Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ТЕОРІЯ ЕЛЕКТРОННИХ СТАНІВ І МАГНІТООПТИЧНІ ЕФЕКТИ У КВАНТОВИХ ЯМАХ З НАПІВМАГНІТНИМИ БАР'ЄРАМИ

ТЕОРІЯ ЕЛЕКТРОННИХ СТАНІВ І МАГНІТООПТИЧНІ ЕФЕКТИ У КВАНТОВИХ ЯМАХ З НАПІВМАГНІТНИМИ БАР'ЄРАМИ

Назва:
ТЕОРІЯ ЕЛЕКТРОННИХ СТАНІВ І МАГНІТООПТИЧНІ ЕФЕКТИ У КВАНТОВИХ ЯМАХ З НАПІВМАГНІТНИМИ БАР'ЄРАМИ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
17,78 KB
Завантажень:
355
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ІНСТИТУТ ФІЗИКИ
КИРИЧЕНКО Федір Вікторович
УДК 537.311.33
ТЕОРІЯ ЕЛЕКТРОННИХ СТАНІВ І МАГНІТООПТИЧНІ ЕФЕКТИ У КВАНТОВИХ ЯМАХ З НАПІВМАГНІТНИМИ БАР'ЄРАМИ
01.04.07 - фізика твердого тіла
А В Т О Р Е Ф Е Р А Т
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
КИЇВ - 2001
Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Інституті фізики напівпровідників НАН України
Науковий керівник – доктор фізико-математичних наук
Семенов Юрій Григорович, провідний науковий співробітник
Інституту фізики напівпровідників НАН України
Офіційні опоненти:
доктор фізико-математичних наук, професор
Сугаков Володимир Йосипович, завідувач відділом
НЦ "Інститут ядерних досліджень" НАН України
кандидат фізико-математичних наук
Шека Валентин Іванович, провідний науковий співробітник
Інституту фізики напівпровідників НАН України
Провідна установа - Київський національний університет імені Тараса Шевченка, кафедра напівпровідникової електроніки радіофізичного факультету
Захист відбудеться 22 березня 2001 р. о 14 годині 30 хв.
на засіданні спеціалізованої вченої ради Д .159.01
при Інституті фізики НАН України за адресою:
03650, МСП, Київ-39, проспект Науки 46.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці
Інституту фізики НАН України за адресою:
03650, МСП, Київ-39, проспект Науки 46.
Автореферат розісланий 16 лютого 2001 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради
кандидат фіз.-мат. наук Іщук В.А.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Дисертацію присвячено теоретичному дослідженню властивостей станів носіїв струму у квантово-розмірних структурах на основі напівмагнітних напівпровідників (НМН). Зокрема, побудовано теорію резонансних станів дірки в поодинокій квантовій ямі з напівмагнітними бар'єрами, запропоновано модель ?-потенціалу для урахування впливу інтерфейсу на стани носіїв струму в квантових структурах на основі НМН, удосконалено процедуру варіаційних розрахунків станів екситону в квантовій ямі з використанням пробної хвильової функції в мультиплікативній формі, досліджено процеси нерезонансного тунелювання зі зміною спіну електрону в подвійних квантових ямах з напівмагнітним бар'єром. Розвинені теорії якісно, а в ряді випадків кількісно, описують експериментальні дані, передбачають ряд нових явищ та пропонують експерименти, де ці явища могли б проявитися.
Робота виконувалась за тематикою Інституту фізики напівпровідників НАН України, де автор навчався в аспірантурі у 1994-1997 роках. Завершальний етап виконання роботи прийшовся на час перебування автора в Інституті фізики Польської Академії Наук, Варшава.
Актуальність теми. На протязі вже майже чверті сторіччя, з моменту свого відкриття у 1976 році, напівмагнітні (або розбавлені магнітні) напівпровідники інтенсивно вивчаються як в нашій країні так і за кордоном. Являючи собою напівпровідниковий кристал, у якому частина первинних іонів заміщена магнітними домішками (іонами перехідних металів, що мають нескомпенсований спіновий момент), НМН становлять унікальний об'єкт наукових досліджень, який поєднує в собі цехи напівпровідників, магнетиків та неупорядкованих систем. Напівпровідниковий характер такої системи дозволяє використовувати широкий арсенал оптичних і магнітооптичних методів досліджень, недосяжний в випадку металевих магнітних структур.
Обмінна взаємодія зонних носіїв з електронами частково заповнених d- і f- оболонок магнітних іонів суттєво змінює властивості матеріалу і призводить до появи нових явищ, вельми перспективних з точки зору їх практичного застосування. Серед них слід зазначити ефект гігантського спінового розщеплення (ГСР) екситонних ліній в оптичних спектрах в магнітному полі (яке в десятки та сотні разів перевищує пряме зеєманівське розщеплення), гігантське фарадеївське обертання площини поляризації світла, ефект “скипання” (в протилежність звиклому явищу “виморожування”) мілких акцепторних центрів в магнітному полі, поява спінових поляронних станів, тощо.
Напівпровідникові структури зі зменшеною розмірністю - квантові ями, гетеропереходи і інші, взагалі становлять клас перспективних матеріалів для мікро- та оптоелектроніки.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 



Реферат на тему: ТЕОРІЯ ЕЛЕКТРОННИХ СТАНІВ І МАГНІТООПТИЧНІ ЕФЕКТИ У КВАНТОВИХ ЯМАХ З НАПІВМАГНІТНИМИ БАР'ЄРАМИ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок