Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Мікроелектронні сенсори на основі КНІ-структур з рекристалізованим шаром полікремнію

Мікроелектронні сенсори на основі КНІ-структур з рекристалізованим шаром полікремнію

Назва:
Мікроелектронні сенсори на основі КНІ-структур з рекристалізованим шаром полікремнію
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
20,14 KB
Завантажень:
79
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14 
НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ “ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА”
Ховерко Юрій Миколайович
УДК 625.315.592
Мікроелектронні сенсори на основі КНІ-структур
з рекристалізованим шаром полікремнію
05.27.01 – твердотільна електроніка
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата технічних наук
Львів 2003


Дисертацією є рукопис
Робота виконана на кафедрі напівпровідникової електроніки Національного університету ”Львівська політехніка” Міністерства освіти і науки України
Науковий керівник: | доктор технічних наук, професор
Дружинін Анатолій Олександрович,
Національний університет ”Львівська політехніка”,
професор кафедри напівпровідникової електроніки
Офіційні опоненти: |
доктор технічних наук, професор
Готра Зенон Юрійович,
Національний університет ”Львівська політехніка”,
завідувач кафедри електронних приладів (м.Львів).
доктор технічних наук, старший науковий співробітник
Ащеулов Анатолій Анатолієвич,
Інститут термоелектрики НАН України,
завідувач відділу термоелектричних явищ (м.Чернівці).
Провідна установа: |
Науково-виробниче об’єднання “Карат” Міністерства промислової політики України (м.Львів).
Захист відбудеться “_24_”_грудня_2003р. о _1430_ годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 35.052.12 при Національному університеті “Львівська політехніка” за адресою: 79013, м.Львів, вул. Ст.Бандери,12.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Національного університету “Львівська політехніка” 79013, м.Львів, вул. Професорська,1.
Автореферат розісланий “_7_”_листопада_2003 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Заячук Д.М.


Загальна характеристика роботи
Актуальність теми. Сучасний розвиток науки і техніки вимагає високого рівня сенсорних пристроїв для вимірювання, контролю та управління фізичними процесами, що використовують у виробництві, екології, медицині, космічній техніці та ін. Створення таких приладів неможливе без розроблення мікроелектронних сенсорів. Науково-дослідні роботи з розроблення сенсорів на основі кремнію з використанням нових технологій здійснюються у спеціалізованих наукових центрах та провідних університетах розвинених країн.
Поряд з традиційним використанням кремнію в сучасній мікроелектроніці, ведуться інтенсивні наукові пошуки інших матеріалів і структур, зокрема роботи щодо створення мікроелектронних приладів, у т.ч. сенсорів на основі структур “кремній на ізоляторі” (КНІ). Застосування полікристалічного кремнію в технології виготовлення мікроелектронних приладів відкриває шлях до створення багатошарових структур. Однією з переваг є можливість отримувати шари, величина питомого опору яких змінюється в дуже широких межах (декілька порядків). Однак полікремнію властиві й деякі недоліки: стани на міжзеренних границях (МЗГ) можуть діяти як пасткові центри, а також центри рекомбінації та розсіювання. Підвищене розсіювання знижує рухливість носіїв заряду, що погіршує функціонування мікроелектронних приладів; також це проявляється при захопленні носіїв заряду пастками. Ці негативні впливи можна звести до мінімуму за допомогою лазерної рекристалізації полікремнійового шару.
Створення мікроелектронних сенсорів на основі КНІ-структур з рекристалізованим полікремнійом дає можливість, порівняно з відомими дифузійними структурами, розширити інтервал робочих температур і покращити їх характеристики, а порівняно з КНС-структурами, підвищити технологічність процесу виготовлення сенсорів та знизити їх собівартість. Мікрозонна лазерна рекристалізація активних елементів мікроелектронних сенсорів (полікремнійових резисторів, п'єзорезисторів) дає змогу ефективно модифікувати їх електрофізичні властивості, а електрична ізоляція від базової пластини за допомогою шару двооксиду кремнію відкриває можливості розширення інтервалу робочих температур приладів на основі КНІ-структур. Цей напрям вважають найбільш перспективним як з технологічної точки зору, так і в плані розширення функціональних можливостей сенсорів.
На початку виконання дисертаційної роботи окремі дослідження полікремнію на діелектричних підкладках були недостатніми для створення сенсорів, працездатних в широкому діапазоні температур, та розширення їх функціональних можливостей.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14 



Реферат на тему: Мікроелектронні сенсори на основі КНІ-структур з рекристалізованим шаром полікремнію

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок