Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> РОЗРОБКА ТЕХНОЛОГІЇ ВИСОКОНАДІЙНИХ ТЕРМОЕЛЕКТРИЧНИХ МОДУЛІВ ПЕЛЬТЬЄ НА ОСНОВІ КРИСТАЛІВ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ Bi-Te-Se-Sb

РОЗРОБКА ТЕХНОЛОГІЇ ВИСОКОНАДІЙНИХ ТЕРМОЕЛЕКТРИЧНИХ МОДУЛІВ ПЕЛЬТЬЄ НА ОСНОВІ КРИСТАЛІВ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ Bi-Te-Se-Sb

Назва:
РОЗРОБКА ТЕХНОЛОГІЇ ВИСОКОНАДІЙНИХ ТЕРМОЕЛЕКТРИЧНИХ МОДУЛІВ ПЕЛЬТЬЄ НА ОСНОВІ КРИСТАЛІВ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ Bi-Te-Se-Sb
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
19,03 KB
Завантажень:
448
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 
НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ
“ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА”
УДК: 537.312:621.383
РОМАНЮК ІГОР СТЕПАНОВИЧ
РОЗРОБКА ТЕХНОЛОГІЇ ВИСОКОНАДІЙНИХ ТЕРМОЕЛЕКТРИЧНИХ МОДУЛІВ ПЕЛЬТЬЄ НА ОСНОВІ КРИСТАЛІВ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ Bi-Te-Se-Sb
05.27.06 – технологія, обладнання та виробництво електронної техніки
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата технічних наук
Л Ь В І В – 2 0 0 5


Дисертацією є рукопис.
Робота виконана на кафедрі радіотехніки Чернівецького національного університету імені Юрія Федьковича Міністерства освіти і науки України та ВАТ „Кварц” Міністерства Промислової політики України.
Науковий керівник: |
доктор технічних наук, старший науковий співробітник
АЩЕУЛОВ Анатолій Анатолійович,
головний науковий співробітник Інституту термоелектрики НАН і МОН України, м.Чернівці
Офіційні опоненти: |
доктор хімічних наук, заслужений діяч
науки і техніки України, професор
ФРЕЇК Дмитро Михайлович
Прикарпатський Національний університет ім.В.Стефаника, завідуючий кафедрою фізики твердого тіла.
доктор технічних наук, професор
ДРУЖИНІН Анатолій Олександрович
Національний університет „Львівська політехніка”,
завідуючий кафедрою напівпровідникової електроніки.
Провідна установа - Інститут проблем матеріалознавства імені І.Францевича НАН України
Захист відбудеться 23 вересня 2005 року о 1700 на засіданні спеціалізованої ради Д 35.052.12 у Національному університеті “Львівська політехніка” (79013, м. Львів, вул. С. Бандери, 12).
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Національного університету “Львівська політехніка”, за адресою 79013 м. Львів, вул. Професорська, 1.
Автореферат розіслано _10_серпня 2005 року
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Заячук Д.М.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Одним з основних параметрів які характеризують надійність термоелектричних модулів Пельтьє (ТЕМ) є стабільність їх характеристик як у стаціонарному режимі, так і при термоциклюванні під час експлуатації. При цьому ТЕМ повинні бути працездатні при тривалому зберіганні. Характеристики напівпровідникових матеріалів, на основі яких створюються кристали ТЕМ та їх конструктивно-технологічні параметри визначають стабільність термоелектричних модулів.
Створення надійних ТЕМ, які здатні зберігати свої параметри під час тривалого терміну напрацювання залишається актуальною проблемою. Вона зумовлена відсутністю технологічно-відтворюваних однорідних термоелектричних матеріалів з високими значеннями добротності Zp,n, при малих розмірах та низькими значеннями їх механічної міцності.
Відсутність даних щодо статичних і динамічних механічних міцностей ТЕМ та власних резонансних частот коливань також не дозволяє проводити відповідну оптимізацію конструкцій ТЕМ. При цьому існуючі технології антидифузійних шарів гілок, електрокомутаційних перемичок керамічних пластин та збирання ТЕМ не дають можливості підвищити їх надійність, яка на сьогодні залишається на рівні 3000 – 7000 годин напрацювання. Слід зазначити, що існуючі серійні методи вирощування кристалів твердих розчинів Bi-Te-Se-Sb дозволяють отримувати злитки діаметром 15 – 18 мм, які характеризуються високим рівнем неоднорідності (блочністю), низькою механічною міцністю на розрив В=(0,4-0,5) кГс/мм2, що не забезпечує повторюваність електрофізичних параметрів кристалів при малому проценті виходу придатного матеріалу.
Вирішення зазначених питань дозволило б реалізувати конструкцію модулів підвищеної надійності з покращеними параметрами та зменшеною собівартістю. Слід відмітити що підвищення надійності самого ТЕМ веде до зменшення витрат на забезпечення його надійної роботи за рахунок зовнішніх чинників. Це, у свою чергу, сприяє зменшенню собівартості як модулів зокрема, так і комплексів апаратури, в якій вони використовуються. Загалом такий підхід сприяє підвищенню конкурентоздатності ТЕМ та приладів на їх основі як на ринках України та СНГ, так і у світі в цілому.
Отже, розробка нових технологій ТЕМ підвищеної надійності на основі кристалів твердих розчинів Bi-Te-Se-Sb, зростання проценту виходу придатних, що здійснено у представленій роботі, є актуальним та доцільним завданням для розвитку електроніки в Україні.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 



Реферат на тему: РОЗРОБКА ТЕХНОЛОГІЇ ВИСОКОНАДІЙНИХ ТЕРМОЕЛЕКТРИЧНИХ МОДУЛІВ ПЕЛЬТЬЄ НА ОСНОВІ КРИСТАЛІВ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ Bi-Te-Se-Sb

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок