Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ЕЛЕКТРОННІ ВЛАСТИВОСТІ СЕЛЕНІДІВ ІНДІЮ Й ГАЛІЮ ТА ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ЇХ ОСНОВІ

ЕЛЕКТРОННІ ВЛАСТИВОСТІ СЕЛЕНІДІВ ІНДІЮ Й ГАЛІЮ ТА ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ЇХ ОСНОВІ

Назва:
ЕЛЕКТРОННІ ВЛАСТИВОСТІ СЕЛЕНІДІВ ІНДІЮ Й ГАЛІЮ ТА ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ЇХ ОСНОВІ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
37,75 KB
Завантажень:
210
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21  22  23  24 
Львівський національний університет імені Івана Франка
На правах рукопису
САВЧИН
Володимир Павлович
УДК 621.315.592; 539.213;
537.311.1; 535.32; 535.34
ЕЛЕКТРОННІ ВЛАСТИВОСТІ СЕЛЕНІДІВ ІНДІЮ Й ГАЛІЮ
ТА ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ЇХ ОСНОВІ
01.04.10 – фізика напівпровідників та діелектриків
А в т о р е ф е р а т
дисертації на здобуття наукового ступеня
доктора фізико-математичних наук
Львів – 2003


Дисертацією є рукопис
Робота виконана на кафедрі фізики напівпровідників
Львівського національного університету імені Івана Франка
Науковий консультант: доктор фізико-математичних наук, професор
Стахіра Йосип Михайлович,
Львівський національний університет імені Івана Франка,
завідувач кафедри фізики напівпровідників
Офіційні опоненти: член-кореспондент НАН України,
доктор фізико-математичних наук, професор
Блонський Іван Васильович,
заступник директора Інституту фізики НАН України (м. Київ);
доктор фізико-математичних наук, професор
Берча Дарія Михайлівна,
професор кафедри фізики напівпровідників
Ужгородського національного університету
(м. Ужгород);
доктор фізико-математичних наук, професор
Ковалюк Захар Дмитрович,
керівник Чернівецького відділення Інституту проблем
матеріалознавства НАН України (м. Чернівці)
Провідна установа:     Інститут фізики напівпровідників НАН України, (м. Київ)
Захист відбудеться “ 2 ” липня 2003 р. о 15.30 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради
Д 35.051.09 при Львівському національному університеті імені Івана Франка за адресою: 79005, м. Львів, вул. Драгоманова, 50.
З дисертацією можна ознайомитися у науковій бібліотеці Львівського національного університету імені Івана Франка за адресою: 79005, м. Львів, вул. Драгоманова, 5.
Автореферат розісланий “_29_”___травня____ 2003 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Д 35.051.09
доктор фізико-математичних наук, професор Б.В.Павлик
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Кристали бінарних сполук елементів ІІІ та VI груп, завдяки своєрідній кристалічній структурі, займають особливе місце серед напівпровідникових матеріалів. Переважна більшість цих сполук кристалізується у шаруваті структури, окремі шари у яких володіють високим ступенем індивідуальності. Усе це зумовлює не тільки велику анізотропію багатьох фізичних властивостей, але також породжує певні особливості у структурі дефектів. Разом із тим фактичні дані про фізичні властивості цих матеріалів вказують на їх велику практичну перспективність. Однак властивості, які визначають можливості практичного застосування, досить важко передбачити, оскільки вони залежать від багатьох технологічних чинників. Така складна ситуація реалізується вже для монокристалів, але вона значно ускладнюється у випадку тонких плівок та приповерхневих процесів типу оксидування або азотування, вивчення яких необхідне, зокрема, при створенні гетероструктур. Ці обставини і є основною причиною того, що, незважаючи на перспективність халькогенідів елементів ІІІ групи для створення низки оптоелектронних приладів, високочутливих сенсорів тиску, перетворювачів і акумуляторів сонячної енергії та ін., їх практичне застосування не вийшло на рівень приладів на основі напівпровідників систем АІІВVI та АІІІВV.
У зв’язку з цим виникає необхідність вивчення впливу структурних характеристик на формування електронних властивостей напівпровідникових сполук системи АІІІВVІ, зокрема, таких як селеніди галію й індію, та дослідження процесів формування на їх основі гетероструктур та квантово-розмірних структур. Вирішення цієї задачі вимагає систематичного дослідження шляхів цілеспрямованого й контрольованого управління фізичними процесами, що відбуваються у тонких плівках та приповерхневих шарах під час фазових перетворень, зумовлених зовнішніми впливами, і вивчення критеріїв їх структурної та енергетичної стабільності. Прогрес сучасної напівпровідникової електроніки ґрунтується, з одного боку, на високотехнологічних методах створення високоякісних гетероструктурних ансамблів із використанням нових матеріалів, а з іншого – вимагає технологічно доступніших і дешевших методів отримання тонкоплівкових структур.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21  22  23  24 



Реферат на тему: ЕЛЕКТРОННІ ВЛАСТИВОСТІ СЕЛЕНІДІВ ІНДІЮ Й ГАЛІЮ ТА ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ЇХ ОСНОВІ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок