Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ОПТИЧНІ ТА ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ТВЕРДОТІЛЬНИХ СТРУКТУР МЕТАЛ-НАПІВПРОВІДНИК (GaAs, InP, Si) З ПЕРЕХІДНИМ ШАРОМ

ОПТИЧНІ ТА ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ТВЕРДОТІЛЬНИХ СТРУКТУР МЕТАЛ-НАПІВПРОВІДНИК (GaAs, InP, Si) З ПЕРЕХІДНИМ ШАРОМ

Назва:
ОПТИЧНІ ТА ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ТВЕРДОТІЛЬНИХ СТРУКТУР МЕТАЛ-НАПІВПРОВІДНИК (GaAs, InP, Si) З ПЕРЕХІДНИМ ШАРОМ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
17,52 KB
Завантажень:
425
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ІНСТИТУТ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ
ФУРСЕНКО ОКСАНА ВОЛОДИМИРІВНА
УДК 535.3:535.51
ОПТИЧНІ ТА ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ
ТВЕРДОТІЛЬНИХ СТРУКТУР МЕТАЛ-НАПІВПРОВІДНИК
(GaAs, InP, Si) З ПЕРЕХІДНИМ ШАРОМ
01.04.07 - фізика твердого тіла
Автореферат дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико - математичних наук
Київ - 1999


Дисертацією є рукопис.
Робота виконана в Інституті фізики напівпровідників НАН України.
Науковий керівник: доктор фізико-математичних наук, професор
Дмитрук Микола Леонтійович,
Інститут фізики напівпровідників НАН України,
завідуючий відділом поляритонної оптоелектроніки.
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор
Фекешгазі Іштван Вінцейович,
Інститут фізики напівпровідників НАН України,
завідуючий відділом нелінійних оптичних систем;
доктор фізико-математичних наук, професор
Шайкевич Ігор Андрійович,
Національний Університет ім. Т.Г.Шевченка,
професор кафедри оптики
Провідна установа: Інститут фізики НАН України,
відділ фотоактивності, м.Київ.
Захист відбудеться “ 19 ” листопада 1999 р. о 1415 год.
на засіданні спеціалізованої вченої ради К 26.199.01
при Інституті фізики напівпровідників НАН України
за адресою: 03028, Київ-28, проспект Науки, 41.
З дисертацією можна ознайомитися в бібліотеці Інституту фізики напівпровід-ників НАН України (03028, Київ - 28, проспект Науки, 45 ).
Автореферат розісланий “ 18 “ жовтня 1999 р.
Вчений секретар спеціалізованої вченої ради,
кандидат фізико-математичних наук Охріменко О.Б.


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Структури з бар’єром Шотткі в контакті метал-напів-провідник (МН) знаходять широке застосування як у мікроелектроніці, так і в оптоелектроніці. Так, для фотоперетворювачів сонячної енергії перспективними є виготовлені на основі сполук типу A3B5 (GaAs, InP) та Si тонкоплівкові структури. Відомо, що їх фотоелектрорушійна сила та коефіцієнт корисної дії суттєво зростають при наявності між напівпровідником та металом тонкого ту-нельно-прозорого перехідного (проміжного) шару, яким може виступати, на-приклад, окислена поверхня напівпровідника. Такий шар впливає як на струк-туру енергетичних станів і механізм струмопроходження, так і на інтен-сивність світла, що проходить крізь напівпрозорий шар металу в напівпровідник, а значить і на генерацію електронно-діркових пар, чим визначає оптичні втрати в фото-перетворювачі. Тому для оцінки значення коефіцієнта розділення електронно-діркових пар у фотоперетворювачі з проміжним шаром та вибору його опти-мальної товщини для різних умов використання таких приладів необхідно знати коефіці-єнт пропускання світла такими структурами, що в свою чергу вимагає знання оптич-них параметрів проміжного шару. Важливо також контролювати зміну остан-ніх в про-цесі технологічних операцій виготовлення структури метал – про-міжний (тунельно-тонкий) шар – напівпровідник.
Нещодавно розпочаті дослідження фоточутливості тонкоплівкових структур МН в лінійно-поляризованому випромінюванні (ЛПВ) призвели до виявлення явища наведеного фотоплеохроїзму, характеристики якого вказують на перспек-тивність застосування цих систем в поляризаційній фотоелектроніці. В зв’язку з цим особливий інтерес становлять дослідження впливу проміжного шару на фото-плеохроїзм, в тому числі з врахуванням характеру мікрорельєфу активних меж поділу, що може знайти застосування при створенні поляризаційно-чутливих фотоприймачів, що працюють при похилому падінні електромагнітного випромі-нювання.
Оскільки важливою складовою частиною поверхнево-бар’єрних структур на основі контакту МН є тонка металева плівка, то інформація про її стан, оптичні параметри та їх зміну з часом, має суттєве значення для прогнозування роботи електронних приладів і контролю їх деградації.
У зв’язку з тим, що основним матеріалом, який використовується у сучасній мікроелектроніці, є кремній, структури на його основі викликають особливий ін-терес, оскільки взаємодія плівок перехідних металів, зокрема кобальту, з кремні-єм із утворенням перехідних шарів – силіцидів використовується у технології ви-готовлення інтегральних мікросхем.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 



Реферат на тему: ОПТИЧНІ ТА ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ТВЕРДОТІЛЬНИХ СТРУКТУР МЕТАЛ-НАПІВПРОВІДНИК (GaAs, InP, Si) З ПЕРЕХІДНИМ ШАРОМ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок