Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Фотоелектричні властивості поверхні (111) алмазних полікристалічних плівок

Фотоелектричні властивості поверхні (111) алмазних полікристалічних плівок

Назва:
Фотоелектричні властивості поверхні (111) алмазних полікристалічних плівок
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
18,80 KB
Завантажень:
15
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 
Актуальність роботи: Сучасний стан мікроелектроніки, фото- і оптоелек
троніки, в основному, визначається досягненнями тонко пл


НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ДОНЕЦЬКИЙ ФІЗИКО-ТЕХНІЧНИЙ ІНСТИТУТ ім. О.О. ГАЛКІНА
На правах рукопису
СОРОКА Валентина Панасівна
УДК:537.635-539.216
Фотоелектричні властивості поверхні (111) алмазних полікристалічних плівок
01.04.07 - Фізика твердого тіла
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Донецьк-2007
Дисертацією є рукопис
Робота виконана на кафедрі фізики та фізичного матеріалознавства Донбаської Національної академії будівництва і архітектури МОН України.
доктор фізико-математичних наук, професор
Токій Валентин Володимирович
Донецький фізико-технічний інститут ім.. О.О. Галкіна
НАН України, ст. н.с.
Науковий керівник:
доктор фізико- математичних наук, професор,
Бажин Анатолій Іванович., Донецький національний університет Міністерства освіти і науки України,
завідувач кафедрри фізики твердого тіла та фізичного матеріалознавства
доктор фізико- математичних наук, професор,
Стиров Владислав Володимирович, Приазовський державний технічний університет Міністерства освіти і науки України, професор кафедри фізики
Офіційні опоненти:
Захист відбудеться “30” жовтня 2007 р. о 1400 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д .184.01 при Донецькому фізико-технічному інституті ім. О.О. Галкіна НАН України (83114, м. Донецьк, вул. Р.Люксембург, 72).
З дисертацією можна ознайомитися в бібліотеці Донецького фізико-технічного інституту ім. О.О. Галкіна НАН України (83114, г. Донецьк, вул. Р.Люксембург, 72).
Автореферат розісланий „27” вересня 2007 р.
Вчений секретар спеціалізованої
вченої ради Д .184.01,
кандидат фізико-математичних наук Т.М. Тарасенко
Актуальність роботи: Сучасний стан мікроелектроніки, фото- і оптоелектроніки, в основному, визначається досягненнями тонко плівкової технології. Поверхнево чуттєві ефекти широкозонних матеріалів знайшли широке застосування в сенсорній техніці, дослідженнях фізики Сонця, алмазні плівки можуть бути використані, як матеріал для фотокатодів, що працюють в області вакуумного ультрафіолетового та жорсткого рентгенівського випромінювання.
Приймаючи до уваги високий рівень термічної, радіаційної і хімічної стійкості алмазу, а також низький коефіцієнт дифузії домішок, можна чекати зниження деградаційних процесів, а також ефектів старіння матеріалу, що визначають надійність і довговічність фотоелектричних елементів. Однак, на сьогодні питання формування енергетичного спектра електронів реальних алмазних матеріалів не одержали однозначної відповіді.
Вивчення електрофізичних процесів, що протікають на поверхні такого перспективного матеріалу, як алмазні полікристалічні плівки, має важливе практичне значення.
Зв’язок роботи з науковими програмами, планами, темами. Дисертаційна робота виконувалася за рахунок бюджетних асигнувань по найважливішим напрямкам науки і техніки: “Дослідження механізму формування електронних властивостей алмазних матеріалів на стадії обробки потоком енергії високих густин з метою розробки можливостей керування технологічними процесами, створення перетворювачів систем автоматики, стійких до хімічно агресивних середовищ і радіації на основі алмазу" (Наказ Мінвузу УРСР № 72 від 21.03.89р. за № 01890088757, 1989-1991р.). По проблемі "Інформатика й автоматизація” (Постанова Ради Міністрів УРСР № 80 від 4.04.1988р.) "Створити установку і розробити технологію одержання алмазних плівок для елементної бази складної побутової техніки" за № 01890088759, 1989-1991р. - Постанова Ради Міністрів УРСР № 326 від 13.03.1987р. "Розробити теорію електронних явищ в алмазі і на границях розподілу алмазу з іншими середовищами, а також активні елементи електроніки на основі алмазу" (№ 01890088758,1990-1991р.), за планом фундаментально, пошукових і прикладних досліджень у вищих навчальних закладах, відповідно до Державного замовлення Ради Міністрів і Міносвіти України - наказ Міносвіти України № 28 від 21.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 



Реферат на тему: Фотоелектричні властивості поверхні (111) алмазних полікристалічних плівок

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок