Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Розробка фізико-технологічних основ одержання плівок сульфіда самарію для тензорезисторів і дослідження їх параметрів

Розробка фізико-технологічних основ одержання плівок сульфіда самарію для тензорезисторів і дослідження їх параметрів

Назва:
Розробка фізико-технологічних основ одержання плівок сульфіда самарію для тензорезисторів і дослідження їх параметрів
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
15,03 KB
Завантажень:
96
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ІНСТИТУТ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ
ХАНОВА ГАННА ВЛАДИСЛАВІВНА
УДК 537.312.7 621.315.592
Розробка фізико-технологічних основ одержання плівок сульфіда самарію для тензорезисторів і дослідження їх параметрів
спеціальність - 01.04.01 - фізика приладів, елементів і систем
А В Т О Р Е Ф Е Р А Т
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Київ 2000
Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Інституті фізики напівпровідників НАН України
Науковий керівник: академік НАН України, доктор технічних наук, професор Свєчніков Сергій Васильович, Інститут фізики напівпровідників НАН України, завідуючий відділенням
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор Романюк Борис Миколайович, Інститут фізики напівпровідників НАН України, провідний науковий співробітник
доктор фізико-математичних наук, професор Морозовський Микола Володимирович, Інститут фізики НАН України, провідний науковий співробітник
Провідна установа: Національний технічний Університет України “
Київський політехнічний інститут”,
факультет електроніки, кафедра мікоелектроніки, м. Київ
Захист дисертації відбудеться 17 листопада 2000 р. о 14 год. 30 хв.
на засіданні спеціалізованої вченої ради К26.199.01 в Інституті фізики напівпровідників НАН України за адресою: 03028, Київ-28, проспект Науки, 45
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Інституту фізики напівпровідників НАН України за адресою: 03028, Київ-28, проспект Науки, 45
Автореферат розісланий 15 жовтня 2000 року
Вчений секретар спеціалізованої вченої ради
кандидат фізико-математичних наук Охріменко О.Б.ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Один із важливих напрямків сучасної тензометрії пов'язаний з використанням нових матеріалів, спроможних підвищити вихідний сигнал тензорезисторних датчиків при покращенні їх метрологічних характеристик. На сьогодні при статичних та динамічних випробуваннях, а також для оснащення датчиків механічних величин, які використовуються в різних галузях науки і техніки, широко використовуються металеві тензорезистори. Застосування напівпровідникових тензорезисторів дозволяє суттєво (більш, ніж на порядок величини) підвищити чутливість тензорезисторних датчиків. Однак, традиційні напівпровідникові матеріали (кремній, германій та ін.) на знаходять широкого застосування в тензометрії. Це пов'язано, в першу чергу, із значною нелінійністю характеристик і температурною нестабільністю.
В зв'язку з цим виникає потреба в дослідженні нових напівпровідникових матеріалів, які можуть знайти застосування в тензорезисторних датчиках механічних величин. Одними із таких матеріалів є рідкоземельні напівпровідники і, насамперед, моносульфід самарію. Він має найкращі характеристики для застосування в тензометрії: рекордну тензочутливість, високу лінійність тензохарактеристики та відносно низький температурний коефіцієнт опору (ТКО). Крім того, матеріали на основі SmS дуже стійкі до впливу високих температур, великих магнітних полів, радіаційного випромінювання.
Таким чином, виникає необхідність розробки методів виготовлення чутливих елементів із матеріалів на основі SmS та способів контролю їх параметрів. Найбільш простими і зручними в виготовленні та застосуванні можуть бути чутливі елементи у вигляді тонких полікристалічних плівок рідкоземельних напівпровідників на основі SmS.
Основним методом отримання плівок моносульфіду самарію на сьогодні є метод термічного випаровування в вакуумі. Разом з цим, відомо про отримання плівок рідкоземельних сполук термічним розкладом хелатних металоорганічних сполук (МОС). Головними позитивними якостями цього методу є низька температура отримання плівок (200-300°С), простота технологічного обладнання, універсальність (можливість отримувати не тільки напівпровідникові, але і металеві та діелектричні плівки).
Окрім методів отримання тензорезистивних плівок на основі SmS, важливу роль в створенні чутливого елементу відіграють матеріал контактів та методи їх формування, які впливають на характеристики тензорезистивних плівок.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9 



Реферат на тему: Розробка фізико-технологічних основ одержання плівок сульфіда самарію для тензорезисторів і дослідження їх параметрів

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок