Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ЕПР спектроскопія сегнетоелектричних кристалів поблизу фазових переходів

ЕПР спектроскопія сегнетоелектричних кристалів поблизу фазових переходів

Назва:
ЕПР спектроскопія сегнетоелектричних кристалів поблизу фазових переходів
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
29,94 KB
Завантажень:
479
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19 
ДНІПРОПЕТРОВСЬКИЙ національний УНІВЕРСИТЕТ
Трубіцин Михайло Павлович
УДК 538.69:539.124
ЕПР спектроскопія сегнетоелектричних кристалів поблизу фазових переходів
Спеціальність 01.04.07 – фізика твердого тіла
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
доктора фізико-математичних наук
Дніпропетровськ – 2001
Дисертацією є рукопис.
Робота виконана в Дніпропетровському національному університеті, Міністерство освіти і науки України.
Науковий консультант: доктор фізико-математичних наук, професор Кудзін Аркадій Юрійович,
Дніпропетровський національний університет,
м. Дніпропетровськ, професор кафедри фізики твердого тіла
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор,
чл.-кор. НАН України
Глинчук Майя Давидівна,
Інститут проблем матеріалознавства НАН України, м. Київ, завідувач 4 відділу
доктор фізико-математичних наук, професор
Височанський Юліан Миронович,
Ужгородський національний університет, м.Ужгород, проректор
доктор фізико-математичних наук, доцент
Коваленко Олександр Володимирович,
Дніпропетровський національний університет, м.Дніпропетровськ, завідувач кафедри радіоелектроніки
Провідна установа: Інститут фізики НАН України, м. Київ.
Захист відбудеться “15” березня 2002 р. о 1400 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 08.051.02 при Дніпропетровському національному університеті (49050 м. Дніпропетровськ, вул. Наукова, 10, корпус 11, ауд. 300).
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Дніпропетровського національного університету (49050 м. Дніпропетровськ, вул. Казакова, 8).
Автореферат розісланий “29” січня 2002 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Спиридонова І. М.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Стрімкий прогрес у сфері високих технологій базується на досягненнях різних галузей матеріалознавчих наук. Насущні потреби мікроелектронної промисловості стимулювали бурхливий розвиток фізики конденсованих середовищ, один з ведучих напрямків якої присвячено сегнетоелектричним кристалам. Прагнення до більш повного розуміння ключових механізмів виникнення полярного стану обумовлює інтенсивні експериментальні і теоретичні дослідження фазових переходів у сегнетоелектриках. Для найбільш досліджених сегнетоелектричних кристалів переходи до полярного стану обумовлені далекодіючими дипольними силами. Тому устоялася думка, що феноменологічна теорія, доповнена уявленнями про м'яку моду, є достатнім інструментом і здатна дати як несуперечливу якісну картину, так і задовільний кількісний опис температурної поведінки термодинамічних параметрів в експериментально досяжному околі точки переходу до полярної фази.
Актуальність теми. В результаті інтенсивних пошуків перспективних матеріалів за останній час синтезовано велику кількість нових сполук, що зазнають перехід у полярну фазу. Стало можливим виділити нові класи полярних матеріалів, такі як слабополярні сегнетоелектрики і кристали, у яких переходу до сегнетоелектричної передує неспівмірно модульована фаза. Особливості виникнення полярного стану у представників цих класів дозволяють прогнозувати важливу роль флуктуаційних процесів і можливості прояву універсальної природи фізичних властивостей поблизу фазових переходів II роду. Для вирішення цієї проблеми актуальними є комплексні експериментальні дослідження фазових переходів у слабополярних і неспівмірних сегнетоелектриках.
Інша принципова проблема пов'язана з особливостями фазових перетворень у реальних структурах, що містять різні типи дефектів. Зв'язок властивостей кристала з дефектами решітки уже досить усвідомлений і знаходить численні застосування. Природно очікувати, що поблизу фазових переходів, де структура кристала лабільна і властивості підвищено сприйнятливі до зовнішніх впливів, наявність структурних дефектів може ставати вирішальним фактором, відповідальним за багато явищ. З наведеного випливає актуальність дослідження фазових переходів у сегнетоелектричних кристалах з якісно і кількісно контрольованим вмістом дефектів. Перевагу при цьому слід віддати експериментальним методам, що подають пряму інформацію про мікроструктуру дефектів і особливості їхньої взаємодії з решіткою кристала.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19 



Реферат на тему: ЕПР спектроскопія сегнетоелектричних кристалів поблизу фазових переходів

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок