Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Експериментальні дослідження високопольових автосолітонів в нерівноважній електронно-дірковій плазмі в кристалах Ge та Si

Експериментальні дослідження високопольових автосолітонів в нерівноважній електронно-дірковій плазмі в кристалах Ge та Si

Назва:
Експериментальні дослідження високопольових автосолітонів в нерівноважній електронно-дірковій плазмі в кристалах Ge та Si
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
17,00 KB
Завантажень:
369
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ІНСТИТУТ ФІЗИКИ
КРАВЧЕНКО АНДРІЙ ВОЛОДИМИРОВИЧ
УДК 621.315.592
Експериментальні дослідження високопольових автосолітонів в нерівноважній електронно-дірковій плазмі в кристалах Ge та Si
01.04.07 – фізика твердого тіла
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Київ-2005


Дисертацією є рукопис.
Робота виконана в Інституті фізики НАН України.
Науковий керівник: кандидат фізико-математичних наук
Винославський Михайло Миколайович,
Інститут фізики НАН України,
старший науковий співробітник
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор
Данильченко Борис Олександрович,
Інститут фізики НАН України,
завідувач відділу фізики радіаційних процесів
кандидат фізико-математичних наук
Іщук Лариса Вадимівна,
Київський національний університет
імені Тараса Шевченка, радіофізичний факультет,
старший науковий співробітник
кафедри напівпровідникової електроніки
Провідна організація: Інститут фізики напівпровідників
ім. В.Є. Лашкарьова НАН України,
відділення технології і матеріали сенсорної техніки
Захист дисертації відбудеться "23" червня 2005 р. о 14 год. 30 хв. на засіданні спеціалізованої Вченої ради Д .159.01 при Інституті фізики НАН України (адреса: 03028, Київ-28, проспект Науки, 46).
З дисертацією можна ознайомитися в бібліотеці Інституту фізики НАН України.
Автореферат розісланий "23" травня 2005 р.
Вчений секретар
спеціалізованої Вченої ради Чумак О.О.


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. В нерівноважній електронно-дірковій плазмі напівпровідникових кристалів внаслідок процесів самоорганізації можливе утворення просторово впорядкованих дисипативних структур – автосолітонів. Різноманітні типи автосолітонів експериментально були виявлені в напівпровідниках (GaAs, InSb, Te і т.п.) і напівпровідникових структурах. Інтерес до дослідження таких просторово-неоднорідних структур зумовлений тим, що вони дають можливість визначати параметри плазми (температура, рухливість і т.п.) в сильно нерівноважному стані. Крім цього, знання умов їхнього виникнення необхідно, оскільки вони можуть утворюватися при роботі різних приладів сильнострумової електроніки (мікросхем, транзисторів, тиристорів) і приводити, як правило, до їх деградації і руйнування.
Одним з типів таких дисипативних структур є термодифузійні автосолітони, що були виявлені у фотогенерованій електронно-дірковій плазмі в чистих кристалах Ge і Si в сильних електричних полях. Теоретично було передбачено, що механізм виникнення термодифузійних автосолітонів пов'язаний із зміною поведінки часу енергетичної релаксації носіїв при їхньому сильному розігріві. Експериментально було показано, що величина поля в автосолітоні може бути досить великою і досягати 20 кВ/см при прикладеному до зразка середньому полі ~ 300 В/см. Проведені розрахунки показали, що температура електронів в автосолітоні при таких полях може досягати 1000 К і вище. Однак до цього часу це не було доведено експериментально.
Було встановлено, що тип автосолітонів, що утворюються, і їхня поведінка є різними в залежності від концентрації, величини і напрямку електричного поля відносно кристалографічних осей Ge. Вони можуть бути стоячими, біжучими або пульсуючими. Це вказує на можливу істотну роль зонної структури кристала в процесі їхнього формування. Крім цього, було показано, що утворення автосолітонів істотно залежать від розподілу домішок у зразку і властивостей його приконтактних областей. Разом з цим вплив цих факторів на виникнення і поведінку автосолітонів докладно не було досліджено.
Згадані вище обставини зумовили вибір теми даної дисертаційної роботи.
Зв'язок роботи з науковими програмами, планами, темами. Дисертаційна робота виконувалась у відділі електроніки твердого тіла Інституту фізики НАН України у відповідності з планами наукової діяльності відділу в рамках бюджетних тем НАН України та Державного фонду фундаментальних досліджень:
·
1.4.1. В/8 (1994-1996), № держреєстрації0194u024079, "Динамика нелинейных процессов в сильных электрических или ИК-световых полях в полупроводниках со сложной структурой зон".

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 



Реферат на тему: Експериментальні дослідження високопольових автосолітонів в нерівноважній електронно-дірковій плазмі в кристалах Ge та Si

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок