Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ПРОЦЕСИ РОЗСІЯННЯ СВІТЛА НАНО- ТА МІКРОСКОПІЧНИМИ ОБ’ЄКТАМИ В НАПІВПРОВІДНИКАХ ТА ДІЕЛЕКТРИКАХ

ПРОЦЕСИ РОЗСІЯННЯ СВІТЛА НАНО- ТА МІКРОСКОПІЧНИМИ ОБ’ЄКТАМИ В НАПІВПРОВІДНИКАХ ТА ДІЕЛЕКТРИКАХ

Назва:
ПРОЦЕСИ РОЗСІЯННЯ СВІТЛА НАНО- ТА МІКРОСКОПІЧНИМИ ОБ’ЄКТАМИ В НАПІВПРОВІДНИКАХ ТА ДІЕЛЕКТРИКАХ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
29,74 KB
Завантажень:
205
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18 
ІНСТИТУТ ФІЗИКИ
НАЦІОНАЛЬНОЇ АКАДЕМІЇ НАУК УКРАЇНИ
Стерлігов Валерій Анатолійович
УДК 535.36; 535.361
ПРОЦЕСИ РОЗСІЯННЯ СВІТЛА НАНО- ТА МІКРОСКОПІЧНИМИ ОБ’ЄКТАМИ В НАПІВПРОВІДНИКАХ ТА ДІЕЛЕКТРИКАХ
01.04.05 – оптика, лазерна фізика
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
доктора фізико-математичних наук
Київ - 2005
Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Інституті фізики напівпровідників
імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Науковий консультант:
доктор технічних наук, професор, академік НАН України
Свєчніков Сергій Васильович,
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України,
почесний директор інституту, завідувач відділу
Офіційні опоненти:
доктор фізико-математичних наук, професор
Сарбей Олег Георгійович,
Інститут фізики НАН України,
завідувач відділу
доктор фізико-математичних наук, професор,
Поперенко Леонід Володимирович,
Київський національний університет імені Тараса Шевченка,
завідувач кафедри
доктор фізико-математичних наук
Кудрявцев Юрій Володимирович,
Інститут металофізики НАН України, провідний науковий співробітник
Провідна установа:
Харківський національний університет імені Р.Н.Каразіна,
Захист відбудеться “24” листопада 2005 р. о 10 год. 30 хв. на засіданні спеціалізованої вченої ради Д26.159.01 при Інституті фізики НАН України
за адресою: проспект Науки, 46, Київ, 03028
З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці Інституту фізики НАН України
за адресою: проспект Науки, 46, Київ, 03028
Автореферат розісланий “21” жовтня 2005 р.
Вчений секретар спеціалізованої вченої ради
доктор фізико-математичних наук Чумак А.А.


Загальна характеристика роботи
Актуальність теми. Розсіяння світла поверхнею є одним із фундаментальних процесів, які характеризують взаємодію світла з речовиною, а також надають переважну (у порівнянні з процесами пропускання і відбивання) частину інформації про структуру поверхні та характер її неоднорідностей. З огляду на сказане коректна інтерпретація процесів розсіяння є дуже важливою для розуміння природи досліджуваних об’єктів.
Інтенсивність розсіяного світла безпосередньо залежить від шорсткості поверхні, що дозволяє її вимірювання. Кутовий розподіл інтенсивності розсіяного світла прямо пов'язаний із статистичними властивостями поверхневої шорсткості. Азимутальний розподіл розсіяного світла дозволяє оцінити азимутальну структуру поверхневих властивостей. Спектр розсіяного світла є функцією спектрів відбивання і поглинання, які також можуть бути оцінені у такий спосіб. Наведений перелік є далеко не повним і стосується тільки частини інформації, яка може бути отримана з дослідження розсіяного світла.
Дисертаційна робота є дуже актуальна і з огляду на численні практичні застосування, оскільки розсіяння відповідає за втрати при розповсюдженні світла в оптичному середовищі, при взаємодії з плоскою поверхнею, а також при розповсюдженні світла в умовах його обмеження повним внутрішнім відбиванням від меж плоского хвилеводу або ж оптичного волокна. Розсіяння світла – одне з принципових джерел неідеальності характеристик оптичних середовищ і приладів, отже вивчення процесів, які призводять до розсіяння випромінювання, є надзвичайно важливим для багатьох практичних застосувань, для підвищення оптичної якості пристроїв і приладів.
Взагалі поверхню описують як двовимірну систему. Тільки в окремих випадках її структура може бути редукована до одновимірної. Таким чином можливо описати також структуру ізотропних об’єктів. Проте, обидва ці окремі випадки зустрічаються досить рідко. В загальному випадку для адекватного представлення структури поверхні потрібен саме двовимірний її аналіз. Аналогічною є й ситуація при проведенні досліджень розсіяння світла мікро- і наночастинками, точковими або протяжними дефектами структури кристалів напівпровідників або діелектриків.
Проте, до початку наших досліджень двовимірний аналіз просторового розподілу розсіяного світла не проводився і його методи не були розроблені. Як правило, для всіх досліджуваних об'єктів вимірювалася інтенсивність розсіяного світла тільки в одній площині, зазвичай, в площині падіння, а потім без додаткового обґрунтування припускалося, що ці дані адекватно представляють структуру розсіяного світла для всіх інших перерізів просторового розподілу.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18 



Реферат на тему: ПРОЦЕСИ РОЗСІЯННЯ СВІТЛА НАНО- ТА МІКРОСКОПІЧНИМИ ОБ’ЄКТАМИ В НАПІВПРОВІДНИКАХ ТА ДІЕЛЕКТРИКАХ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок