Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ФОРМУВАННЯ ПОЛІРОВАНОЇ ПОВЕРХНІ МОНОКРИСТАЛІВ ТЕЛУРИДУ КАДМІЮ ТА ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ НА ЙОГО ОСНОВІ В ТРАВИЛЬНИХ КОМПОЗИЦІЯХ HNO3 - HHal -КОМПЛЕКСОУТВОРЮВАЧ ДЛЯ ПРИЛАДІВ ЕЛЕКТРОННОЇ ТЕХНІКИ

ФОРМУВАННЯ ПОЛІРОВАНОЇ ПОВЕРХНІ МОНОКРИСТАЛІВ ТЕЛУРИДУ КАДМІЮ ТА ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ НА ЙОГО ОСНОВІ В ТРАВИЛЬНИХ КОМПОЗИЦІЯХ HNO3 - HHal -КОМПЛЕКСОУТВОРЮВАЧ ДЛЯ ПРИЛАДІВ ЕЛЕКТРОННОЇ ТЕХНІКИ

Назва:
ФОРМУВАННЯ ПОЛІРОВАНОЇ ПОВЕРХНІ МОНОКРИСТАЛІВ ТЕЛУРИДУ КАДМІЮ ТА ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ НА ЙОГО ОСНОВІ В ТРАВИЛЬНИХ КОМПОЗИЦІЯХ HNO3 - HHal -КОМПЛЕКСОУТВОРЮВАЧ ДЛЯ ПРИЛАДІВ ЕЛЕКТРОННОЇ ТЕХНІКИ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
17,72 KB
Завантажень:
466
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ІНСТИТУТ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ
Білевич Євген Олегович
УДК 621.794.4:546.681.19.86
ФОРМУВАННЯ ПОЛІРОВАНОЇ ПОВЕРХНІ МОНОКРИСТАЛІВ ТЕЛУРИДУ КАДМІЮ ТА ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ НА ЙОГО ОСНОВІ В ТРАВИЛЬНИХ КОМПОЗИЦІЯХ HNO3 - HHal -КОМПЛЕКСОУТВОРЮВАЧ ДЛЯ ПРИЛАДІВ ЕЛЕКТРОННОЇ ТЕХНІКИ
05.27.06 – технологія, обладнання та виробництво електронної техніки
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата технічних наук
Київ – 2002
Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Інституті фізики напівпровідників НАН України
Науковий керівник: доктор хімічних наук, професор, провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників НАН України Томашик Василь Миколайович
Офіційні опоненти: доктор технічних наук, провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників НАН України Конакова Раїса Василівна
доктор технічних наук, завідувач відділом Інституту металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Іванченко Володимир Григорович
Провідна установа:  Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України, відділ фізичної хімії неорганічних матеріалів, м. Київ
Захист дисертації відбудеться “ 15 ” лютого 2002 р. о 16 год. на засіданні спеціалізованої вченої ради К 26.199.01 в Інституті фізики напівпровідників НАН України за адресою 03028, Київ-28, проспект Науки, 45
З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці Інституту фізики напівпровідників: 03028, Київ-28, проспект Науки, 45
Автореферат розіслано “ 10 ” січня 2002 року
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради К 26.199.01,
канд. фіз.-мат. наук Охріменко О.Б.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Напівпровідникові матеріали типу АIIВVI, зокрема телурид кадмію та тверді розчини на його основі Cd1-xZnxTe та CdxHg1-xTe широко використовуються для виготовлення фотоприймачів, чутливих в ІЧ-області спектра, детекторів іонізуючого випромінювання, сонячних елементів. Вони також використовуються як антивідбивні покриття, в оптоволоконних модуляторах, оптичних лінзах, для виготовлення вікон Брюстера, напівпрозорих дзеркал, як підкладки для епітаксії та в інших напівпровідникових приладах і пристроях. Тверді розчини CdxHg1-xTe є основним матеріалом для виготовлення ІЧ-фотоприймачів, включаючи багатоелементні лінійки та матриці. Однак незважаючи на широке практичне використання вказаних матеріалів та виготовлених на їх основі приладів, існують значні технологічні проблеми, зумовлені їх нестабільністю, складністю технології вирощування, недосконалою обробкою та складними умовами роботи в різних режимах.
Невід'ємною частиною сучасної напівпровідникової технології є попередня обробка поверхні монокристалів, яка значно впливає на структурну досконалість поверхні матеріалу та її електрофізичні властивості, що вимагає вивчення закономірностей та механізмів отримання бездефектних поверхонь напівпровідників. Результати таких досліджень необхідні перш за все при пошуку та обґрунтуванні технологічних прийомів цілеспрямованого управління процесами обробки напівпровідників, а також при виборі оптимальних варіантів, режимів та умов хімічних обробок.
Для вивчення об'ємних монокристалів, тонких епітаксійних шарів, при створенні складних приладів і схемних структур широко застосовують методи хімічного травлення. Однак для адекватної інтерпретації результатів травлення необхідне як знання фізико-хімічних процесів, так і визначення ролі основних компонентів травника, їх взаємодії, впливу домішок і т.д.
Хімічне травлення базується на різниці хімічної активності структурних складових або ділянок кристалів у відношенні до хімічних реагентів. В процесі травлення напівпровідників можна виділити два етапи: а) окиснення і б) наступне розчинення продуктів окиснення. Реакція окиснення визначається значеннями термодинамічних констант напівпровідникового матеріалу, а швидкість реакції лімітується, головним чином, процесами переносу. Поведінка монокристалічної поверхні при травленні залежить від її кристалічної орієнтації, оскільки швидкість адсорбції і швидкість вивільнення заряду є різними для різних кристалографічних напрямків.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 



Реферат на тему: ФОРМУВАННЯ ПОЛІРОВАНОЇ ПОВЕРХНІ МОНОКРИСТАЛІВ ТЕЛУРИДУ КАДМІЮ ТА ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ НА ЙОГО ОСНОВІ В ТРАВИЛЬНИХ КОМПОЗИЦІЯХ HNO3 - HHal -КОМПЛЕКСОУТВОРЮВАЧ ДЛЯ ПРИЛАДІВ ЕЛЕКТРОННОЇ ТЕХНІКИ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок