Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ФОТОЛЮМІНЕСЦЕНЦІЯ У ВИДИМІЙ ОБЛАСТІ СПЕКТРА ПЛІВОК НАНОКРИСТАЛІЧНОГО КРЕМНІЮ, ОДЕРЖАНИХ ІМПУЛЬСНИМ ЛАЗЕРНИМ ОСАДЖЕННЯМ

ФОТОЛЮМІНЕСЦЕНЦІЯ У ВИДИМІЙ ОБЛАСТІ СПЕКТРА ПЛІВОК НАНОКРИСТАЛІЧНОГО КРЕМНІЮ, ОДЕРЖАНИХ ІМПУЛЬСНИМ ЛАЗЕРНИМ ОСАДЖЕННЯМ

Назва:
ФОТОЛЮМІНЕСЦЕНЦІЯ У ВИДИМІЙ ОБЛАСТІ СПЕКТРА ПЛІВОК НАНОКРИСТАЛІЧНОГО КРЕМНІЮ, ОДЕРЖАНИХ ІМПУЛЬСНИМ ЛАЗЕРНИМ ОСАДЖЕННЯМ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
21,13 KB
Завантажень:
51
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ІНСТИТУТ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ
ім. В.Є. ЛАШКАРЬОВА
УДК 621.382:535.37
МАНОЙЛОВ ЕДУАРД ГЕННАДІЙОВИЧ
ФОТОЛЮМІНЕСЦЕНЦІЯ У ВИДИМІЙ ОБЛАСТІ СПЕКТРА ПЛІВОК НАНОКРИСТАЛІЧНОГО КРЕМНІЮ,
ОДЕРЖАНИХ ІМПУЛЬСНИМ ЛАЗЕРНИМ ОСАДЖЕННЯМ
01.04.07 – Фізика твердого тіла
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Київ – 2005


Дисертацією є рукопис.
Робота виконана в Інституті фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова
Національної академії наук України, м. Київ.
Науковий керівник:
доктор фізико-математичних наук
Каганович Елла Борисівна,
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАНУ,
провідний науковий співробітник
Офіційні опоненти:
Чл.-кор. НАН України,
доктор фізико-математичних наук
професор Макара Володимир Арсенійович,
Київський національний університет ім. Тараса Шевченка,
завідувач кафедрою Фізики металів
доктор фізико-математичних наук
професор Куліш Микола Родіонович,
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАНУ,
провідний науковий співробітник
Провідна установа:
Інститут фізики НАН України
відділ фізичної електроніки, м. Київ
Захист відбудеться “21” жовтня 2005 р. о 1600 на засіданні Спеціалізованої вченої ради К 26.199.01 в Інституті фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України за адресою: 03028, Київ-28, просп. Науки, 45
З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці Інституті фізики напівпровід-ників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України (03028, Київ-28, просп. Науки, 45)
Автореферат розісланий “16” вересня 2005 р.
Вчений секретар
Спеціалізованої вченої ради
кандидат фізико-математичних наук Охріменко О.Б.


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Нанокристалічні напівпровідникові матеріали привертають до себе особливу увагу у зв'язку з цікавою фізикою їх низькорозмірних станів і перспективами використання в нових приладах оптоелектроніки. Кремній, який є основним матеріалом мікроелектроніки, не використовувався в світловипромінюючих приладах через те, що він являє собою непрямозонний напівпровідник з фотолюмінесценцією (ФЛ) в ближній інфрачервоній області спектра (1.1 еВ) при низькій температурі. Один з напрямків наноелектроніки пов'язаний з дослідженням і розробкою наноструктур на основі кремнію. До початку роботи вже була опублікована стаття Кенема, у якій повідомляли про спостереження (ФЛ) у видимій області спектра при кімнатній температурі в пористому кремнії (por-Sі), що належить до нанокристалічного кремнію (nc-Si), і припустили, що її природа пов'язана з випромінювальною анігіляцією екситонів у квантово-розмірних Sі нанокристалах (НК). Однак, через складність структури por-Sі, близькість його фотолюмінесцентних властивостей таким, що спостерігають у аморфному Sі, силоксенах, полігідридах та інш. розгорілася десятилітня дискусія про природу ФЛ і механізми рекомбінації носіїв заряду, екситонів. Сьогодні вже загальноприйнята модель видимої ФЛ при кімнатній температурі в nc-Si пов'язана з квантово-розмірним ефектом, але остаточно не встановлені механізми рекомбінації. Технологічні методи для створення плівок nc-Sі складу: Si НК в SiOx (1 < x 2) матриці з керованими оптичними і фотолюмінесцентними властивостями тільки починали розвиватися. Відомий метод імпульсного лазерного осадження (ІЛО) плівок різних матеріалів не був розроблений для формування фотолюмінесцентних nc-Si плівок.
Актуальність роботи обумовлена, з одного боку, необхідністю розвитку уявлень про процеси в низькорозмірних структурах кремнію, а з іншого боку – перспективами використання nc-Sі для створення джерел випромінювання на кремнії, інтеграції елементів опто- і мікроелектроніки на базі кремнієвої технології.
Зв’язок роботи з науковими програмами, планами, темами
Робота виконана в Інституті фізики напівпровідників НАН України. Основні результати роботи отримані в рамках виконання наступних тем:
- бюджетної теми №21 “ Дослідження механізмів структурної i компонентної модифікації матеріалів під дією зовнішніх чинників i створення низькотемпературних технологій, приладів i пристроїв оптоелектроніки”, 1995 – 1999, постанова Бюро Відділення фізики і астрономії НАН України №9 від 20.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 



Реферат на тему: ФОТОЛЮМІНЕСЦЕНЦІЯ У ВИДИМІЙ ОБЛАСТІ СПЕКТРА ПЛІВОК НАНОКРИСТАЛІЧНОГО КРЕМНІЮ, ОДЕРЖАНИХ ІМПУЛЬСНИМ ЛАЗЕРНИМ ОСАДЖЕННЯМ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок