймачі на p-n-переходах, тобто фотодіоди. Вони мініатюрніші, оскільки для їх створення використовуються, крім об’ємних матеріалів, епітаксійні шари; спільний електрод дозволяє простіше комутувати багатоелементні лінійки і матриці з мультиплексорами для накопичення та обробки сигналу.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21 



Реферат на тему: Багатокомпонентні напівпровідникові тверді розчини АIIВVI та фотоприймачі на їхній основі

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок