Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ДОСЛІДЖЕННЯ МАКРОСКОПІЧНИХ РОСТОВИХ ДЕФЕКТІВ КРИСТАЛІВ ZnSe І CdZnTe

ДОСЛІДЖЕННЯ МАКРОСКОПІЧНИХ РОСТОВИХ ДЕФЕКТІВ КРИСТАЛІВ ZnSe І CdZnTe

Назва:
ДОСЛІДЖЕННЯ МАКРОСКОПІЧНИХ РОСТОВИХ ДЕФЕКТІВ КРИСТАЛІВ ZnSe І CdZnTe
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
19,16 KB
Завантажень:
113
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 
ДИАГНОСТИКА ВНУТРЕННИХ ПОЛЕЙ КРИСТАЛЛОВ ZnSe и CdZnTe, ПОРОЖДЕННЫХ РОСТОВЫМ
И ДЕФЕКТАМИ


Національна академія наук України
Науково-технологічний концерн "Інститут монокристалів"
ІНСТИТУТ МОНОКРИСТАЛІВ
Клименко Ігор Андрійович
УДК [546.47’23+546.48’47’24]:539.219.1
ДОСЛІДЖЕННЯ МАКРОСКОПІЧНИХ РОСТОВИХ
ДЕФЕКТІВ КРИСТАЛІВ ZnSe І CdZnTe
05.02.01 – матеріалознавство
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата технічних наук
Харків - 2001
Дисертацією є рукопис.
Робота виконана на кафедрі фізики Національного аерокосмічного університету
ім. М.Є. Жуковського “ХАІ”.
Науковий керівник: | кандидат фізико-математичних наук, професор Національного аерокосмічного університету ім. М.Є. Жуковського “ХАІ”,
Мигаль Валерій Павлович,
Національний аерокосмічний університет ім. М.Є. Жуковського
“ХАІ”, доцент кафедри фізики.
Офіційні опоненти: | доктор технічних наук, старший науковий співробітник,
Литвинов Леонід Аркадійович,
Науково-технологічний концерн “Інститут монокристалів”
НАН України, зав. відділом Науково-дослідного відділення
оптичних та конструкційних кристалів.
доктор технічних наук, старший науковий співробітник,
Балицький Олександр Іванович,
Фізико-механічний інститут ім. Г.В. Карпенка НАН України (м. Львів),
провідний науковий співробітник відділу фізико-хімічних
основ зміцнення матеріалів.
Провідна установа: | Харківський Національний автомобільно-дорожній університет,
кафедра технології металів і матеріалознавства, м. Харків.
Захист відбудеться 19 грудня 2001 року о 14 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 64.169.01 в Інституті монокристалів Науково-технологічного концерну “Інститут монокристалів” НАН України за адресою: 61001, м. Харків, пр. Леніна, 60.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Інституту монокристалів Науково-технологічного концерну “Інститут монокристалів” НАН України за адресою: 61001, м. Харків, пр. Леніна, 60.
Автореферат розісланий 15 листопада 2001р.
Вчений секретар спеціалізованої
вченої ради, кандидат технічних наук Атрощенко Л.В.
Загальна характеристика роботи
Вступ. Вирощувані з розплаву кристали ZnSe і Cd1-ХZnХTe (Х=0.2) (CZT) мають унікальне поєднання властивостей і тому широко застосовуються для виготовлення елементів акустичної, силової, конструкційної оптики, а також детекторів радіоактивного випромінювання. Однак, при вирощуванні цих кристалів з розплаву вихід матеріалу необхідної якості не перевищує 50 відсотків. Причиною цього є виникнення при вирощуванні масивних злитків (до 100мм у діаметрі) макроскопічних ростових дефектів (МРД), що є джерелами взаємопов’язаних внутрішніх механічних і електричних полів. Комплексний вплив цих полів на фізичні властивості п'єзоелектричних кристалів є особливо суттєвим, в зв’язку з чим вони являються основними факторами, що визначають стійкість матеріалів до інтенсивних впливів та стабільність їхніх характеристик. З іншого боку впорядкованість просторового розподілу МРД обумовлює якісно нові як для кубічних кристалів властивості. Породжені МРД просторово-неоднорідні внутрішні поля впливають також на результати механічної, хімічної та інших обробок кристалів.
Актуальність даного дослідження визначається: 1) існуванням проблем виявлення МРД різних типів та визначення їх впливу на якість і технологічність реальних кристалів, 2) обмеженістю та неоднозначністю інформації, яку можна одержати відомими методами дослідження. Розв’язання задачі діагностики внутрішніх полів, породжених МРД в кристалах ZnSe і CZT, створює перспективи для удосконалення технології вирощування та методів оцінювання якості, технологічності та надійності кристалічних елементів, а також розширення областей їх використання, тобто їх функціональної придатності.
Разом з тим взаємопов’язаність внутрішніх полів п'єзоелектричних кристалів та їх просторова неоднорідність обмежують можливість визначення неруйнівними методами взаємодоповнюючої діагностичної інформації про МРД як джерела полів. Таким чином, існує протиріччя між можливостями відомих методів виявлення МРД і контролездатністю високоомних фоточутливих п'єзоелектричних кристалів, обумовленою неоднозначністю впливу ростових дефектів на фізичні властивості та технологічність цих кристалів.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 



Реферат на тему: ДОСЛІДЖЕННЯ МАКРОСКОПІЧНИХ РОСТОВИХ ДЕФЕКТІВ КРИСТАЛІВ ZnSe І CdZnTe

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок