Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> МЕТОДИ ТА АПАРАТУРА КОНТРОЛЮ СТРУКТУРНО-ГЕОМЕТРИЧНОЇ ДОСКОНАЛОСТІ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ МАТЕРІАЛІВ ТА СТРУКТУР В УМОВАХ ЇХ СЕРІЙНОГО ВИРОБНИЦТВА

МЕТОДИ ТА АПАРАТУРА КОНТРОЛЮ СТРУКТУРНО-ГЕОМЕТРИЧНОЇ ДОСКОНАЛОСТІ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ МАТЕРІАЛІВ ТА СТРУКТУР В УМОВАХ ЇХ СЕРІЙНОГО ВИРОБНИЦТВА

Назва:
МЕТОДИ ТА АПАРАТУРА КОНТРОЛЮ СТРУКТУРНО-ГЕОМЕТРИЧНОЇ ДОСКОНАЛОСТІ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ МАТЕРІАЛІВ ТА СТРУКТУР В УМОВАХ ЇХ СЕРІЙНОГО ВИРОБНИЦТВА
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
31,58 KB
Завантажень:
430
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19 
ХАРКІВСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ РАДІОЕЛЕКТРОНІКИ
ОКСАНИЧ АНАТОЛІЙ ПЕТРОВИЧ
УДК 621.315.59:546.28
МЕТОДИ ТА АПАРАТУРА КОНТРОЛЮ СТРУКТУРНО-ГЕОМЕТРИЧНОЇ ДОСКОНАЛОСТІ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ МАТЕРІАЛІВ ТА СТРУКТУР
В УМОВАХ ЇХ СЕРІЙНОГО ВИРОБНИЦТВА
Спеціальність 05.27.06 – Технологія, обладнання та виробництво електронної техніки
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
доктора технічних наук
Харків - 2002
Дисертацією є рукопис.
Робота виконана на кафедрі комп’ютеризованих систем автоматики Кременчуцького інституту економіки та нових технологій.
Науковий консультант - доктор фізико-математичних наук, професор,
Гордієнко Юрій Емельянович,
Харківський національний університет радіоелектроніки,
завідувач кафедри мікроелектроніки, електронних приладів та пристроїв.
Офіційні опоненти - доктор технічних наук, професор,
Невлюдов Ігор Шакірович,
Харківський національний університет радіоелектроніки,
завідувач кафедри технології та автоматизації виробництва радіоелектронних і електронно-обчислювальних засобів;
доктор технічних наук, професор,
Костенко Віталій Леонідович.
Запорізька державна інженерна академія,
професор кафедри фізичної та біомедичної електроніки;
доктор фізико-математичних наук, професор,
Новіков Микола Миколайович.
Національний університет ім.Тараса Шевченка,
професор кафедри фізики металів.
Провідна установа - Науково-технологічний концерн “Інститут монокристалів” НАН України, Інститут монокристалів.
Захист відбудеться 25.09.2002 р. о 14 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 64.052.03 при Харківському національному університеті радіоелектроніки за адресою: 61166 м. Харків, пр. Леніна, 14, ауд.13.
З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці Харківського національного університету радіоелектроніки за адресою: 61166, м. Харків, пр. Леніна,14.
Автореферат розісланий 22.08.2002р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Г.І.Чурюмов
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Завдяки своїм унікальним властивостям, необмеженим природним запасам вихідної сировини, комерційній доступності, технологічності вирощування і механічної переробки на пластини монокристалічний кремній залишається головним і переважним серед усіх напівпровідникових матеріалів у приладобудуванні та електронній техніці.
Промислове одержання монокристалів кремнію засноване головним чином на методі Чохральського. Одна з найважливіших задач технології кремнію - одержання кристалів великого діаметру — виникла з вимог до всілякого зниження вартості мікросхем шляхом виготовлення їх груповими методами на великій поверхні. За останні 20 років у цьому напрямку досягнуті значні успіхи в Україні. Діаметр промислових монокристалів кремнію збільшився з 40 до 100 мм. Отримано кристали діаметром 125-160 мм і розв’язуються питання промислового одержання кристалів діаметром 200 мм.
Однак у технології вирощування монокристалів великих діаметрів (понад 100 мм) дотепер не повністю розв’язані питання поліпшення однорідності електрофізичних властивостей монокристалів по об’єму. Забруднення з тиглю викликають появу різних локальних структурних недосконалостей: преципітатів, включень полікристалічних зерен, двійникових границь, дислокаційних петель, кластерів різного типу, які, адсорбуючи електроактивні домішки, утворюють у кристалі мікрооб’єми підвищеної провідності, що різко погіршує якість кремнію. Для успішної боротьби з дефектами цього виду необхідно детальне вивчення причин і механізмів їх виникнення, класифікація та ідентифікація по типах.
Розроблення і виготовлення ВІС, що призвело до зростання діаметру зливка вихідного монокристалічного кремнію до 200 мм, у свою чергу вимагає розроблення нових промислових експресних методів контролю як структурно-геометричних параметрів вихідних матеріалів, так і контролю цих параметрів на вихідному контролі.
Особливо актуальною при переході до діаметру зливків кремнію 100-200 мм стала задача розроблення автоматизованих систем вирощування структурно-досконалих зливків кремнію, які враховують проблеми тепломасоперенесення, температурних градієнтів, що виникають при рості зливків кремнію великого діаметру.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19 



Реферат на тему: МЕТОДИ ТА АПАРАТУРА КОНТРОЛЮ СТРУКТУРНО-ГЕОМЕТРИЧНОЇ ДОСКОНАЛОСТІ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ МАТЕРІАЛІВ ТА СТРУКТУР В УМОВАХ ЇХ СЕРІЙНОГО ВИРОБНИЦТВА

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок