Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ФОРМУВАННЯ АКЦЕПТОРНОЇ ЗОНИ ДЕФЕКТАМИ І ДОМІШКАМИ В КРИСТАЛАХ ВУЗЬКОЩІЛИННОГО p-Hg1-xCdxTe

ФОРМУВАННЯ АКЦЕПТОРНОЇ ЗОНИ ДЕФЕКТАМИ І ДОМІШКАМИ В КРИСТАЛАХ ВУЗЬКОЩІЛИННОГО p-Hg1-xCdxTe

Назва:
ФОРМУВАННЯ АКЦЕПТОРНОЇ ЗОНИ ДЕФЕКТАМИ І ДОМІШКАМИ В КРИСТАЛАХ ВУЗЬКОЩІЛИННОГО p-Hg1-xCdxTe
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
38,64 KB
Завантажень:
403
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21  22  23 
ІНСТИТУТ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
БОГОБОЯЩИЙ ВІКТОР ВОЛОДИМИРОВИЧ
УДК 621.315.592
ФОРМУВАННЯ АКЦЕПТОРНОЇ ЗОНИ ДЕФЕКТАМИ І ДОМІШКАМИ В КРИСТАЛАХ ВУЗЬКОЩІЛИННОГО p-Hg1-xCdxTe
01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
доктора фізико-математичних наук
Київ – 2002
Робота виконана у Кременчуцькому державному політехнічному університеті Міністерства освіти і науки України
Науковий консультант:
доктор фізико-математичних наук, професор, член-кореспондент НАН України
Сизов Федір Федорович
Інститут фізики напівпровідників НАН України, завідувач відділу фізики і технології низьковимірних систем.
Офіційні опоненти:
доктор фізико-математичних наук, старший науковий співробітник
Власенко Олександр Іванович
Інститут фізики напівпровідників НАН України, завідувач відділу дефектоутворення і нерівноважних процесів у складних напівпровідниках;
доктор фізико-математичних наук, професор
Данильченко Борис Олександрович
Інститут фізики НАН України, завідувач відділу фізики радіаційних процесів;
доктор фізико-математичних наук, професор
Лашкарьов Георгій Вадимович
Інститут проблем матеріалознавства НАН України, завідувач відділу матеріалів функціональної електроніки та кріогенних досліджень.
Провідна установа:
Чернівецький національний університет ім. Юрія Федьковича, кафедра мікроелектроніки, м. Чернівці.
Захист відбудеться 19 квітня р. о 1415 на засіданні спеціалізованої вченої ради Д .199.02 при Інституті фізики напівпровідників НАН України за адресою: 03028, м. Київ, проспект Науки, 45.
З дисертацією можна ознайомитись у науковій бібліотеці Інституту фізики напівпровідників НАН України за адресою: 03028, м. Київ, проспект Науки, 45.
Автореферат розісланий 14 березня р.
Вчений секретар спеціалізованої вченої ради
доктор фізико-математичних наук Іщенко С.С.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Напівпровідникові тверді розчини Hg1-xCdxTe широко використовуються в тепловізійних системах високої чутливості як базовий матеріал для створення детекторів випромінювання. Серед них найбільшого поширення здобули вузькощілинні розчини Hg ,8Cd ,2Te, максимум власної фоточутливості яких відповідає вікну прозорості атмосфери 8…14 мкм, та Hg ,7Cd ,3Te, чутливий у спектральному діапазоні 3…5 мкм. Фундаментальні дослідження показують, що Hg1-xCdxTe теоретично є оптимальним матеріалом для створення таких детекторів: попри складнощі технології й високу вартість виробництва Hg1-xCdxTe та приладів на його основі, а також викликані ними активні пошуки альтернативних матеріалів, цей напівпровідник досі забезпечує рекордні характеристики приймальних елементів. Це викликає необхідність подальшого вдосконалення технології одержання та обробки Hg1-xCdxTe і, відповідно, продовження досліджень електронних та атомних процесів у ньому.
Особливий інтерес у цьому плані викликає Hg1-xCdxTe p-типу, детектори на основі якого мають більш високу виявну здатність, вольт-ватну чутливість і швидкодію порівняно з фоторезисторами на основі n-Hg1-xCdxTe і, крім того, забезпечують можливість створення багатоелементних матричних приймачів, а тому є більш перспективними. На відміну від інших напівпровідників, для отримання p-Hg1-xCdxTe широко користуються його здатністю утворювати власні електрично активні центри – вакансії ртуті, кількість яких може сягати 1018 см-3. З цієї причини дослідження впливу власних точкових дефектів і домішок на енергетичний спектр електронів і дірок у Hg1-xCdxTe, особливостей будови сформованої ними акцепторної зони та їх прояву в низькотемпературних електрофізичних явищах, а також дослідження самого дефектоутворення та розвитку методів його контролю стає тут особливо важливим.
Дослідженню властивостей Hg1-xCdxTe і методів керування ними присвячено багато оригінальних робіт та оглядів. Проте у більшості випадків мова йде про кристали n-типу, оскільки саме цей матеріал довгий час складав основу для виготовлення детекторів.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21  22  23 



Реферат на тему: ФОРМУВАННЯ АКЦЕПТОРНОЇ ЗОНИ ДЕФЕКТАМИ І ДОМІШКАМИ В КРИСТАЛАХ ВУЗЬКОЩІЛИННОГО p-Hg1-xCdxTe

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок