Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ЕЛЕКТРОН-ФОНОННА ВЗАЄМОДІЯ В СИСТЕМАХ З ЛОКАЛІЗАЦІЄЮ НОСІЇВ ЗАРЯДУ

ЕЛЕКТРОН-ФОНОННА ВЗАЄМОДІЯ В СИСТЕМАХ З ЛОКАЛІЗАЦІЄЮ НОСІЇВ ЗАРЯДУ

Назва:
ЕЛЕКТРОН-ФОНОННА ВЗАЄМОДІЯ В СИСТЕМАХ З ЛОКАЛІЗАЦІЄЮ НОСІЇВ ЗАРЯДУ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
17,49 KB
Завантажень:
61
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ІНСТИТУТ ФІЗИКИ
ПОПЛАВСЬКИЙ ДМИТРО ВОЛОДИМИРОВИЧ
На правах рукопису
УДК 539.21
ЕЛЕКТРОН-ФОНОННА ВЗАЄМОДІЯ В СИСТЕМАХ
З ЛОКАЛІЗАЦІЄЮ НОСІЇВ ЗАРЯДУ
Спеціальність 01.04.07 – фізика твердого тіла
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Київ-2001


Дисертацією є рукопис.
Робота виконана в Інституті фізики НАН України.
Науковий керівник: доктор фізико-математичних наук, професор
Данильченко Борис Олександрович,
завідувач відділом фізики радіаційних процесів
Інституту фізики НАН України
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор
Добровольський Валентин Миколайович,
кафедра напівпровідникової електроніки,
радіофізичний факультет
Київського Національного університету
імені Тараса Шевченка
кандидат фізико-математичних наук,
Главін Борис Анатолійович,
старший науковий співробітник
теоретичного відділу Інституту фізики
напівпровідників НАН України
Провідна установа: Фізико-технічний інститут низьких температур
ім. Б. І. Вєркіна НАН України
Захист дисертації відбудеться “23“ жовтня 2001 р. о 14 год. 30 хв. на засіданні Спеціалізованої вченої ради по захисту дисертацій Д26.159.01 при Інституті фізики НАН України (03028, МСП, Київ-28, проспект Науки 46).
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Інституту Фізики НАН
України (03028, МСП, Київ-28, проспект Науки 46).
Автореферат розісланий “22“ вересня 2001 р.
Вчений секретар Спеціалізованої вченої ради
кандидат фізико-математичних наук Іщук В. А.


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми
Стрімкий розвиток напівпровідникової мікроелектроніки в наші часи вимагає найбільш повного розуміння фізичних процесів, що лежать в їх основі. Потребується повне розуміння, і ще важливіше, контролювання тих процесів, що обмежують швидкодію напівпровідникових електронних приладів. Це особливо важливо зараз, коли напівпровідникові прилади наближаються до своїх фізичних границь можливостей і коли будь-яке покращення параметрів роботи приладів є дуже суттєвим. Процеси електрон-фононної взаємодії є одним з основних факторів, що лімітують швидкодію таких приладів, особливо тепер, коли для їх виготовлення використовуються надчисті кристали, а також, наприклад, в приладах на гетероструктурах з модуляційним легуванням. Таким чином, дослідження ефектів електрон-фононної взаємодії, окрім чисто фундаментального інтересу, продовжує представляти великий практичний інтерес.
На сьогоднішній час пропонуються та досліджуються нові типи напівпровідникових приладів, серед яких особове місце займають структури з дельта-легуванням. В цих структурах легування відбувається в межах моно-атомної площини, що дає змогу отримувати рекордні густини носіїв при відносно задовільних (особливо при кімнатних температурах) рухливостях носіїв. Такі структури розглядаються як можливі кандидати для нового типу польового транзистору. Крім того, дельта-структури є цікавими з точки зору більш фундаментальних досліджень, зокрема внаслідок наявності ефектів слабкої локалізації носіїв і особливо ефектів, пов’язаних з наявністю багатьох заповнених підзон квантування, які приводять до цікавих наслідків у ефектах електрон-фононної взаємодії.
Одним з найбільш прямих методів дослідження ефектів електрон-фононної взаємодії є метод пучків нерівноважних фононів. Раніше проводились дослідження цих ефектів через дослідження випромінювання акустичних та оптичних фононів гарячими носіями (див. напр. [1]), які однак не дають змогу ефективно досліджувати ці ефекти при малих електричних полях. Такі дослідження як правило зручно проводити через вивчення фононо-стимульованих процесів, але таких систематичних досліджень до сьогоднішнього часу не проводилось. Актуальними є дослідження таких процесів, разом із стандартними транспортними дослідженнями, при різних умовах: у магнітних полях, при різних гріючих електричних полях, а також при зміні температури.
Явища сильної локалізації носіїв та транспорт через невпорядковану систему енергетичних станів продовжують залишатись відкритими питаннями у фізиці твердого тіла.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 



Реферат на тему: ЕЛЕКТРОН-ФОНОННА ВЗАЄМОДІЯ В СИСТЕМАХ З ЛОКАЛІЗАЦІЄЮ НОСІЇВ ЗАРЯДУ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок