Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Дефекти структури оксидних кристалічних матеріалів зі спеціальними електро-фізичними властивостями

Дефекти структури оксидних кристалічних матеріалів зі спеціальними електро-фізичними властивостями

Назва:
Дефекти структури оксидних кристалічних матеріалів зі спеціальними електро-фізичними властивостями
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
34,62 KB
Завантажень:
174
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21  22 
Національна академія наук України
Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича
Лагута Валентин Володимирович
УДК 537.226: 539.143.4
Дефекти структури оксидних кристалічних матеріалів зі спеціальними
електро-фізичними властивостями
01.04.07 – фізика твердого тіла
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
доктора фізико-математичних наук
Київ – 2005
Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Інституті проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича Національної академії наук України
Науковий консультант: член.-кор. НАН України,
доктор фіз.-мат. наук, професор
Глинчук Майя Давидівна,
Інститут проблем матеріалознавства НАН України,
завідувач відділу
Офіційні опоненти: член-кор. НАН України, доктор технічних наук, професор
Гриньов Борис Вікторович,
Інститут сцинтиляційних матеріалів НАН України, директор
доктор фізико-математичних наук, професор
Брик Олександр Борисович,
Інститут геохімії, мінерології та рудоутворення НАН України, провідний науковий співробітник
доктор фізико-математичних наук, професор
Іщенко Станіслав Степанович,
Інститут фізики напівпровідників НАН України,
провідний науковий співробітник
Провідна установа: Дніпропетровський національний університет, кафедра фізики твердого тіла
Захист відбудеться 08.02. 2006 р. о 14 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 26.207.01 в Інституті проблем матеріалознавства
ім. І.М. Францевича НАН України, 03680, м. Київ-142, вул. Кржижанівського, 3.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Інституту проблем матеріалознавства
ім. І.М. Францевича НАН України, 03680 м. Київ-142, вул. Кржижанівського, 3.
Автореферат розісланий 27.12. 2005 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Коржова Н.П.


Загальна характеристика роботи
Актуальність теми. Дефекти в кристалічних твердих тілах без перебільшення відіграють надзвичайно важливу роль, оскільки не можливо створити ідеальний бездефектний кристалічний матеріал. Навіть у випадку ідеальної структури матеріал весь час перебуває під впливом дії навколишнього середовища, включаючи також дію оптичного та радіаційного опромінення. Останні чинники спричиняють появу наведених світлом та радіацією дефектів (так звані центри забарвлення). Від типу та кількості дефектів залежать всі корисні фізичні властивості матеріалу. При цьому дефекти можуть спричиняти як погіршення, так і покращення тих чи інших характеристик матеріалу. Серед різних видів дефектів найбільш типовими і, в той же час, найпростішими за структурою є точкові дефекти, що часто ототожнюються з домішковими йонами або з вакантними вузлами в кристалічній гратці (останні дефекти ще називають власними). Точкові дефекти відіграють визначальну роль в електричних, оптичних, фотоелектричних, люмінесцентних, сегнетоелектричних та інших властивостях діелектричних матеріалів.
В оптично прозорих кристалах, які проявляють сцинтиляційні властивості, точкові дефекти і, в особливості, власні дефекти визначають такі важливі експлуатаційні параметри сцинтиляторів, як світловий вихід, радіаційна стійкість та швидкість люмінесцентного висвічування. Знання природи, локальної структури та механізму утворення власних дефектів дозволяє ефективно впливати на їх концентрацію в матеріалі та вказує шляхи їх нейтралізації. До останнього часу були відсутні подібні знання для одного з найпривабливіших для практичного використання сцинтиляторі PbWO4. Для розв’язання цієї проблеми нами був використаний метод електронного парамагнітного резонансу (ЕПР), який, без сумніву, є найбільш прямим і інформативним методом дослідження природи та локальної структури точкових дефектів і дозволяє фіксувати та досліджувати на молекулярному рівні малу кількість електронів/дірок захоплених центрами забарвлення.
В іншому класі діелектриків, що характеризуються високою діелектричною сприйнятністю (SrTiO3, KTaO3) дипольні дефекти можуть також активно взаємодіяти з м’якою оптичною модою, призводячи до появи полярних нанокластерів в діелектричній матриці. З іншого боку, легування таких діелектриків дипольними домішками в залежності від концентрації та типу спричиняє появу різних видів полярних фаз (склової, сегнетоелектричної, змішаної сегнетосклової).

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21  22 



Реферат на тему: Дефекти структури оксидних кристалічних матеріалів зі спеціальними електро-фізичними властивостями

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок