Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ДЕФЕКТНО-ДОМІШКОВА ВЗАЄМОДІЯ В КРЕМНІЇ, ЛЕГОВАНОМУ ІЗОВАЛЕНТНИМИ ДОМІШКАМИ

ДЕФЕКТНО-ДОМІШКОВА ВЗАЄМОДІЯ В КРЕМНІЇ, ЛЕГОВАНОМУ ІЗОВАЛЕНТНИМИ ДОМІШКАМИ

Назва:
ДЕФЕКТНО-ДОМІШКОВА ВЗАЄМОДІЯ В КРЕМНІЇ, ЛЕГОВАНОМУ ІЗОВАЛЕНТНИМИ ДОМІШКАМИ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
15,10 KB
Завантажень:
117
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ІНСТИТУТ ФІЗИКИ
КОБЗАР Олег Олександрович
УДК 621.315.592
ДЕФЕКТНО-ДОМІШКОВА ВЗАЄМОДІЯ В КРЕМНІЇ,
ЛЕГОВАНОМУ ІЗОВАЛЕНТНИМИ ДОМІШКАМИ
01.04.07 – фізика твердого тіла
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Київ – 2006


Дисертацією є рукопис.
Робота виконана в Інституті фізики НАН України.
Науковий керівник: кандидат фізико-математичних наук,
старший науковий співробітник
Хируненко Людмила Іванівна, старший науковий
співробітник Інституту фізики НАН України
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор
Романюк Борис Миколайович,
провідний науковий співробітник
Інституту фізики напівпровідників НАН України
кандидат фізико-математичних наук,
старший науковий співробітник
Долголенко Олександр Петрович,
старший науковий співробітник
НЦ “Інститут ядерних досліджень” НАН України
Провідна організація: Київський Національний Університет
імені Т. Г. Шевченка
Захист дисертації відбудеться 22 лютого 2007 р. о 14 год. 30 хв. на засіданні спеціалізованої Вченої ради Д .159.01 при Інституті фізики НАН України (адреса: 03028, Київ-28, проспект Науки, 46).
З дисертацією можна ознайомитися в бібліотеці Інституту фізики НАН України.
Автореферат розісланий 22 січня 2007 р.
Вчений секретар
спеціалізованої Вченої ради Чумак О. О.


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Кремній (Si) є основним матеріалом сучасної твердотільної мікроелектроніки. У зв’язку з цим важливою задачею є пошук нових і вдосконалення існуючих методів керування властивостями кремнію. Властивості напівпровідника, як відомо, визначаються його дефектно-домішковим складом. Одним із перспективних засобів керування параметрами кремнію є легування ізовалентними домішками (ІВД). Ізовалентними домішками в кремнії є вуглець (C), германій (Ge), олово (Sn) та свинець (Pb). Такі домішки є електрично пасивними і практично не впливають на вихідні електричні параметри матеріалу. Вплив ІВД на властивості Si визначається в основному внутрішніми пружними деформаціями ґратки, які виникають внаслідок різниці ковалентних радіусів атомів матриці та домішки. Внутрішні локальні деформації можуть суттєво впливати на процеси дефектно-домішкової взаємодії як при вирощуванні кристалу, так і при різноманітних зовнішніх впливах (іонізуючі опромінення, термообробки та ін.). В полі пружних деформацій може відбуватись зміна процесів дифузії домішок і дефектів, крім того, атоми ІВД можуть безпосередньо взаємодіяти з точковими дефектами, цим самим змінюючи канали дефектно-домішкової взаємодії.
Як правило, ІВД, ковалентний радіус яких менший за ковалентний радіус атомів ґратки (наприклад, C в Si або Si в Ge), взаємодіють з міжвузельними атомами, а ІВД, ковалентний радіус яких більший за радіус атомів ґратки (Ge або Sn в Si, Sn в Ge), впливають на реакції, які протікають за участю вакансій. Так, ефективна взаємодія олова та германію в кремнії з вакансіями приводить до зниження ефективності утворення при опроміненні радіаційних дефектів, які містять вакансії. Вуглець в кремнії бере участь в утворенні дефектів міжвузельного типу. Таким чином, легування ізовалентними домішками зручно використовувати в якості одного з методів керування властивостями Si, які визначаються власними дефектами кристалічної структури.
Використання ІВД для легування напівпровідників є також зручним засобом для дослідження процесів, які відбуваються за участю вакансій або міжвузельних атомів. Наприклад, завдяки здатності домішкових атомів Sn в Si утримувати вакансії у зв’язаному стані в діапазоні температур до 170 С, легування кремнію оловом може використовуватись для вивчення властивостей широкого спектру дефектів, до складу яких входять вакансії. А використовуючи домішку вуглецю в Si, як правило, вивчають процеси, які відбуваються за участю міжвузельних атомів.
Незважаючи на значний інтерес до ІВД протягом досить тривалого часу, їх вплив на процеси дефектно-домішкової взаємодії в кремнії вивчений недостатньо.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 



Реферат на тему: ДЕФЕКТНО-ДОМІШКОВА ВЗАЄМОДІЯ В КРЕМНІЇ, ЛЕГОВАНОМУ ІЗОВАЛЕНТНИМИ ДОМІШКАМИ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок