Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ВПЛИВ СТРУКТУРИ БАЗОВОЇ ОБЛАСТІ І КОНТАКТІВ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ІНЖЕКЦІЙНИХ ФОТОДІОДІВ

ВПЛИВ СТРУКТУРИ БАЗОВОЇ ОБЛАСТІ І КОНТАКТІВ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ІНЖЕКЦІЙНИХ ФОТОДІОДІВ

Назва:
ВПЛИВ СТРУКТУРИ БАЗОВОЇ ОБЛАСТІ І КОНТАКТІВ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ІНЖЕКЦІЙНИХ ФОТОДІОДІВ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
18,83 KB
Завантажень:
96
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 
ОДЕСЬКА НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ ЗВ’ЯЗКУ ім. О.С. ПОПОВА
Сидорець Ростислав Григорович
УДК 621.315
ВПЛИВ СТРУКТУРИ БАЗОВОЇ ОБЛАСТІ І КОНТАКТІВ
НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ІНЖЕКЦІЙНИХ ФОТОДІОДІВ
05.12.20 – оптоелектронні системи
А В Т О Р Е Ф Е Р А Т
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата технічних наук
Одеса – 2004


Дисертацією є рукопис.
Робота виконана в Одеській національній академії зв’язку ім. О.С. Попова
Державного комітету зв’язку та інформатизації України.
Науковий керівник | доктор фізико-математичних наук, професор
Курмашев Шаміль Джамашевич,
Одеський національний університет ім. І.І. Мечни-кова, Міністерства освіти і науки України, директор Експертного центру Сенсорна електроніка
Офіційні опоненти: |
доктор фізико-математичних наук, професор
Дроздов Валентин Олексійович,
Одеський інститут сухопутних військ, Міністерства оборони України,завідуючий кафедрою фізики
кандидат технічних наук, доцент
Корнійчук Володимир Іванович,
Одеська національна академія зв’язку ім. О.С. По-пова, Державного комітету звязку та інформатизації України, доцент кафедри волоконно-оптичних ліній зв’язку
Провідна установа: | Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лаш-карьова Національної Академії наук України,
м. Київ
 
Захист відбудеться 29.06.2004 р. о 14 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 41.816.01 в Одеській національній академії зв’язку
ім. О.С. Попова за адресою: 65029, м. Одеса, вул. Кузнечна, 1.
З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці Одеської національної академії зв’язку за адресою: 65029, м. Одеса, вул. Кузнечна, 1.
Автореферат розісланий 27.05.2004 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради,
професор А.М. Іваницький


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Сьогодні сфери використання оптоелектронних систем прийому та реєстрації інформації поширюються з кожним днем. Одним з важливих елементів сучасних приладів оптоелектроніки є напівпровідникові фотоприймачі (дискретні та матричні). Розвиток волоконно-оптичних систем зв’язку, автоматичних пристроїв керування, навігації, засобів контролю і моніторингу довкілля підвищив вимоги до чутливості фотодетекторів. Існує цілий ряд проблем, які можуть бути вирішені лише за допомогою фотоприймачів з внутрішнім підсиленням.
Одним з напрямків в області конструювання фотоприймачів є створення інжекційних фотодіодів (ІФД) – детекторів із внутрішнім підсиленням на основі p-i-n-структур з довгою базою (довжина бази d перевищує дифузійну довжину носіїв заряду L). Під інжекційним підсиленням розуміють таку зміну рівня інжекції носіїв заряду в об’ємі напівпровідника, яка в десятки та сотні разів перевищує вплив первинного збуджуючого фактора (світло) на інтегральну провідність бази p-i-n-діоду. Чутливість довгих діодів до оптичного випромінювання набагато вища, ніж у відповідних безінжекційних аналогів. Це знімає цілий ряд проблем, які можуть бути вирішені лише за допомогою фотоприймачів із внутрішнім підсиленням. Так, різко знижуються вимоги до якості передпідсилювачів, а в ряді випадків з’являється можливість відмовитись від них взагалі.
Крім того, якщо широко розповсюджені лавинні фотодетектори працюють в спектральній області, яка обмежена лише власним поглинанням напівпровідника, спектральна чутливість ІФД розповсюджується в область домішкового поглинання. Тобто на їх основі можуть бути створені ефективні фотоприймачі для інфрачервоної області спектра.
Всі ці відомості свідчать про те, що ІФД є одним із перспективних типів фотоприймачів для оптоелектронних систем. Проте слід зазначити, що для широкого впровадження ІФД необхідно перебороти деякі труднощі та відповісти на ряд питань як теоретичного, так і практичного характеру. Кількість публікацій, присвячених дослідженню фотоелектричних явищ у “довгих” діодах порівняно мала. Експериментальні дані та їх тлумачення інколи надто суперечливі.
Серед основних проблем, що стоять перед розробниками та дослідниками, можна назвати задачу одержання фотоприймачів з неоднорідною структурою базової області і контактів та вивчення основних фізичних процесів і конструктивно-технологічних факторів, які визначають ефективність таких ІФД.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 



Реферат на тему: ВПЛИВ СТРУКТУРИ БАЗОВОЇ ОБЛАСТІ І КОНТАКТІВ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ІНЖЕКЦІЙНИХ ФОТОДІОДІВ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок