Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ВПЛИВ МЕТАСТАБІЛЬНИХ ТА РЕЗОНАНСНИХ ДОМІШКОВИХ СТАНІВ НА ЯВИЩА ПЕРЕНОСУ В ТВЕРДИХ РОЗЧИНАХ А3В5 ТА А2В6.

ВПЛИВ МЕТАСТАБІЛЬНИХ ТА РЕЗОНАНСНИХ ДОМІШКОВИХ СТАНІВ НА ЯВИЩА ПЕРЕНОСУ В ТВЕРДИХ РОЗЧИНАХ А3В5 ТА А2В6.

Назва:
ВПЛИВ МЕТАСТАБІЛЬНИХ ТА РЕЗОНАНСНИХ ДОМІШКОВИХ СТАНІВ НА ЯВИЩА ПЕРЕНОСУ В ТВЕРДИХ РОЗЧИНАХ А3В5 ТА А2В6.
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
14,61 KB
Завантажень:
324
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ІНСТИТУТ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ
ім. В.Є. Лашкарьова
На правах рукопису
Рябченко Юрій Сергійович
УДК 621.315.592
ВПЛИВ МЕТАСТАБІЛЬНИХ ТА РЕЗОНАНСНИХ ДОМІШКОВИХ СТАНІВ НА ЯВИЩА ПЕРЕНОСУ В ТВЕРДИХ РОЗЧИНАХ А3В5 ТА А2В6.
01.04.07 – фізика твердого тіла
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Київ - 2003
Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Інституті фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова Національної Академії Наук України
Науковий керівник:
доктор фізико-математичних наук, професор Бєляєв Олександр Євгенович, Інститут фізики напівпровідників НАН України, провідний науковий співробітник
 
Офіційні опоненти:
доктор фізико-математичних наук, професор Корсунська Надія Овсіївна, Інститут фізики напівпровідників НАН України, провідний науковий співробітник
доктор фізико-математичних наук, професор Гнатенко Юрій Павлович, Інститут фізики НАН України, завідувач відділу.
Провідна організація:
Чернівецький національний університет ім.Ю. Федьковича Міністерства освіти і науки України. Місто Чернівці.
Захист дисертації відбудеться “27 червня” 2003 р. о 14 год 15 хв. На засіданні спеціалізованої вченої ради К.26.199.01 при Інституті фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України за адресою 03039, м. Київ 39, проспект Науки, 45.
Автореферат розісланий “27” травня 2003 р.
Секретар спеціалізованої
вченої ради Охріменко О.Б.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Властивості напівпровідникових матеріалів, що використовуються у сучасній напівпровідниковій електроніці, багато в чому залежать від присутності в них тих чи інших центрів, які, завдяки впливу на концентрацію або рухливість носіїв, можуть обмежувати провідність матеріалу.
Одним із таких прикладів є глибокі DX-центри у твердих розчинах на базі напівпровідників типу А3В5, легованих елементами IV або VI групи. Такі центри, зазвичай, виступають як бістабільні і призводять до обмеження характеристик світловипромінюючих діодів (LED) або польових транзисторів, виготовлених із структур з модульованим легуванням на основі А3В5-матеріалів. В певній області складів А3(І)хА3(ІІ)1-хВ5 ці ж самі центри можуть виступати як такі, що пінінгують положення рівня Фермі у зоні провідності, а при малих рівнях легування – як резонансні.
Так само резонансні рівні виникають у вузькощілинних твердих розчинах, особливо в разі, коли один з атомів розчину може перезаряджатися, формуючи резонансний стан.
Вивченню природи і властивостей центрів у напівпровідниках, що формують метастабільні і резонансні стани, в останні роки було присвячено багато робіт, проте значне коло питань, важливих як для розуміння фізичних принципів утворення і “роботи” таких центрів, так і для практичного використання матеріалів з подібними центрами, залишаються відкритими.
У даній роботі подані результати вивчення метастабільних та резонансних центрів у напівпровідниках шляхом використання гальваномагнітних методів вимірювань у поєднанні з оптичним та ультразвуковим впливами на досліджувані зразки.
За першу групу об’єктів обрані широкощілинні напівпровідники А3В5, де в якості центрів, що вивчаються, виступають домішки, які заміщують атоми ІІІ або V групи. Вони, як відомо, формують DX-центри з незвичайними властивостями. Крім того, вивчаються вузькощілинні напівпровідники А21-х Мех В6, де А – Hg, а Ме – іони перехідної групи заліза. Зокрема досліджені Hg1-xFexSe, Hg1-xCoxSe. Тут перехідні іони (наприклад, заліза), що можуть перезаряджатися з стану Fe2+ в Fe3+, постачаючи при цьому електрони у зону провідності, формують водночас резонансний стан, який пінінгує рівень Фермі.
В роботі вивчаються нові аспекти природи і властивостей сполук з відповідними центрами.
На даний час досягнуто досить високого рівня розуміння природи і властивостей DX-центрів у сполуках А3В5 і твердих розчинах на їхній основі. Виявлена велика різниця між енергіями термічного й оптичного збудження DX-центрів викликала для свого пояснення розвиток уявлення про ці центри як про багатозарядні дефекти з від’ємною кореляційною енергією.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9 



Реферат на тему: ВПЛИВ МЕТАСТАБІЛЬНИХ ТА РЕЗОНАНСНИХ ДОМІШКОВИХ СТАНІВ НА ЯВИЩА ПЕРЕНОСУ В ТВЕРДИХ РОЗЧИНАХ А3В5 ТА А2В6.

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок