Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ЕЛЕКТРОННІ ЕНЕРГЕТИЧНІ СПЕКТРИ НАПІВПРОВІДНИКІВ ТИПУ AIV, AIIIBV І ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ Si1-XGeX У МЕТОДІ ЗМІШАНОГО БАЗИСУ

ЕЛЕКТРОННІ ЕНЕРГЕТИЧНІ СПЕКТРИ НАПІВПРОВІДНИКІВ ТИПУ AIV, AIIIBV І ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ Si1-XGeX У МЕТОДІ ЗМІШАНОГО БАЗИСУ

Назва:
ЕЛЕКТРОННІ ЕНЕРГЕТИЧНІ СПЕКТРИ НАПІВПРОВІДНИКІВ ТИПУ AIV, AIIIBV І ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ Si1-XGeX У МЕТОДІ ЗМІШАНОГО БАЗИСУ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
17,01 KB
Завантажень:
406
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 
ЧЕРНІВЕЦЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ
ІМЕНІ ЮРІЯ ФЕДЬКОВИЧА
КИНАШ ЮРІЙ ЄВСТАХІЙОВИЧ
УДК 537.311.33
ЕЛЕКТРОННІ ЕНЕРГЕТИЧНІ СПЕКТРИ НАПІВПРОВІДНИКІВ
ТИПУ AIV, AIIIBV І ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ Si1-XGeX
У МЕТОДІ ЗМІШАНОГО БАЗИСУ
01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Чернівці-2004
Дисертацією є рукопис.
Робота виконана на кафедрі напівпровідникової електроніки
національного університету ”Львівська політехніка”,
Міністерство освіти і науки України
Наукові керівники: доктор фізико-математичних наук, професор
Стеців Ярослав Іванович,
національний університет ”Львівська політехніка”
професор кафедри напівпровідникової електроніки
кандидат фізико-математичних наук, доцент
Сиротюк Степан Васильович,
національний університет ”Львівська політехніка”
доцент кафедри напівпровідникової електроніки
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор
Ваврух Маркіян Васильович,
Львівський національний університет імені Івана Франка,
завідувач кафедри астрофізики
кандидат фізико-математичних наук, доцент
Дейбук Віталій Григорович,
Чернівецький національний університет
імені Юрія Федьковича,
доцент кафедри напівпровідникової мікроелектроніки
Провідна установа: Ужгородський національний університет,
Міністерство освіти і науки України
Захист відбудеться “30” квітня 2004 р. о 17 год. на засіданні спеціалізованої вченої ради Д.76.051.01 при Чернівецькому національному університеті імені Юрія Федьковича за адресою: 58012, м. Чернівці, вул. Коцюбинського,2.
 
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Чернівецького національного університету імені Юрія Федьковича (м. Чернівці, вул. Лесі Українки,23).
Автореферат розісланий “29” березня 2004 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Курганецький М.В.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Електронний енергетичний спектр кристала є важливим аргументом функції розподілу носіїв заряду. Він необхідний для розрахунку густини електронних станів, повної енергії зв’язку, пружних констант, кінетичних коефіцієнтів, оптичних констант тощо.
Більшість апріорних підходів розрахунку спектра базуються на побудові потенціалу кристала у наближенні “замороженого” остова, тобто на хвильових функціях Хартрі - Фока глибоких електронів, що не включаються до базисних одночастинкових станів. Обмінно-кореляційний потенціал представляється в них у формі функціоналу локальної електронної густини. Представлення повної енергії кристала функціоналом повної локальної електронної густини зумовило спільну для цих підходів назву наближення локальної електронної густини (LDA, Local Density Approximation). Закони дисперсії напівпровідників розраховують за допомогою різних методів, що ґрунтуються на підході LDA: апріорних атомних псевдо-потенціалів, лінеаризованого методу МТ (muffin-tin) орбіталей (LMTO), приєднаних плоских хвиль (APW), лінійної комбінації атомних орбіталей (LCAO) та ін.
Методи, що ґрунтуються на підході LDA, добре описують рівноважні характеристики кристалів: повну енергію зв’язку, рівноважні атомні об’єми, модулі пружності та всебічного стискання, однак величини міжзонних щілин отримуються дуже заниженими. Крім того, апріорні атомні псевдопотенціали характеризуються вкрай повільною збіжністю, оскільки матриця гамільтоніана має характерні розміри порядку 100000. На відміну від наближення LDA, метод лінійної комбінації атомних орбіталей з використанням обмінного потенціалу за точною формулою Хартрі - Фока (HF-LCAO) приводить до завищення у кілька разів значень міжзонних щілин порівняно з експериментом.
Таким чином, проблема кількісної теорії електронного енергетичного спектра напівпровідників ще не вирішена, а тому пошук ефективного методу її вирішення є актуальним.
Метод змішаного базису, що складається з функцій Блоха глибоких електронів та плоских хвиль задовільняє такі вимоги: 1) не містить МТ–потенціалів; 2) забезпечує кращі результати розрахунку для багатьох кристалів порівняно з відомими на цей час методами, що ґрунтуються на підході LDA; 3) дозволяє оперувати з матрицями вимірності порядку 1000; 4) матричні елементи обчислюють переважно у прямому просторі; 5) метод можна застосовувати для кристалів іншого складу і структури.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 



Реферат на тему: ЕЛЕКТРОННІ ЕНЕРГЕТИЧНІ СПЕКТРИ НАПІВПРОВІДНИКІВ ТИПУ AIV, AIIIBV І ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ Si1-XGeX У МЕТОДІ ЗМІШАНОГО БАЗИСУ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок