Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> СПЕКТРОСКОПІЯ ЕЛЕМЕНТАРНИХ ЗБУДЖЕНЬ В ОБ’ЄМНИХ КРИСТАЛАХ І НАНОЧАСТИНКАХ ПРЯМОЗОННИХ НАПІВПРОВІДНИКІВ

СПЕКТРОСКОПІЯ ЕЛЕМЕНТАРНИХ ЗБУДЖЕНЬ В ОБ’ЄМНИХ КРИСТАЛАХ І НАНОЧАСТИНКАХ ПРЯМОЗОННИХ НАПІВПРОВІДНИКІВ

Назва:
СПЕКТРОСКОПІЯ ЕЛЕМЕНТАРНИХ ЗБУДЖЕНЬ В ОБ’ЄМНИХ КРИСТАЛАХ І НАНОЧАСТИНКАХ ПРЯМОЗОННИХ НАПІВПРОВІДНИКІВ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
35,03 KB
Завантажень:
389
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21 
КИЇВСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ
ІМЕНІ ТАРАСА ШЕВЧЕНКА
ДМИТРУК ІГОР МИКОЛАЙОВИЧ
УДК 535.34; 535.37
СПЕКТРОСКОПІЯ ЕЛЕМЕНТАРНИХ ЗБУДЖЕНЬ
В ОБ’ЄМНИХ КРИСТАЛАХ І НАНОЧАСТИНКАХ
ПРЯМОЗОННИХ НАПІВПРОВІДНИКІВ
01.04.05 – оптика, лазерна фізика
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
доктора фізико–математичних наук
КИЇВ – 2004
Дисертацією є рукопис.
Робота виконана на кафедрі експериментальної фізики фізичного факультету Київського національного університету імені Тараса Шевченка
Науковий консультант:
доктор фізико-математичних наук, професор, академік НАН України
Горбань Іван Степанович,
Київський національний університет імені Тараса Шевченка,
професор кафедри експериментальної фізики
Офіційні опоненти:
доктор фізико-математичних наук, професор, академік НАН України
Бродин Михайло Семенович,
Інститут фізики НАН України, директор
доктор фізико-математичних наук,
Гречко Леонід Григорович,
Інститут хімії поверхні НАН України, провідний науковий співробітник
доктор фізико-математичних наук, старший науковий співробітник
Лозовський Валерій Зіновійович,
Київський національний університет імені Тараса Шевченка,
професор кафедри напівпровідникової електроніки
Провідна установа: Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, м. Київ
Захист відбудеться “ 28 ” лютого 2005 р. о 14.30 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 26.001.23 при Київському національному університеті імені Тараса Шевченка за адресою: 03680, Київ, просп. Академіка Глушкова, 2, корп. 1, фізичний факультет, ауд. 200
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Київського національного університету імені Тараса Шевченка за адресою: 01033, Київ, вул. Володимирська, 58
Автореферат розісланий “ 27 ” січня 2005 р.
Вчений секретар спеціалізованої вченої ради
доктор фізико-математичних наук, професор Л.В.Поперенко
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Розвиток сучасної оптики, фотоніки та фізики твердого тіла іде в напрямках дослідження взаємодії світла з речовиною в екстремальних умовах високих інтенсивностей, коротких часових інтервалів, низьких температур, з одного боку, а також використання нових матеріалів з унікальними властивостями, наприклад, наноструктурних матеріалів, розміри складових частин яких настільки малі, що вони складаються із зліченної кількості атомів, з іншого боку. І хоча прогрес в цих галузях за останні кілька років надзвичайно великий і продовжується зараз зростаючими темпами, все ж багато питань ще чекають свого розв’язання. Серед них є питання, давно розглянуті теоретиками, зокрема існування збуджених станів екситонної молекули, можливість випромінювання квантово-пов’язаних пар фотонів при анігіляції біекситона, поява нелінійних членів у формулі для діелектричної сприйнятливості при високих інтенсивностях. Але експериментально ці проблеми ще не розв’язані, або вивчені лише частково. Так, існування коливальних та обертальних збуджених станів екситонної молекули було передбачене теоретично більше двох десятиріч тому [*1, 2], але серед експериментальних робіт лише одна [*3] містить достовірні дані, та й ті отримані непрямим методом.
Інтерес до екситонної молекули (яку ще часто називають біекситоном) у спектроскопії напівпровідників є зовсім не випадковим. Вона являє собою зв’язаний стан двох екситонів Ваньє-Мотта – аналог молекули водню – і спостерігається, як правило, при збільшенні концентрації екситонів. Але в той же час біекситон є також елементарним збудженням кристала, так само, як екситон або фонон, і бере участь в багатьох фізичних процесах, особливо в тих, що пов’язані із взаємодією з електромагнітним випромінюванням. Зокрема, біекситони можуть народжуватись в результаті прямого оптичного переходу із основного стану кристала (двофотонний перехід) або з проміжного екситонного рівня (однофотонний перехід). Беруть участь вони і у зворотних випромінювальних переходах. Але якщо раніше біекситон був дещо екзотичним об’єктом досліджень, що мали переважно фундаментальний характер, то зараз ставлення до нього як до “повноправного” елементарного збудження стає все більш актуальним через розширення в бік високих потужностей діапазону, в якому проводяться дослідження і працюють новітні оптоелектронні прилади.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21 



Реферат на тему: СПЕКТРОСКОПІЯ ЕЛЕМЕНТАРНИХ ЗБУДЖЕНЬ В ОБ’ЄМНИХ КРИСТАЛАХ І НАНОЧАСТИНКАХ ПРЯМОЗОННИХ НАПІВПРОВІДНИКІВ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок