Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ВПЛИВ ІНДУКОВАНИХ ЛАЗЕРНИМ ВИПРОМІНЮВАННЯМ УДАРНИХ ХВИЛЬ НА СТАН ДЕФЕКТІВ У ВУЗЬКОЩІЛИННИХ ТВЕРДИХ РОЗЧИНАХ Hg1-xCdxTe ТА Pb1-xSnxTe

ВПЛИВ ІНДУКОВАНИХ ЛАЗЕРНИМ ВИПРОМІНЮВАННЯМ УДАРНИХ ХВИЛЬ НА СТАН ДЕФЕКТІВ У ВУЗЬКОЩІЛИННИХ ТВЕРДИХ РОЗЧИНАХ Hg1-xCdxTe ТА Pb1-xSnxTe

Назва:
ВПЛИВ ІНДУКОВАНИХ ЛАЗЕРНИМ ВИПРОМІНЮВАННЯМ УДАРНИХ ХВИЛЬ НА СТАН ДЕФЕКТІВ У ВУЗЬКОЩІЛИННИХ ТВЕРДИХ РОЗЧИНАХ Hg1-xCdxTe ТА Pb1-xSnxTe
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
23,88 KB
Завантажень:
451
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15 
Чернівецький національний університет
імені Юрія Федьковича
Яковина Віталій Степанович
УДК 621.315.592
ВПЛИВ ІНДУКОВАНИХ ЛАЗЕРНИМ ВИПРОМІНЮВАННЯМ УДАРНИХ ХВИЛЬ НА СТАН ДЕФЕКТІВ У ВУЗЬКОЩІЛИННИХ ТВЕРДИХ РОЗЧИНАХ Hg1-xCdxTe ТА Pb1-xSnxTe
(01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків)
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Чернівці – 2002


Дисертацією є рукопис.
Робота виконана на кафедрі напівпровідникової електроніки Національного університету "Львівська політехніка".
Науковий керівник: | доктор фізико-математичних наук, професор
Берченко Микола Миколайович,
Національний університет "Львівська політехніка",
професор кафедри напівпровідникової електроніки
Офіційні опоненти: | доктор фізико-математичних наук, старший науковий співробітник
Паранчич Степан Юрійович,
Чернівецький національний університет,
професор кафедри фізичної електроніки і нетрадиційної енергетики
кандидат фізико-математичних наук, старший науковий співробітник
Котлярчук Богдан Костянтинович,
Інститут прикладних проблем механіки і математики НАН України, м. Львів,
провідний науковий співробітник
Провідна установа: | Інститут фізики напівпровідників НАН України, м Київ
Захист відбудеться 22 березня 2002 р. о 1500 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д .051.01 при Чернівецькому національному університеті імені Юрія Федьковича за адресою: 58012, м. Чернівці, вул. Коцюбинського, 2.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Чернівецького національного університету імені Юрія Федьковича (58012, м. Чернівці, вул. Лесі Українки, 23).
Автореферат розісланий 22 лютого 2002 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради |
__________________ |
Курганецький М.В.


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Інтенсивний розвиток інфрачервоної фотоелектроніки та її використання в різноманітних сферах людської діяльності (у системах спостереження, оптичному зв’язку, медицині, спеціальній апаратурі та ін.) зумовили новий якісний рівень вирішення задач, пов’язаних з реєстрацією та контролем параметрів навколишнього середовища, досліджуваних процесів і об’єктів. Саме це і стимулювало пошук та розробку нових напівпровідникових матеріалів та структур, фоточутливих в ІЧ-області спектру, зокрема у вікні прозорості атмосфери 8-14 мкм.
Найширше застосування в цьому зв’язку знайшли вузькощілинні напівпровідникові тверді розчини на основі бінарних сполук II-VI та IV-VI. На цей час для названих матеріалів розроблені ефективні технології як вирощування досконалих монокристалів та епітаксійних шарів, так і створення різного типу приладних структур. Залишається актуальним пошук методів та засобів управління параметрами як вихідних матеріалів, так і структур на їх основі, що б дозволило покращити експлуатаційні параметри приладів та їх надійність. Ураховуючи низьку температурну стабільність усіх халькогенідів, особливо слід виділити методи нетермічної активації технологічних процесів, одним з яких і є методи лазерної обробки матеріалів.
Вплив індукованих імпульсом лазерного випромінювання ударних хвиль – лазерних ударних хвиль (ЛУХ) на матеріали завдяки їх зручності у використанні, технологічності та широким можливостям змінювати параметри ЛУХ за допомогою зміни параметрів лазерного випромінювання досить широко досліджували протягом останніх двох десятиліть. Проте основні акценти робили на зміни механічних параметрів металів під дією ЛУХ, а як засіб впливу на напівпровідники ЛУХ ще не знайшли широкого застосування. При цьому в більшості досліджень вивчали комплексний вплив як теплової та світлової дії імпульсів лазерного випромінювання, так і ЛУХ. Отже вплив на напівпровідники саме ЛУХ, без термічної дії лазера залишається практично недослідженим. Особливо це актуально у випадку вузькощілинних напівпровідників, зокрема твердих розчинів Hg1_хCdхTe, в яких навіть найменший нагрів призводить до суттєвих змін параметрів матеріалу.
Як бачимо, у той час як процеси взаємодії лазерного випромінювання з напівпровідниками, і вузькощілинними зокрема, досить широко і детально досліджені, процеси ударностимульованого дефектоутворення та модифікації властивостей напівпровідників залишають широке поле для досліджень.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15 



Реферат на тему: ВПЛИВ ІНДУКОВАНИХ ЛАЗЕРНИМ ВИПРОМІНЮВАННЯМ УДАРНИХ ХВИЛЬ НА СТАН ДЕФЕКТІВ У ВУЗЬКОЩІЛИННИХ ТВЕРДИХ РОЗЧИНАХ Hg1-xCdxTe ТА Pb1-xSnxTe

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок