Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ОсобЛИВОСТІ роботИ арсенІд-галІЄвИх Польових транзисторів Шоткі У напрУженИх режимах

ОсобЛИВОСТІ роботИ арсенІд-галІЄвИх Польових транзисторів Шоткі У напрУженИх режимах

Назва:
ОсобЛИВОСТІ роботИ арсенІд-галІЄвИх Польових транзисторів Шоткі У напрУженИх режимах
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
20,62 KB
Завантажень:
347
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 
ХАРКІВСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ РАДІОЕЛЕКТРОНІКИ
ЗУЄВ Сергій Олександрович
УДК 621.382.323
ОсобЛИВОСТІ роботИ арсенІд-галІЄвИх Польових транзисторів Шоткі У напрУженИх режимах
05.27.01 – твердотільна електроніка
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата технічних наук
Харків – 2007
Дисертацією є рукопис.
Робота виконана на кафедрі "Радіофізика та електроніка" Таврійського національного університету ім. В.І. Вернадського (м. Сімферополь), Міністерство освіти і науки України.
Науковий керівник: | доктор фізико-математичних наук, доцент
Старостенко Володимир Вікторович,
Таврійський національний університет
ім. В.І. Вернадського, завідувач кафедри
радіофізики та електроніки.
Офіційні опоненти: | доктор фізико-математичних наук, професор
Аркуша Юрій Васильович,
Харківський національний університет
ім. В.Н. Каразіна, професор кафедри напівпровідникової і вакуумної електроніки;
кандидат технічних наук,
Карушкін Микола Федорович,
завідувач відділу державного підприємства НДІ “Оріон” (м. Київ).
Провідна установа: | науково-виробниче підприємство “Карат” (м. Львів).

Захист відбудеться 29 березня 2007 р. о 15-й годині на засіданні спеціалізованої вченої ради К 64.052.04 при Харківському національному університеті радіоелектроніки за адресою: 61166, м. Харків, просп. Леніна, 14, ауд.13.
З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці Харківського національного університету радіоелектроніки за адресою: 61166, м. Харків, просп. Леніна, 14.
Автореферат розісланий “26” лютого 2007 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради, Б.Г. Бородін


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Арсенід-галієві ПТШ-структури сьогодні є фундаментальною основою розвитку твердотільної НВЧ електроніки й зверхшвидкодіючих інтегральних схем. НВЧ напівпровідникові прилади (НПП) та елементи на основі польових транзисторів із затвором Шоткі (ПТШ) функціонують у режимах, обумовлених не тільки штатним живленням і навантаженням, але й навколишньою електромагнітною обстановкою. Тому найчастіше реальні робочі режими виявляються близькими до перенапруженого.
Поза залежністю від причини виникнення напруженого режиму, у ПТШ проходять ті самі фізичні процеси, суть яких зводиться до того, що до електродів додається додаткова напруга. Під впливом зовнішніх електромагнітних полів, значення додаткової напруги обумовлюється як власними геометричними розмірами, так і розмірами підвідних провідників. З великими довжинами підвідних провідників, значення додаткової напруги, що додається до активного приладу, може досягати пробійних значень і призводити як до поступової деградації мікроструктурних елементів приладів, так і до їхньої катастрофічної відмови.
Всі дані про пробій у ПТШ, як правило, отримано експериментальними шляхом і носять описовий характер. З експериментальних досліджень не є можливим визначити тип пробою, дослідити розвиток процесу пробою в часі (дослідити динаміку процесів), визначити що саме пробивається: канал або білястокова область.
Теорія й моделі класичних Si та GaAs ПТШ у звичайних режимах досить добре розроблені, однак у зв'язку з безперервним прагненням до збільшення швидкодії приладів, чинними стають ефекти, що вимагають додаткового розгляду.
Задача підвищення швидкодії сучасних транзисторів та інтегральних схем вирішується, як правило, шляхом зменшення довжини каналу. З одного боку це призводить до високої напруженості поля в каналі й виникнення ефектів, пов'язаних по-перше, з обмеженням рухливості носіїв і виходом швидкості дрейфу в режим насичення (ефект гарячих електронів), по-друге, – з тим, що на малих довжинах у результаті пробою струм стоку не насичується й гранична напруга залежить від довжини каналу. З іншого боку можливість зменшення довжини каналу обмежена збільшенням впливу паразитної ємності на електродах. У ПТШ вплив паразитної ємності трохи менший, ніж в інших структурах (наприклад, у МОН) за рахунок відсутності p-n переходів, що дозволяє значно зменшувати довжину каналу.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 



Реферат на тему: ОсобЛИВОСТІ роботИ арсенІд-галІЄвИх Польових транзисторів Шоткі У напрУженИх режимах

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок