Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> КЕРУВАННЯ УМОВАМИ ГЕТЕРОЕПІТАКСІЙНОГО РОСТУ З РІДКОЇ ФАЗИ У НЕІЗОПЕРІОДНІЙ СИСТЕМІ GaSb/InAs

КЕРУВАННЯ УМОВАМИ ГЕТЕРОЕПІТАКСІЙНОГО РОСТУ З РІДКОЇ ФАЗИ У НЕІЗОПЕРІОДНІЙ СИСТЕМІ GaSb/InAs

Назва:
КЕРУВАННЯ УМОВАМИ ГЕТЕРОЕПІТАКСІЙНОГО РОСТУ З РІДКОЇ ФАЗИ У НЕІЗОПЕРІОДНІЙ СИСТЕМІ GaSb/InAs
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
20,14 KB
Завантажень:
344
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ІНСТИТУТ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ
ім. В.Є. ЛАШКАРЬОВА
Баганов Євген Олександрович
УДК 539.23:532.785
КЕРУВАННЯ УМОВАМИ ГЕТЕРОЕПІТАКСІЙНОГО РОСТУ З РІДКОЇ ФАЗИ У НЕІЗОПЕРІОДНІЙ СИСТЕМІ GaSb/InAs
05.27.06 – технологія, обладнання
та виробництво електронної техніки
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата технічних наук
Київ – 2007


Дисертацією є рукопис.
Робота виконана в Херсонському національному технічному університеті Міністерства освіти і науки України
Науковий керівник: кандидат технічних наук, старший науковий співробітник Шутов Станіслав Вікторович, завідувач кафедри енергетики та електротехніки, Херсонський національний технічний університет
Офіційні опоненти: доктор фіз-мат. наук, професор Москвін Павло Петрович, Житомирський державний технологічний університет, завідувач кафедри фізики.
кандидат технічних наук, старший науковий співробітник Краснов Василь Олександрович, Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України.
Провідна установа: Національний університет „Львівська політехніка”, Міністерства освіти і науки України, м. Львів.
 
Захист відбудеться “ 16 ” лютого 2007 року о 1615 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради К 26.199.01 в Інституті фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України.
З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України за адресою: пр. Науки 41, Київ, 03028 .
Автореферат розісланий “ 13 ” січня 2007 р.
Вчений секретар
спеціалізованої
вченої ради
к.ф.-м.н. О.Б. Охріменко


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. В останні роки багато уваги привертають приладові структури на гетеропереходах ІІ типу, зокрема, на основі гетеропари InAs-GaSb. Особливістю такого переходу є те, що заборонені зони матеріалів не перекриваються і розрив зони провідності і валентної зони відбувається в одну сторону. Гетеропереходи ІІ роду є перспективними для реалізації тунельних діодів без необхідності сильного легування матеріалу. Надґратки GaSb/InAs використовуються для створення високочутливих ІЧ фотоприймачів, що альтернативні аналогічним приладам на твердих розчинах Hg1-xCdxTe. Явище інтерфейсної люмінесценції, що спостерігається у твердих розчинах цих гетеропереходів, знайшло застосування у тунельних світлодіодах та лазерах.
У квантових каскадних лазерах з використанням гетеропереходів InAs-GaSb для довжини хвилі лазерного випромінювання 4 мкм був досягнутий квантовий вихід більш ніж 200% з пороговим струмом – 130А/см2. Джерела світла, що працюють на переходах зона-зона в гетероструктурах ІІ типу мають значну перевагу над каскадними та звичайними міжзонними лазерними структурами, у першу чергу, за рахунок зменшення струмів витоку та усунення релаксації на оптичних фононах. Такі структури дозволяють отримувати довгохвильове випромінювання, параметри якого вже не залежать від ширини забороненої зони, тобто виникає можливість перекрити вікна прозорості атмосфери, що практично важливо для технологій телекомунікацій та локації.
Порівняно із методами молекулярно-променевої епітаксії та методами газофазної епітаксії епітаксія з рідкої фази займає виграшне положення у таких важливих критеріях як продуктивність, ціна устаткування та малі витрати на систему захисту навколишнього середовища. Також рідкофазна епітаксія забезпечує найбільш близькі до рівноважних умови кристалізації, що позитивно впливає на кристалічну якість епітаксійних шарів. Однак станом на сьогодення застосування більшості існуючих методів рідкофазної епітаксії значно обмежено для гетероепітаксії у системах навіть з невеликою невідповідністю матеріалів за сталою ґратки, однією з яких є система GaSb-InAs. Також значна інерційність процесу епітаксії у переважній більшості існуючих методів значно обмежує можливість отримання тонких епітаксійних шарів.
Зазначені вище проблеми призводять до того, що для виготовлення приладів, основаних на неізоперіодних тонких гетероепітаксійних структурах застосовуються більш дорогі методи епітаксії з газової фази або молекулярно-променева епітаксія.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 



Реферат на тему: КЕРУВАННЯ УМОВАМИ ГЕТЕРОЕПІТАКСІЙНОГО РОСТУ З РІДКОЇ ФАЗИ У НЕІЗОПЕРІОДНІЙ СИСТЕМІ GaSb/InAs

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок