Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ЛОКАЛІЗАЦІЯ КОЛИВАНЬ У СИЛЬНО АНІЗОТРОПНИХ ТА БАГАТОШАРОВИХ СИСТЕМАХ

ЛОКАЛІЗАЦІЯ КОЛИВАНЬ У СИЛЬНО АНІЗОТРОПНИХ ТА БАГАТОШАРОВИХ СИСТЕМАХ

Назва:
ЛОКАЛІЗАЦІЯ КОЛИВАНЬ У СИЛЬНО АНІЗОТРОПНИХ ТА БАГАТОШАРОВИХ СИСТЕМАХ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
17,52 KB
Завантажень:
327
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАІНИ
ФІЗИКО-ТЕХНІЧНИЙ ІНСТИТУТ НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР
ім. Б.І. Вєркіна
На правах рукопису
МІНАЄВ Павло Анатолійович
УДК 548.571
ЛОКАЛІЗАЦІЯ КОЛИВАНЬ У СИЛЬНО АНІЗОТРОПНИХ ТА БАГАТОШАРОВИХ СИСТЕМАХ
01.04.02– теоретична фізика
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Харків – 2004
Дисертацією є рукопис.
Робота виконана у Фізико-технічному інституті низьких температур імені Б.І. Вєркіна Національної Академії Наук України.
Науковий керівник: доктор фізико-математичних наук, старший науковий співробітник, Сиркін Євген Соломонович, Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України, провідний науковий співробітник;
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор, Єрмолаєв Олександр Михайлович, Харківський національний університет ім. В.Н. Каразіна МОН України, завідувач кафедри теоретичної фізики фізичного факультету;
доктор фізико-математичних наук, старший науковий співробітник, Сергєєва Галина Григор’євна, Інститут теоретичної фізики Національного наукового центру “Харківський фізико-технічний інститут”, провідний науковий співробітник.
Провідна установа: Інститут радіофізики та електроніки ім. О.Я. Усикова НАН України, м. Харків, відділ теоретичної фізики
Захист відбудеться “13” квітня 2004 року о 1630 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 64.175.02 при Фізико-технічному інституті низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України за адресою: 61103, м. Харків 103, проспект Леніна, 47.
З дисертацією можна ознайомитись у науковій бібліотеці Фізико-технічного інституту низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України (61103, Харків, проспект Леніна, 47).
Автореферат розісланий “11” березня 2004 року
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Д 64.175.02
доктор фізико-математичних наук,
професор КОВАЛЬОВ О.С.


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Сильно анізотропні та шаруваті сполуки широко використовуються як у фундаментальних дослідженнях, так і в технічних застосуваннях. До такого класу сполук належать напівпровідники, діелектрики, ВТНП системи, біополімери та ін. Актуальною є проблема детального вивчення коливальних характеристик ґраток цих сполук, оскільки в усіх фізичних процесах, які в них можуть протікати, роль фононів завжди виявляється дуже значною.
Важливою та цікавою проблемою є вивчення впливу дефектів на різноманітні характеристики сильно анізотропних сполук. Завдяки сильній анізотропії міжатомної взаємодії такі кристали можуть проявляти властивості, притаманні як звичайним тривимірним (слабоанізотропним) ґраткам, так і низьковимірним ґраткам. Так, оскільки умови виникнення зв’язанних станів у тривимірних системах істотно інші, ніж в одно- та двовимірних, умови виникнення та характеристики таких станів повинні відрізнятися порівняно з звичайними тривимірними кристалами.
Дослідження поверхневих фононів у шаруватих кристалах мотивуються в основному двома аргументами. Перший і найбільш простий – динаміка поверхневих шарів повинна мало відрізнятися від динаміки шарів у глибині кристалу завдяки слабкій міжшаровій взаємодії. Таким чином, спектроскопія поверхні повинна давати приблизну інформацію про об’ємну динаміку кристалу. Це дає змогу уникнути труднощів використання нейтронної спектроскопії для шаруватих сполук, синтез яких у вигляді достатньо великих, вільних від дефектів типу двійників, кристалів є вельми проблематичним. Така точка зору була обґрунтована де Веттом [1] з співробітниками при теоретичному дослідженні поверхні графіту, де було показано, що відщіплення дисперсійних кривих, що відповідають поверхневим модам, від нижньої границі суцільного спектру кристала є дуже слабким.
Другий, протилежний аргумент пов’язаний з тим, що динамічні властивості поверхневого шару відрізняються від властивостей у глибині кристалу, але за рахунок слабкої взаємодії між сусідніми шарами ця відмінність повинна бути сильно локалізованою поблизу поверхні. Така точка зору з’явилася після досліджень з розсіяння атомів гелію на зразках кристалів GaSe і TaSe2 у яких було відкрито аномальну дисперсію поверхневих фононів відносно дисперсії об’ємних фононів.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 



Реферат на тему: ЛОКАЛІЗАЦІЯ КОЛИВАНЬ У СИЛЬНО АНІЗОТРОПНИХ ТА БАГАТОШАРОВИХ СИСТЕМАХ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок