Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Фотоакустична спектроскопія нанометрових напівпровідникових структур

Фотоакустична спектроскопія нанометрових напівпровідникових структур

Назва:
Фотоакустична спектроскопія нанометрових напівпровідникових структур
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
16,11 KB
Завантажень:
35
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 
Національна Академія Наук України
Інститут фізики
 
Сальников Вадим Олександрович
УДК 538.913;536.97;623.385;
537.311;621.315.59
Фотоакустична спектроскопія
нанометрових напівпровідникових структур
01.04.07 – фізика твердого тіла
Автореферат дисертації
на здобуття вченого ступеню
кандидата фізико-математичних наук
Київ – 2002
Дисертація є рукопис.
Робота виконана в Інституті фізики НАН України.
Науковий керівник: член-корр. НАН України,
доктор фіз.-мат. наук, професор
Блонський Іван Васильович
Інститут фізики НАН України,
Завідувач лабораторії
Офіційні опоненти: доктор фіз.-мат. наук, професор
Корбутяк Дмитро Васильович
Інститут фізики напівпровідників
НАНУ,завідувач відділу
кандидат фіз.-мат. наук,
Бурбело Роман Михайлович
Київський національний університет,
фіз.факультет, доцент кафедри заг.
фізики
Провідна організація: Львівський національний
університет ім. І.Франка,
кафедра фізики напівпровідників
Захист дисертації відбудеться  “28” березня 2002 року о 1430 годині, на засіданні Спеціалізованої Вченої Ради Д 26.159.01 в Інституті фізики НАН України за адресою: 03650, Київ-39, проспект Науки, 46.
З дисертацією можна ознайомитися у науковій бібліотеці Інституту фізики НАН України.
Автореферат розісланий “26” лютого 2002 р.
Вчений секретар
Спеціалізованої Вченої Ради Д 26.159.01 Іщук В.А.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. З середини 80-х років в практику наукових досліджень в області фізики твердого тіла активно впроваджуються нові об’єкти – напівпровідникові “квантові крапки”, або як їх ще називають квазінульмірні структури. Така назва відмічених структурних форм випливає із того, що у всіх трьох напрямках просторова область локалізації хвильової функції електронних збуджень співмірна з геометричними розмірами нанокристаліту. В результаті, енергетичний спектр їх електронних збуджень відчуває вплив квантово-розмірного ефекту. На нанометровій шкалі розмірів величина енергетичної поправки, зумовлена проявом квантово-розмірного ефекту, може бути близькою за величиною до значення ширини забороненої зони відповідних трьохмірних (об’ємних) структур. Останнє відкриває можливості не тільки переведення напівпровідникових матеріалів електронної техніки на новий метричний рівень (мікро – нано), а й керування їх електронними властивостями шляхом зміни розміру і форми наночасток. Модельними об’єктами для досліджень на початковому етапі переважно були наночастки різних напівпровідникових фаз, інкорпоровані в пористі стекла, полімерні матриці, мінерали з власними пустотами нанометрових розмірів (цеоліти, опали, тощо), а також пористий кремній. Останній об’єкт викликав значний науковий і практичний інтерес у зв’язку з відкриттям яскравого явища – сильного люмінесцентного випромі-нювання у видимому діапазоні спектра, що обіцяло перспективу його практичного використання в пристроях інтегральної кремнієвої оптоелектроніки. При експериментальному дослідженні таких матеріалів центральне місце займала проблема розмірного перенормування енергетичного спектра електронних збуджень. Як правило, для її вирішення на практиці використовують методи оптичної спектроскопії. Але для випадку перерахованих вище об’єктів класичні оптичні методи діагностики є малоприйнятними, принаймні внаслідок двох причин: досліджувані об’єкти є “мутними” середовищами, для яких вклад в загальну екстинкцію від дифузної компоненти розсіяного світла є досить значним; такі речовини часто являють собою плівкові структури мікронних товщин, які знаходяться в механічному контакті з підкладкою (наприклад шар пористого кремнію в контакті з монолітним кремнієм), або структури складної геометричної форми (нанокластерні фази в порах силікагелю, цеолітів, опалів). У зв’язку з такими проблемами було виправданим використання методів, для яких відзначені особливості не були б проблемними. До таких належать спектральні методи, основані на фотоакустичному ефекті (ФАЕ). В основі ФАЕ лежить генерація пружних хвиль у досліджуваному середовищі під впливом його опромінення промодульованим по інтенсивності світлом.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 



Реферат на тему: Фотоакустична спектроскопія нанометрових напівпровідникових структур

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок