Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ВПЛИВ КОНТАКТНИХ НЕОДНОРІДНОСТЕЙ НА ЕЛЕКТРИЧНІ ХАРАКТЕРИСТИКИ ДІОДІВ ГАННА

ВПЛИВ КОНТАКТНИХ НЕОДНОРІДНОСТЕЙ НА ЕЛЕКТРИЧНІ ХАРАКТЕРИСТИКИ ДІОДІВ ГАННА

Назва:
ВПЛИВ КОНТАКТНИХ НЕОДНОРІДНОСТЕЙ НА ЕЛЕКТРИЧНІ ХАРАКТЕРИСТИКИ ДІОДІВ ГАННА
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
16,80 KB
Завантажень:
37
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 
НАЦІОНАЛЬНИЙ ТЕХНІЧНИЙ УНІВЕРСИТЕТ УКРАЇНИ
“КИЇВСЬКИЙ ПОЛІТЕХНІЧНИЙ ІНСТИТУТ”
ЧЕЛЮБЕЄВ ВІКТОР МИКОЛАЙОВИЧ
УДК.621.382.088
ВПЛИВ КОНТАКТНИХ НЕОДНОРІДНОСТЕЙ НА ЕЛЕКТРИЧНІ ХАРАКТЕРИСТИКИ ДІОДІВ ГАННА
Спеціальність 05.27.01-твердотільна електроніка
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата технічних наук
Київ - 2002


Дисертацією є рукопис.
Робота виконана на кафедрі мікроелектроніки Національного технічного університету України “Київський політехнічний інститут” Міністерства освіти і науки України, та ВАТ “НТЦ “Сузір’я” (м. Київ).
НАУКОВИЙ КЕРІВНИК: кандидат фізико-математичних наук, доцент
Родіонов Михайло Кузьмич,
Національний технічний університет України
“Київський політехнічний інститут”, доцент
кафедри мікроелектроніки.
ОФІЦІЙНІ ОПОНЕНТИ: доктор фізико-математичних наук, професор,
Чайка Василь Євгенович, Національний
технічний університет України “Київський
політехнічний інститут”, професор кафедри
електронних приладів та пристроїв;
кандидат технічних наук, Вербицький Володимир
Григорович, директор ДП “Науково-дослідний
інститут Мікроприладів” (м. Київ).

ПРОВІДНА УСТАНОВА: ВАТ “Науково-виробниче підприємство “Сатурн”
(м. Київ).
Захист відбудеться “16” грудня 2002 р. о 1500 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д.26.002.08 при Національному технічному університеті України “Київський політехнічний інститут” за адресою: 03056, Киів, пр. Перемоги, 37, навчальний корпус №12, аудиторія 114.
З дисертацією можна ознайомитися в бібліотеці Національного технічного університету України “Київський політехнічний інститут” за адресою: 03056, Киів, пр. Перемоги, 37.
Автореферат розіслано “ 8 “ листопада 2002 р.
 
Вчений секретар спеціалізованої
вченої ради, к.т.н., професор Писаренко Л.Д.


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність проблеми. Просування діодів Ганна у більш високочастотні діапазони використання супроводжується зменшенням довжини активної n-області L, яка для L5 мкм стає порівняною з довжиною “холодної зони” - області при катоді, де електрон набирає енергію, необхідну для міждолинного переходу. Вирішити цю проблему дозволяє застосування в арсенід галієвих діодах Ганна n-n+б-n++ типу неоднорідностей вплавлених катодних омічних контактів на основі AuGe, а саме їхньої “острівцевої” структури, характерної наявністю на контактній межі поділу омічних та бар’єрних областей. “Острівцева” структура зменшує площу емітуючої поверхні катоду, що дозволяє створити достатнє для розігріву електронів прикатодне електричне поле та зменшити довжину “холодної зони”. Це й забезпечує можливість досягти N-образної вольтамперної характеристики (ВАХ) у діодах міліметрових довжин хвиль (L4 мкм). Однак, для ефективного використання неоднорідності вплавлених катодних контактів на основі AuGe, не зовсім зрозумілі причини виникнення “острівцевої” структури і недостатньо експериментальних даних про її взаємозв’язок з електричними параметрами діодів Ганна.
Зменшення довжини активної n-області L викликає зростання концентрації носіїв в ній n0 (в силу дії необхідної умови появи ганновських осциляцій - n0L 2х1012 см-2) та зменшення площі меза-структури діода - S (L/n0), низькопольовий опір якої, фіксовано на рівні 1 Ом. При зменшенні геометричних розмірів напівпровідникових структур на їх характеристики починають впливати крайові ефекти, пов’язані з викривленням силових ліній електричного поля на краях контактних меж поділу. Однак прояв цих ефектів в діодах Ганна недостатньо відображено в літературних джерелах, що обумовлює проблему невизначенності їх взаємозв’язку з параметрами діодів міліметрового діапазону.
Тому, дослідження впливу на електричні характеристики діодів Ганна неоднорідностей “острівцевої” структури вплавлених контактів на основі AuGe до n-GaAs та обумовлених площею контактних меж поділу, при різних довжинах L, актуальні і являють як науковий, так і практичний інтерес.
Зв’язок роботи з науковими програмами, планами, темами. Матеріали дисертаційної роботи і отримані автором результати використані у напівпровідниковому виробництві заводу “Генератор” (м.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 



Реферат на тему: ВПЛИВ КОНТАКТНИХ НЕОДНОРІДНОСТЕЙ НА ЕЛЕКТРИЧНІ ХАРАКТЕРИСТИКИ ДІОДІВ ГАННА

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок