Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> НАУкові та ТЕХНОЛОГічні ОСНОВи отримання лейкосапфіру В ЗАхИсНиХ газових середовищах

НАУкові та ТЕХНОЛОГічні ОСНОВи отримання лейкосапфіру В ЗАхИсНиХ газових середовищах

Назва:
НАУкові та ТЕХНОЛОГічні ОСНОВи отримання лейкосапфіру В ЗАхИсНиХ газових середовищах
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
32,38 KB
Завантажень:
245
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ІНСТИТУТ МОНОКРИСТАЛІВ
Данько Олександр Якович
УДК 54 8.522: 54 9. 517.1
НАУкові та ТЕХНОЛОГічні ОСНОВи отримання лейкосапфіру В ЗАхИсНиХ газових середовищах
05.02.01 –матеріалознавство
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
доктора технічних наук
Харків – 2005
Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Інституті монокристалів НАН України
Науковий консультант: член-кореспондент НАН України,
доктор фізико-математичних наук
Пузіков В’ячеслав Михайлович,
директор Інституту монокристалів НАН України
Офіційні опоненти: член-кореспондент НАН України,
доктор технічних наук, професор
Гриньов Борис Вікторович,
директор Інституту сцинтиляційних матеріалів НАН України
 
доктор технічних наук, старший науковий співробітник
Гадзира Микола Пилипович,
завідувач відділу Інституту проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України
доктор фізико-математичних наук, професор
Ковтун Геннадій Прокопович,
завідувач лабораторії Інституту фізики твердого тіла, матеріалознавства та технологій ННЦ “Харківський фізико-технічний інститут”
НАН України
Провідна установа: Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля
НАН України, відділ фізико-хімії та технології композиційних інструментальних матеріалів, м. Київ
Захист відбудеться 15 червня 2005 р. о 14 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 64.169.01 в Інституті монокристалів
НАН України. Адреса:61001, м.Харків, пр.Леніна,60.
З дисертацією можна ознайомитися в бібліотеці Інституту монокристалів НАН України за адресою: 61001, м.Харків, пр.Леніна,60.
Автореферат розісланий 12 травня 2005р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Д 64.169.01
кандидат фіз.-мат. наук Добротворська М.В.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
 
Актуальність проблеми. Серед сучасних функціональних матеріалів сапфір останніми роками став одним з лідерів по зростанню обсягів його виробництва. Сапфір володіє високою прозорістю в ультрафіолетовій, видимій та інфрачервоній області спектру, твердістю, зносостійкістю, теплопровідністю, радіаційною і хімічною стійкістю, високими діелектричними характеристиками. Завдяки цьому унікальному поєднанню фізичних і хімічних властивостей він знайшов широке застосування в сучасній оптиці, оптоелектроніці і мікроелектроніці. В оптоелектроніці це, в першу чергу, виробництво найефективніших електролюмінесцентних джерел світла, які по сукупності світлотехнічних характеристик в 14-15 разів перевершують лампи розжарювання. В цих пристроях сапфір використовується як підкладка для нанесення світловипромінюючих шарів різних сполук , зокрема нітриду галію і його твердих розчинів. За оцінками фахівців – це одна з самих енергозберігаючих технологій сучасності. Для України, що є імпортером первинних джерел енергії, роботи в цьому напрямі надзвичайно важливі. Обсяг світового ринку джерел світла нового покоління до 2015 року оцінюється в 9-10 млрд. дол. США.
Другим перспективними напрямком використовування сапфіру є оптика, яка працює в екстремальних умовах і вимагає високого ресурсу експлуатації. Тут сапфір є безальтернативним матеріалом і приходить на зміну кварцу. Це аерокосмічна техніка, технологічне устаткування, в якому використовуються високий тиск і агресивні середовища, побутове проекційне телебачення, вікна сканерів касових апаратів тощо.
Для цих областей використовування сапфіру потрібні кристали великих розмірів і високої оптичної якості. В оптоелектроніці зараз вже використовують підкладки з орієнтацією (0001) діаметром 3- 5 дюймів високої хімічної чистоти і структурної досконалості; оптика класу “High optic” (діаметр понад 200мм ) пред'являє ще вищі вимоги до якості матеріалу - відсутність центрів розсіяння, висока оптична однорідність і стійкість до УФ опромінювання.
В той же час, масштаби використовування сапфіру , що стрімко ростуть, виводять на перший план і проблему підвищення рентабельності технологій його отримання всіма відомими методами. Зараз на світовому ринку можуть конкурувати тільки технології вирощування сапфіру, які мають як високі технічні характеристики (великий розмір кристалів, їх висока оптична якість), так і високі економічні показники.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21 



Реферат на тему: НАУкові та ТЕХНОЛОГічні ОСНОВи отримання лейкосапфіру В ЗАхИсНиХ газових середовищах

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок