Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ЕЛЕКТРОННА СТРУКТУРА ТЕРНАРНИХ СИЛІЦИДІВ РІДКОЗЕМЕЛЬНИХ МЕТАЛІВ

ЕЛЕКТРОННА СТРУКТУРА ТЕРНАРНИХ СИЛІЦИДІВ РІДКОЗЕМЕЛЬНИХ МЕТАЛІВ

Назва:
ЕЛЕКТРОННА СТРУКТУРА ТЕРНАРНИХ СИЛІЦИДІВ РІДКОЗЕМЕЛЬНИХ МЕТАЛІВ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
28,42 KB
Завантажень:
487
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17 
ІНСТИТУТ МЕТАЛОФІЗИКИ
НАН УКРАЇНИ імені Г.В. Курдюмова
Ніколюк Петро Карпович
УДК 537.531:535.3
ЕЛЕКТРОННА СТРУКТУРА
ТЕРНАРНИХ СИЛІЦИДІВ
РІДКОЗЕМЕЛЬНИХ МЕТАЛІВ
01.04.07 - ФІЗИКА ТВЕРДОГО ТІЛА
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового
ступеня доктора фізико - математичних наук
КИЇВ-2001
Дисертацією є рукопис
Робота виконана на фізичному факультеті Київського Національного Університету ім. Тараса Шевченко, Міністерство освіти і науки.
Науковий консультант:
академік НАН України Немошкаленко Володимир Володимирович, директор Інституту металофізики
НАН України
Офіційні опоненти:
доктор фізико - математичних наук, професор Уваров Віктор Миколайович, провідний науковий співробітник відділу спектроскопії твердого тіла інституту металофізики НАН України
доктор хімічних наук, член-кореспондент НАН України Огенко Володимир Михайлович, заступник директора НДІ хімії поверхні НАН України
доктор фізико-математичних наук Шияновський
Владислав Іванович, професор кафедри загальної
фізики фізичного факультету Київського Університету
Провідна установа: Інститут проблем матеріалознавства НАН України ім. Францевича І.М.,
м. Київ.
Захист відбудеться " 19 " грудня 2001 р. о 14°° на засіданні спеціалізованої вченої ради Д26.168.02
при Інституті металофізики АН України за адресою: 03680, м. Київ, бульвар академіка Вернадського, 36, актовий зал Інституту металофізики.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Інституту металофізики за адресою: м. Київ, бульвар академіка Вернадського, 36.
Автореферат розісланий " 17 "листопада 2001 року
Вчений секретар спеціалізованої вченої ради Д26.168.02
кандидат фізико-математичних наук Сізова Т.Л.
Загальна характеристика роботи
Актуальність теми. Дисертацію присвячено вивченню особливостей формування електронно-енергетичної структури тернарних силіцидів систем R-М-Si та R-Al-Si (R — рідкоземельний елемент, М — 3d-метал). Сполуки систем даного класу досліджені нерегулярно особливо методами високоенергетичної спектроскопії. Інтерес до таких інтерметалідів викликаний їх специфічними калориметричними, магнітними та кінетичними властивостями. Фундаментальною причиною аномалій є наявність в складі даних сполук магнітних іонів з незаповненими оболонками (4f-оболонка в R-металі і 3d-оболонка в М).
По суті ми маємо справу з новим великим і своєрідним класом твердих тіл, електронні властивості яких неможливо пояснити на основі існуючих на сьогоднішній день уявлень. Серед сполук систем R-М-Si знайдена сукупність інтерметалідів, в яких валентні електрони мають подвійну, амбівалентну природу: зберігаючи в значній мірі локалізований, атомний характер, вони в той же час частково колективізуються завдяки швидким флуктуаціям між локалізованим рівнем і зоною провідності. Це є основою явища проміжності валентності (ПВ).
Аномальні властивості сполук досліджуваного класу проявляються особливо яскраво в рядах RCu2Si2 та RAl2Si2, де відкриті специфічні дегібридизаційні процеси між електронними станами атомів-компонентів. Серед сполук ряду RCu2Si2 інтерметалід CeCu2Si2 викликає особливий науковий інтерес, так як при Т = 0,5 К переходить в надпровідний стан [1]. При цьому як надпровідні, так і нормальні властивості даної сполуки на два-три порядки (!) відрізняються від таких для звичайних надпровідників.
Природа надпровідного стану в сполуці CeCu2Si2 не знаходить теоретичного пояснення в теорії Бардіна-Купера-Шріффера (БКШ). Ряд експериментальних фактів свідчить про особливий, аномальний характер надпровідності в CeCu2Si2 не завдяки механізму "синглетної надпровідності" (як в звичайних надпровідниках), а на основі механізму "триплетної надпровідності" [2].
Дослідження сполук систем R-М-Si, надзвичайно цікавих самих по собі, допоможе краще розібратися в таких питаннях як природа резонансу Абрикосова-Сула, проміжної валентності, аномалій термоерс, електричного опору та фермієвських резонансів.
Різноманітність фізичних властивостей досліджуваних сполук, багато з яких характеризується аномальною поведінкою, їх мала вивченість (особливо методами рентгенівської емісійної, рентгено- та фотоелектронної спектроскопій), а також практична і наукова цінність, визначають актуальність даного дослідження.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17 



Реферат на тему: ЕЛЕКТРОННА СТРУКТУРА ТЕРНАРНИХ СИЛІЦИДІВ РІДКОЗЕМЕЛЬНИХ МЕТАЛІВ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок