Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Вплив домішок зі змінною валентністю на фізичні властивості твердих розчинів на основі телуридів свинцю, олова та германію

Вплив домішок зі змінною валентністю на фізичні властивості твердих розчинів на основі телуридів свинцю, олова та германію

Назва:
Вплив домішок зі змінною валентністю на фізичні властивості твердих розчинів на основі телуридів свинцю, олова та германію
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
22,85 KB
Завантажень:
463
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14 
\bookfoldsheets0Чернівецький Національний Університет
імені Юрія Федьковича
Слинько Василь Євгенович
УДК 621.315.592
Вплив домішок зі змінною валентністю на фізичні
властивості твердих розчинів на основі телуридів
свинцю, олова та германію
(01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків)
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Чернівці – 2007


Дисертацією є рукопис.
Робота виконана в Чернівецькому відділенні Інституту проблем
матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України
Науковий керівник: | доктор фізико-математичних наук, професор Ковалюк Захар Дмитрович,
Керівник Чернівецького відділення Інституту проблем матеріалознавства
ім. І. М. Францевича НАН України
 
Офіційні опоненти: | доктор фізико-математичних наук, старший науковий
співробітник Тетьоркін Володимир Володимирович, Інститут фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України, завідувач відділом інфрачервоної електроніки
доктор фізико-математичних наук,
професор Паранчич Степан Юрійович,
Чернівецький національний університет
ім. Юрія Федьковича, професор кафедри фізики напівпровідників та наноструктур
 
Захист відбудеться '' 30 '' травня 2008 р. о 17 год. 30 хв. на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 76.051.01 при Чернівецькому національному університеті імені Юрія Федьковича за адресою 58012, м. Чернівці, вул. Коцюбинського, 2.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Чернівецького національного університету імені Юрія Федьковича за адресою 58012, м. Чернівці, вул. Лесі Українки, 23.
Автореферат розісланий "21'' квітня 2008 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради М. В. Курганецький
Загальна характеристика роботи
Актуальність теми. Сполуки AIVBVI і тверді розчини на їхній основі, леговані домішками із змінною валентністю, привертають увагу дослідників вже більше тридцяти років. Встановлено, що змінну валентність мають деякі елементи ІІІ групи (Al, In, Ga, Tl), а також перехідні та рідкісноземельні елементи – Mn, Cr, Eu, Gd, Yb. Валентність елементів ІІІ групи може змінюватися від 1 до 3, для магнітних домішок – на одиницю.
Властивості індукованих домішками центрів багато в чому подібні до класичних DX-центрів в напівпровідниках AІІBVI і AІІІBV. Для них характерні сильна електрон-фононна взаємодія та виникнення в околі домішкового атома стану з негативною енергією кореляції. Дія цих двох чинників і обумовлює появу незвичайних ефектів в AIVBVI – стабілізацію положення рівня Фермі (РФ) та довготривалі релаксаційні процеси нерівноважних носіїв заряду.
Легування елементами із змінною валентністю телуриду свинцю і його твердих розчинів суттєво модифікує енергетичний спектр носіїв заряду. Положення індукованих глибоких локальних або квазілокальних рівнів (і, відповідно, РФ) залежить від складу твердого розчину, температури, тиску, магнітного поля, типу домішки. При легуванні галієм або ітербієм існує також залежність положення РФ від концентрації домішки. Контрольований перехід РФ з дозволеної в заборонену зону можна здійснювати, керуючи концентрацією домішки та шириною забороненої зони. Для зміни останньої проводиться додаткове легування твердих розчинів марганцем.
При стабілізації РФ в забороненій зоні при низьких температурах реалізується діелектричний стан (концентрація носіїв 1010ч1011см-3). І тоді проявляється один із специфічних ефектів у сполуках із стабілізованим РФ – внутрішнє "очищення" матеріалу. Сильно легований вузькощілинний напівпровідник з великою кількістю електрично активних дефектів веде себе майже як ідеальний напівпровідник з високою однорідністю електрофізичних параметрів. Саме цим була спростована думка про неконкурентноздатність сполук AIVBVI в якості матеріалів для інфрачервоної (ІЧ) оптоелектроніки.
На час наших досліджень було відомо, що енергетичний спектр PbTeGa досить складний. Легування галієм приводить до утворення в PbTeGa двох глибоких рівнів. Рівень ЕGa1 розташовується у забороненій зоні на 65ч70 меВ нижче дна зони провідності, а рівень EGa – на 45 меВ вище дна зони провідності.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14 



Реферат на тему: Вплив домішок зі змінною валентністю на фізичні властивості твердих розчинів на основі телуридів свинцю, олова та германію

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок