Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ВПЛИВ РАДІАЦІЙНО-КОНДУКТИВНОГО ТЕПЛООБМІНУ НА ТЕПЛОВІ РЕЖИМИ ВИРОЩУВАННЯ ОКСИДНИХ КРИСТАЛІВ З РОЗПЛАВУ

ВПЛИВ РАДІАЦІЙНО-КОНДУКТИВНОГО ТЕПЛООБМІНУ НА ТЕПЛОВІ РЕЖИМИ ВИРОЩУВАННЯ ОКСИДНИХ КРИСТАЛІВ З РОЗПЛАВУ

Назва:
ВПЛИВ РАДІАЦІЙНО-КОНДУКТИВНОГО ТЕПЛООБМІНУ НА ТЕПЛОВІ РЕЖИМИ ВИРОЩУВАННЯ ОКСИДНИХ КРИСТАЛІВ З РОЗПЛАВУ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
18,95 KB
Завантажень:
176
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 
НАЦІОНАЛЬНИЙ ТЕХНІЧНИЙ УНІВЕРСИТЕТ УКРАЇНИ
“КИЇВСЬКИЙ ПОЛІТЕХНІЧНИЙ ІНСТИТУТ”
ЛЕНЬКИН Олександр Володимирович
УДК 539.19/.19
ВПЛИВ РАДІАЦІЙНО-КОНДУКТИВНОГО ТЕПЛООБМІНУ НА ТЕПЛОВІ РЕЖИМИ ВИРОЩУВАННЯ ОКСИДНИХ КРИСТАЛІВ З РОЗПЛАВУ
05.14.06 – Технічна теплофізика та промислова теплоенергетика
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата технічних наук
Київ – 2007


Дисертацією є рукопис
Робота виконана на кафедрі теплотехніки та енергозбереження Інституту енергозбереження й енергоменеджменту Національного технічного університету України “Київський політехнічний інститут” Міністерства освіти і науки України
Науковий керівник: | доктор технічних наук, професор
Дешко Валерій Іванович
НТУУ КПІ, завідувач кафедрою теплотехніки та енергозбереження
Офіційні опоненти: | доктор технічних наук, професор
Панов Євген Миколайович,
НТУУ “КПІ”, декан інженерно-хімічного факультету, завідувач кафедрою хімічного полімерного та силікатного машинобудування
Кандидат технічних наук, старший науковий співробітник
Пікашов В’ячеслав Сергійович,
Інститут газу НАН України, завідувач відділом проблем промислової теплотехніки
Провідна установа: | Інститут технічної теплофізики НАН України
Захист дисертації відбудеться “10” квітня 2007р. о 15 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 26.002.09 при Національному технічному університеті України “Київський політехнічний інститут” за адресою: м. Київ, пр. Перемоги, 37, корпус 5, аудиторія 307.
З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці Національного технічного університету України “Київський політехнічний інститут” за адресою: 03056, м. Київ, пр. Перемоги, 37.
Автореферат розісланий “ 3 ” березня 2007р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради, кандидат технічних наук, доцент | Коньшин В.І.


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Проблеми теплообміну займають суттєве місце при виробництві та дослідженні нових матеріалів, зокрема кристалів оптичної та електронної техніки. Без сцинтиляційних матеріалів, зокрема Bi4Ge3O12 (BGO), сьогодні не можливо уявити собі ні комп’ютерної томографії, ні контролю за переміщенням радіоактивних матеріалів, ні моніторингу атомних електростанцій. Україна має великий науковий та промисловий потенціал виробництва таких матеріалів. Зменшення енергоємності виробництва, покращення якості вирощуваних кристалів значно підвищить конкурентоспроможність вітчизняної продукції на світовому ринку.
Методи направленої кристалізації відносять до перспективних способів отримання сцинтиляційних матеріалів з необхідними оптичними й механічними властивостями. Температурні умови, що формуються на міжфазній границі в процесі кристалізації (температура кристалізації, співвідношення градієнтів на фронті, швидкість переміщення границі розділу фаз, особливості тепловідводу), визначають якість монокристалів. Перспективним та найбільш економічним способом дослідження температурних умов на фронті та в кристалізаційній установці в цілому є математичне моделювання.
Дослідженню радіаційно-кондуктивного теплообміну (РКТ) при кристалізації частково прозорих матеріалів (ЧПМ) з напівпрозорих розплавів приділяли увагу Р. Вісканта, Н.А. Рубцов, Н.В. Марченко, В.І. Дешко, А.Я. Карвацький. Ними було визначено, що радіаційна складова суттєво впливає на теплові процеси при вирощуванні прозорих та напівпрозорих кристалів з розплаву. Але дослідження впливу РКТ на теплові процеси при вирощуванні оксидних кристалів, що характеризуються непрозорістю розплаву і прозорістю кристалу, проводилися тільки В.С. Юфєрєвим, Дж. Дербі.
Удосконалення методів та технологій отримання якісних кристалів потребує вивчення процесів кристалізації як на макрорівні (теплові умови), так і на мікро рівні (кінетичні процеси) з урахуванням їх взаємодії. З цього приводу заслуговують на увагу сучасні моделі та дослідження В.Д. Голишева, С. Брандона, де поєднується розгляд теплових та кінетичних процесів на фронті кристалізації. Незначна кількість наукових праць за даною проблематикою свідчить про відсутність обґрунтованих методів з визначення кінетики процесу кристалізації ЧПМ та чисельних алгоритмів розв’язку задач направленої кристалізації з урахування кінетичних процесів на границі розділу фаз.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 



Реферат на тему: ВПЛИВ РАДІАЦІЙНО-КОНДУКТИВНОГО ТЕПЛООБМІНУ НА ТЕПЛОВІ РЕЖИМИ ВИРОЩУВАННЯ ОКСИДНИХ КРИСТАЛІВ З РОЗПЛАВУ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок