Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Рекомбінаційні процеси та електрофізичні властивості низькорозмірних систем на основі дийодиду свинцю і кисневмісних сполук цинку

Рекомбінаційні процеси та електрофізичні властивості низькорозмірних систем на основі дийодиду свинцю і кисневмісних сполук цинку

Назва:
Рекомбінаційні процеси та електрофізичні властивості низькорозмірних систем на основі дийодиду свинцю і кисневмісних сполук цинку
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
22,67 KB
Завантажень:
283
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14 
Волинський державний університет імені Лесі Українки
Пастернак Роман Михайлович
УДК 538.113+535.34+535.37
Рекомбінаційні процеси та електрофізичні властивості низькорозмірних систем на основі
дийодиду свинцю і кисневмісних сполук цинку
01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Луцьк - 2007


Дисертацією є рукопис
Робота виконана на кафедрі фізики Луцького державного технічного університету Міністерства освіти і науки України
Науковий керівник доктор фізико-математичних наук, професор
Капустяник Володимир Богданович,
Львівський національний університет ім. Івана Франка, директор Науково-технічного і навчального центру низькотемпературних досліджень
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, член-кор. НАН України
Бєляєв Олександр Євгенович,
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України (м. Київ), заступник директора;
доктор фізико-математичних наук, професор
Убізський Сергій Борисович,
Інститут телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки Національного університету „Львівська політехніка”, заступник директора.
Захист відбудеться “21” вересня 2007 р. о 14 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради К.32.051.01 при Волинському державному університеті ім. Лесі Українки за адресою: 43000, м. Луцьк, вул. Потапова, 9.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Волинського державного університету ім. Лесі Українки за адресою: 43000, м. Луцьк, вул. Винниченка, 30.
Автореферат розісланий “_____” ______________ 2007 року.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради В.В. Божко


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Невпинний розвиток твердотільної електроніки зумовив підвищений інтерес науковців та інженерів до пошуку нових напівпровідникових матеріалів і розширення можливостей застосування вже існуючих. І якщо ще донедавна основна увага приділялася матеріалам для створення пристроїв зв’язку та засобів обробки інформації, то тепер особливо інтенсивні дослідження ведуться з метою отримання середовищ для візуалізації зображень. Зокрема, в оптоелектроніці значні зусилля сконцентровані на вивченні властивостей напівпровідникових матеріалів із великою шириною забороненої зони, придатних для побудови досконалих об’ємних і тонкоплівкових люмінесцентних структур, розробки „сонячно-сліпих” датчиків ультрафіолетового випромінювання, пристроїв прозорої електроніки, засобів детектування Х- та г_променів тощо. Такі матеріали повинні мати високий коефіцієнт перетворення енергії збудження у видиме чи ультрафіолетове випромінювання, бути стабільними, радіаційно, фотохімічно, термічно і хімічно стійкими, не містити летких чи отруйних компонентів, відповідати необхідним світлотехнічним вимогам, бути простими та дешевими у виготовленні.
Важливим прикладним завданням є також оптимізація параметрів матеріалів шляхом цілеспрямованого внесення домішок. Створення високоякісних плівкових люмінофорів вимагає, щоб для генерації випромінювання необхідного кольору осаджені шари кожної заданої сполуки допускали введення певної люмінесцентної домішки з оптимальною концентрацією. Забезпечення максимальної ефективності свічення та стабільності фізичних характеристик можливе лише при формуванні досконалої структури плівок.
Зацікавленість кисневмісними сполуками цинку та дийодидом свинцю пов’язана, насамперед, із можливостями їхнього використання в сенсорах та конверторах електромагнітного випромінювання. Обидва матеріали належать до широкозонних напівпровідників та характеризуються великими енергіями зв’язку екситонів, що дозволяє спостерігати екситонну люмінесценцію навіть при кімнатній температурі. Для порівняння, ZnO – електропровідний, стійкий до високих температур та агресивних середовищ, має більшу енергією зв’язку екситонів, ніж широковідомий нині GaN. Тому існує реальна можливість заміни останнього при виробництві світловипромінювальних діодів.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14 



Реферат на тему: Рекомбінаційні процеси та електрофізичні властивості низькорозмірних систем на основі дийодиду свинцю і кисневмісних сполук цинку

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок